一种用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚，包括坩埚本体，在坩埚本体上设有晶体生长槽和籽晶槽，籽晶槽与晶体生长槽连通，坩埚本体呈长方体结构，晶体生长槽和籽晶槽与所述坩埚本体外壁的距离不小于10mm，晶体生长槽整体由光滑的弧面构成，籽晶槽为长方体槽；通过设计晶体生长坩埚坩埚壁的厚度，解决生长过程中坩埚容易出现漏点和裂纹导致晶体生长失败的风险，还能使坩埚可以进行反复利用；并且通过坩埚晶体生长槽的设计解决坩埚晶体生长槽的折角处曲率半径小，导致此处晶体界面曲折率较大，容易引起晶体缺陷，如气泡、开裂、云层等问题，使用本实用新型专利技术晶体生长坩埚制备出来的晶体更为优质。制备出来的晶体更为优质。制备出来的晶体更为优质。

【技术实现步骤摘要】
一种用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚


[0001]本技术涉及结晶坩埚器具
，具体涉及一种用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚。

技术介绍

[0002]水平定向结晶法是一种常用的晶体生长方法，用于生长蓝宝石、稀土掺杂钇铝石榴石等晶体。此方法通过电阻加热，将坩埚中的原料熔化，再缓慢移动坩埚，使熔化的原料从籽晶处开始凝固并逐渐增大，从而达到生长晶体的目的。
[0003]水平定向结晶法生长晶体过程中一般使用舟型钼坩埚（参见附图1），坩埚的折角处曲率半径较小，导致此处晶体界面曲折率较大，容易引起晶体缺陷，如气泡、开裂、云层等。同时此种坩埚壁较薄，只能一次性使用，成本较高，在生长过程中也存在坩埚出现漏点和裂纹导致晶体生长失败的风险。
[0004]所以，对于上述问题，需要本领域技术人员进行解决。

技术实现思路

[0005]针对上述现有技术的不足，本技术所要解决的技术问题是提供一种用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚，以解决现有坩埚中折角处较为曲率半径较小，引起晶体缺陷，如气泡、开裂、云层等，且实现坩埚重复利用，进一步防止坩埚出现漏点本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚，包括坩埚本体，在坩埚本体上设有晶体生长槽和籽晶槽；所述籽晶槽与所述晶体生长槽连通；其特征在于，所述坩埚本体呈长方体结构，所述晶体生长槽和所述籽晶槽与所述坩埚本体外壁的距离不小于10mm；所述晶体生长槽整体由光滑的弧面构成；所述籽晶槽为长方体槽。2.根据权利要求1所述用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚，其特征在于，所述晶体生长槽为半椭球形结构；所述晶体生长槽长轴方向与所述坩埚本体长度方向平行。3.根据权利要求2所述用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚，其特征在于，所述籽晶槽与所述晶体生长槽椭球长轴方向连通。4.根据权利要求2所述用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚，其特征在于，所述晶体生长槽与所述坩埚本体上平面形成的椭圆形的长轴和短轴与所述坩埚本体上表面矩形长宽方向的中心线对应重合。5.根据权利要求1所述用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚，其特征在于，所述晶体生长槽和所述籽晶槽距所述坩...

【专利技术属性】
技术研发人员：田野，顾跃，丁雨憧，李和新，刘军，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十六研究所，
类型：新型
国别省市：