【技术实现步骤摘要】
用于氮化铝单晶生长、具有下加热补温功能的热场
[0001]本技术涉及热场，具体是一种用于氮化铝单晶生长、具有下加热补温功能的热场。
技术介绍
[0002]第三代半导体材料氮化铝是紫外LED的最佳衬底材料之一，并具有较高的击穿场强、较高的饱和电子漂移速率以及不错的导热、导电、抗辐射能力，在电子、医疗、通讯、探测等领域具有巨大的应用潜力。
[0003]为得到性能最佳的大尺寸氮化铝单晶，籽晶诱导作为目前常采用的有效方法，需要具有满足正向温度梯度的生长环境，否则会导致籽晶诱导生长氮化铝单晶失败，然而目前在国际上，可以满足籽晶诱导生长条件的设备较为昂贵，国内大多数相关配套热场温度场不稳定，得到的晶体存在尺寸较小、均匀性及一致性较差、裂纹缺陷较多的缺点。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种用于氮化铝单晶生长、具有下加热补温功能的热场，其结构简单，成本较低，热场满足了正向温度梯度场分布合理、可调节，可以得到性能较佳的大尺寸氮化铝单晶。
[0005]本技术的技术方案是：
[0006]用...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.用于氮化铝单晶生长、具有下加热补温功能的热场，包括炉体、布置在炉体内部的工作单元，所述炉体包括炉子本体、加盖在炉子本体上方的炉盖、布置于炉盖上表面的炉子吊耳，其特征在于：所述工作单元包括固定在炉子本体底部内表面上的环形隔热屏支撑架，所述环形隔热屏支撑架上布置有下隔热屏，所述下隔热屏的外周和上方扣设有侧隔热屏，所述侧隔热屏的上方扣设有上隔热屏，所述上隔热屏的顶面上布置有上保护支撑厚板，所述上保护支撑厚板的上表面对称布置有两个上吊耳，所述下隔热屏开设有上、下贯通的两个下加热口，所述下加热口内部均固定有下端连接有外部电源的钨柱电极，两个所述钨柱电极的上端均穿出上隔热屏并通过上、下布置的两个螺母夹持固定有一个板状下加热器，所述侧隔热屏和炉子本体的上部在同一高度上沿圆周方向均匀开设有三个侧加热口，每个所述侧加热口内部均布置有钨板电极，所述钨板电极的外周端穿出炉子本体均连接有电源、中心端均固定有弧形加热板，三个所述弧形加热板的底部通过环形件围绕成圆筒形成侧加热器，所述下隔热屏沿圆周方向上还均匀开设有三个活动口，所述活动口的内部均布置有活动支撑杆，三个所述活动支撑杆的上端布置盖设有坩埚盖的坩埚，所述坩埚可活动的布置在侧加热器的内部，三个所述活动支撑杆的下端通过活动把手连接成一体。2.根据权利要求1所述的用于氮化铝单晶生长、具有下加热补温功能的热场，其特征在于：所述下隔热屏包括十八层圆形下隔热板，圆形下隔热板均沿圆周方向上均匀对称开设有六个通孔，同一竖直方向的通孔内穿过有下固定螺杆，相邻两个圆形下隔热板之间均在下固定螺杆的外周套设有下隔环，下固定螺杆的下端固定于环形隔热屏支撑架的上表面，下固定螺杆的上端紧固有螺母，靠近坩埚的六层圆形下隔热板选用钨材质，远离坩埚的十二层圆形下隔热板选用钼材质，圆形下隔热板的厚度均为0.5mm，下隔环的厚度均为4mm。3.根据权利要求1所述的用于氮化铝单晶生长、具有下加热补温功能的热场，其特征在于：所述侧隔热屏的外周布置有侧保护支撑厚筒体，侧隔热屏包括十三层侧隔热筒体，侧保护支撑厚筒体和侧隔热筒体环向上均均匀对称开设有六组通孔，每组通孔为在同一竖直方向上布置的两个通孔，每组同一轴心线上的通孔内穿过有侧支撑螺杆，相邻两个侧隔热筒体之间均在...
【专利技术属性】
技术研发人员：佟辉，姜寰，
申请(专利权)人：沈阳中科汉达科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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