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本实用新型公开了一种用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚，包括坩埚本体，在坩埚本体上设有晶体生长槽和籽晶槽，籽晶槽与晶体生长槽连通，坩埚本体呈长方体结构，晶体生长槽和籽晶槽与所述坩埚本体外壁的距离不小于10mm，晶体生长槽整体由光滑的弧面构成，...
该专利属于中国电子科技集团公司第二十六研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二十六研究所授权不得商用。

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