应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置制造方法及图纸

技术编号:31347103 阅读:42 留言:0更新日期:2021-12-13 08:50
本实用新型专利技术属于氟化镁单晶体应用技术领域,具体公开了应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置,包括炉体、石墨坩埚、侧部石墨保温罩、上部石墨保温罩、底部保温罩、发热体支撑板、水冷电极杆、水冷坩埚杆、石墨发热体、若干个通孔和若干个开槽。本实用新型专利技术的有益效果在于:其设计合理、工作状态稳定和安全,通过一体成型制得石墨发热体、若干个通孔、若干个开槽、石墨圆形带孔发热板、若干个辅助通孔和若干个横条形开槽结构,可针对不同的晶体生长需求做不同形状的设计,调节方式更加灵活,实现单个晶体炉生长不同晶体对温度梯度的不同需求,进而提高大尺寸氟化镁单晶体的产品品质,适用于大尺寸氟化镁单晶体的生产制备,实用性强。实用性强。实用性强。

【技术实现步骤摘要】
应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置


[0001]本技术属于氟化镁单晶体应用
,具体涉及应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置。

技术介绍

[0002]氟化镁单晶体的化学式为MgF2的晶体吗,属四方晶系,透光波段0.11
‑9µ
m的光学晶体材料吗,是优良的紫外、红外窗口材料,具有较宽的透过范围和高的透过率,有一定的双折射系数,可用于光纤通信领域和制作光学棱镜、透镜和窗口等光学元件,大尺寸紫外级氟化镁单晶广泛应用于激光、红外、紫外光学、高能探测、光通讯系统以及军工领域。
[0003]目前行业内一般采用坩埚下降法制取,通过电阻加热,熔化在坩埚内的混合原料,通过下种、缩颈和等径等操作,生长出一定方向的晶体;另外采用温度梯度法可定向生长氟化物单晶,传统的温梯法晶体炉生长单晶尺寸较小,采用钨钼保温罩成本较高,且晶体温度梯度基本一致,无法完成不同晶体的生长需求,而这是当前所亟待解决的。
[0004]因此,基于上述问题,本技术提供应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置。

技术实现思路

[0005]技术目的:本技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置,其特征在于:包括炉体(1),及设置在炉体(1)内的石墨坩埚(7),及设置在炉体(1)内且与石墨坩埚(7)相配合使用的侧部石墨保温罩(5)、上部石墨保温罩(13)和底部保温罩(3),及设置在侧部石墨保温罩(5)底部的发热体支撑板(10),及贯穿炉体(1)且与发热体支撑板(10)连接的水冷电极杆(1),及贯穿炉体(1)位于底部保温罩(3)内且与石墨坩埚(7)连接的水冷坩埚杆(2),及设置在发热体支撑板(10)上且位于侧部石墨保温罩(5)、石墨坩埚(7)之间的石墨发热体(6),其中,侧部石墨保温罩(5)设置在发热体支撑板(10)上,及设置在石墨发热体(6)内的若干个通孔(14)、若干个开槽(15),其中,若干个通孔(14)设置的密度为上密下疏、若干个开槽(15)设置为竖条形结构。2.根据权利要求1所述的应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置,其特征在于:所述若干个开槽(15)设置为上宽下窄或宽度一致结构。3.根据权利要求1或2所述的应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置,其特征在于:所述应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置,还包括设置在石墨发热体...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈伟华伟曹顿华董永军潘国庆
申请(专利权)人:南京光宝光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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