一种包含杂环的化合物及其有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术提供一种包含杂环的化合物及其有机电致发光器件，属于有机电致发光技术领域。本发明专利技术提供的包含杂环的化合物具有较高的电子迁移率，能够有效平衡器件内部的载流子传输，同时该包含杂环的化合物还具备良好的空穴阻挡能力，能够有效将空穴阻挡在发光层内，避免过多的空穴向阴极侧传输，提高激子在发光层内的复合几率，将其应用于有机电致发光器件的空穴阻挡/电子传输层，不仅提高了器件的发光效率，同时还延长了器件的使用寿命。同时该包含杂环的化合物具备良好的折射率，作为覆盖层材料时，能够有效提高器件的出光效率，进而提高器件的发光效率。该杂环类化合物及其有机电致发光器件具有良好的应用效果和产业化前景。致发光器件具有良好的应用效果和产业化前景。

【技术实现步骤摘要】
一种包含杂环的化合物及其有机电致发光器件


[0001]本专利技术涉及有机电致发光
，尤其涉及一种包含杂环的化合物及其有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]有机电致发光显示(Organic Light Emitting Diode，OLED)技术是一种借助有机半导体功能材料、将电能转化为光能的技术，其工作电压低和亮度高的潜力备受瞩目。其通常包含阴极、有机功能层和阳极，其中有机功能层主要包括：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、发光层(EML)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。此外，在顶发射器件中，通常会在半透明电极的外侧设置高折射率的覆盖层，以调节光学干涉距离，减少器件的全反射效应，提高光取出效率。
[0003]电子传输材料和空穴阻挡材料是决定OLED器件效率和稳定性的一个关键因素。为了平衡载流子，提高器件效率，一般要求电子传输材料和空穴阻挡材料具有以下特征：(1)可以大批量制备；(2)具有良好的热稳定性；(3)具有较低的HOMO能级，能有效阻止空穴的传输，使激子复合区在发光层中而不是在电子传输层中形成；(4)具有较高的电子迁移率，有利于电子的传输，阻挡空穴，降低电子注入势垒，平衡载流子；(5)可以形成良好的无定形的薄膜，避免结晶使的性能降低。对于覆盖材料，需要其可见光范围内具有较高的折射率，有较高的玻璃化转变温度，有较高的热稳定性，对紫外波段吸收好，避免有害光对器件材料的不利影响；对可见光波段不吸收，降低对器件出光效率及色纯度的影响。<br/>[0004]然而，目前所使用的电子传输材料电子迁移率低，能级不匹配，造成器件内部载流子注入不平衡，过多的空穴向阴极侧传输，从而造成器件发光效率的降低和器件使用寿命的缩短。此外，国内外对光取出材料的研究较少，并且大部分的光取出材料的性能还较差，导致陷于器件内的光不能被有效的耦合出来。因此，开发一种电子迁移率高、能够有效阻挡空穴、提高出光效率的有机电致发光材料成为急需解决的问题。

技术实现思路

[0005]针对上述现有技术中存在的问题，本专利技术提供了一种包含杂环的化合物及其有机电致发光器件，该包含杂环的化合物作为电子传输/空穴阻挡层应用到有机电致发光器件中，能够提高器件的发光效率，延长器件的使用寿命。
[0006]本专利技术提供一种包含杂环的化合物，所述包含杂环的化合物具有如化学式1表示的结构，
[0007][0008]在化学式1中，所述Ar1、Ar2相同或不同的选自化学式2表示的结构
[0009][0010]所述Y相同或不同的选自C(Rx)或N，其中，至少一个Y选自N；所述Rx相同或不同的选自氢、氘、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种，或相邻的两个Rx之间连接形成取代或未取代的环；
[0011]所述X1选自O、S或N(Ry)中的任意一种；所述Ry选自氢、氘、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种；
[0012]所述n选自0、1、2或3；
[0013]所述E1、E2、E3独立的选自氢、取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的吡啶环中的任意一种；
[0014]所述Z相同或不同的选自C或N；
[0015]所述L1～L3相同或不同的选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基中的任意一种；
[0016]所述R1、R2相同或不同的选自氢、氘、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种；所述a1选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11；所述a2选自0、1、2或3。
[0017]本专利技术还提供了一种有机电致发光器件，包含阳极、有机物层、阴极，其特征在于，所述有机物层含有所述包含杂环的化合物的任意一种或至少两种的组合。
[0018]本专利技术的有益效果：本专利技术提供的包含杂环的化合物具有较高的电子迁移率，能够有效平衡器件内部的载流子传输，同时该包含杂环的化合物还具备良好的空穴阻挡能力，能够有效将空穴阻挡在发光层内，避免过多的空穴向阴极侧传输，提高激子在发光层内的复合几率，将其应用于有机电致发光器件的空穴阻挡/电子传输层，不仅提高了器件的发光效率，同时还延长了器件的使用寿命。同时该包含杂环的化合物具备良好的折射率，作为覆盖层材料时，能够有效提高器件的出光效率，进而提高器件的发光效率。
具体实施方式
[0019]下面将结合本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术的保护范围。
[0020]在本说明书中，“*
‑”
意指与另一取代基连接的部分。
[0021]在本说明书中，当取代基在芳香环上的位置不固定时，表示其可连接于所述芳香环的相应可选位点中的任一个。例如，可表示以此类推。
[0022]本专利技术所述的卤素是指氟、氯、溴、碘。
[0023]本专利技术所述的烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，可为直链烷基、支链烷基，优选具有1至30个碳原子，优选1至12个碳原子，更优选1至10个碳原子，特别优选1至6个碳原子，实例可包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基等，但不限于此。
[0024]本专利技术所述的环烷基是指环烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，优选具有3至15个碳原子，更优选3至10个碳原子，特别优选3至6个碳原子，实例可包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、金刚烷基、降冰片烷基、莰烷基等，但不限于此。上述烷基优选为环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基。
[0025]本专利技术所述的芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，可为单环芳基、多环芳基或稠环芳基，优选具有6至60个碳原子，优选6至18个碳原子，更优选6至14个碳原子，最优选6至12个碳原子，实例可包括苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、三亚苯基、苝基等，但不限于此。
[0026]本专利技术所述的杂芳基是指由碳和杂原子构成的芳杂环的核原子上去掉一个氢原子，剩下一价基团的总称。所述杂原子可为N、O、S、Si、P中的一个或多个，可为单环杂芳基或稠环杂芳基，优选具有2至60个碳原子，优选2至20个碳原子，更优选2至16个碳原子，特别优选3至12个碳原子，最优选3至8个碳原子，实例可包括吡咯基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基、噁唑基、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种包含杂环的化合物，其特征在于，所述包含杂环的化合物具有如化学式1表示的结构，在化学式1中，所述Ar1、Ar2相同或不同的选自化学式2表示的结构所述Y相同或不同的选自C(Rx)或N，其中，至少一个Y选自N；所述Rx相同或不同的选自氢、氘、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种，或相邻的两个Rx之间连接形成取代或未取代的环；所述X1选自O、S或N(Ry)中的任意一种；所述Ry选自氢、氘、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种；所述n选自0、1、2或3；当n大于1时，多个彼此相同或不同；所述E1、E2、E3独立的选自氢、取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的吡啶环中的任意一种；所述Z相同或不同的选自C或N；所述L1～L3相同或不同的选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基中的任意一种；所述R1、R2相同或不同的选自氢、氘、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种；所述a1选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11；所述a2选自0、1、2或3。2.根据权利要求1所述的一种包含杂环的化合物，其特征在于，所述包含杂环的化合物选自化学式1
‑
1～化学式1～6表示的结构中的任意一种，
所述R1选自氢、氘、氰基、卤素、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、金刚烷基、降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的噁唑基、取代或未取代的噻唑基、取代或未取代的咪唑基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃、取代或未取代的二苯并噻吩中的一种；所述a1选自0、1、2、3、4、5、6、7、8...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭建华，陆影，孙月，苗玉鹤，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：