一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉制造技术

本实用新型专利技术属于晶体生长应用技术领域，具体公开了一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，包括炉体、上保温屏、下保温屏、外保温屏、内保温屏、水冷坩埚杆、坩埚护套、坩埚、发热体、温度辅助调节部和若干个温度调节部。本实用新型专利技术的一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉的有益效果在于：其设计合理、工作状态稳定和安全，通过温度辅助调节部、若干个温度调节部，可针对不同的晶体生长需求做不同形状的设计，调节方式更加灵活，实现单个晶体炉生长不同晶体对温度梯度的不同需求，进而提高晶体产品品质，实用性强。实用性强。实用性强。

【技术实现步骤摘要】
一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉


[0001]本技术属于单晶生长应用
，具体涉及一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，特别适用于大尺寸低温氟化物单晶的生长。

技术介绍

[0002]现有的温度梯度法温场调节方式主要依靠加热器的热源供应，水冷坩埚杆的导热，底部保温内屏的升降，方法单一，针对不同的晶体温度梯度基本一致，难以实现一台晶体炉对不同晶体的生长需求，而这是当前所亟待解决的。
[0003]因此，基于上述问题，本技术提供一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉。

技术实现思路

[0004]技术目的：本技术的目的是提供一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，其设计合理、工作状态稳定和安全，通过温度辅助调节部、若干个温度调节部，可针对不同的晶体生长需求做不同形状的设计，调节方式更加灵活，实现单个晶体炉生长不同晶体对温度梯度的不同需求，进而提高晶体产品品质，实用性强。
[0005]技术方案：本技术提供的一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，包括炉体，及设置在炉体内且相配合使用的上保本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，其特征在于：包括炉体（1），及设置在炉体（1）内且相配合使用的上保温屏（3）、下保温屏（13）、外保温屏（2）和内保温屏（12），及设置在炉体（1）内且贯穿下保温屏（13）的水冷坩埚杆（8），及设置在水冷坩埚杆（8）上且相配合使用的坩埚护套（7）、坩埚（6），及设置在坩埚（6）、内保温屏（12）之间的发热体（4），及设置在坩埚（6）、发热体（4）之间的温度辅助调节部（10），及设置在温度辅助调节部（10）上的若干个温度调节部（11）。2.根据权利要求1所述的一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，其特征在于：所述温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，还包括贯穿上保温屏（3）且位于坩埚（6）内的顶部热偶（5）。3.根据权利要求1或2所述的一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹顿华，陈伟，董永军，华伟，潘国庆，
申请(专利权)人：南京光宝光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：