本实用新型专利技术属于氟化镁单晶体应用技术领域，具体公开了应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置，包括炉体、石墨坩埚、侧部石墨保温罩、上部石墨保温罩、底部保温罩、发热体支撑板、水冷电极杆、水冷坩埚杆、石墨发热体、若干个通孔和若干个开槽。本实用新型专利技术的有益效果在于：其设计合理、工作状态稳定和安全，通过一体成型制得石墨发热体、若干个通孔、若干个开槽、石墨圆形带孔发热板、若干个辅助通孔和若干个横条形开槽结构，可针对不同的晶体生长需求做不同形状的设计，调节方式更加灵活，实现单个晶体炉生长不同晶体对温度梯度的不同需求，进而提高大尺寸氟化镁单晶体的产品品质，适用于大尺寸氟化镁单晶体的生产制备，实用性强。实用性强。实用性强。
【技术实现步骤摘要】
应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置
[0001]本技术属于氟化镁单晶体应用
，具体涉及应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置。
技术介绍
[0002]氟化镁单晶体的化学式为MgF2的晶体吗，属四方晶系，透光波段0.11
‑9µ
m的光学晶体材料吗，是优良的紫外、红外窗口材料，具有较宽的透过范围和高的透过率，有一定的双折射系数，可用于光纤通信领域和制作光学棱镜、透镜和窗口等光学元件，大尺寸紫外级氟化镁单晶广泛应用于激光、红外、紫外光学、高能探测、光通讯系统以及军工领域。
[0003]目前行业内一般采用坩埚下降法制取，通过电阻加热，熔化在坩埚内的混合原料，通过下种、缩颈和等径等操作，生长出一定方向的晶体；另外采用温度梯度法可定向生长氟化物单晶，传统的温梯法晶体炉生长单晶尺寸较小，采用钨钼保温罩成本较高，且晶体温度梯度基本一致，无法完成不同晶体的生长需求，而这是当前所亟待解决的。
[0004]因此，基于上述问题，本技术提供应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置。
技术实现思路
[0005]技术目的：本技术的目的是提供应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置，其设计合理、工作状态稳定和安全，通过一体成型制得石墨发热体、若干个通孔、若干个开槽、石墨圆形带孔发热板、若干个辅助通孔和若干个横条形开槽结构，可针对不同的晶体生长需求做不同形状的设计，调节方式更加灵活，实现单个晶体炉生长不同晶体对温度梯度的不同需求，进而提高大尺寸氟化镁单晶体的产品品质，适用于大尺寸氟化镁单晶体的生产制备，实用性强。
[0006]技术方案：本技术提供的应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置，包括炉体，及设置在炉体内的石墨坩埚，及设置在炉体内且与石墨坩埚相配合使用的侧部石墨保温罩、上部石墨保温罩和底部保温罩，及设置在侧部石墨保温罩底部的发热体支撑板，及贯穿炉体且与发热体支撑板连接的水冷电极杆，及贯穿炉体位于底部保温罩内且与石墨坩埚连接的水冷坩埚杆，及设置在发热体支撑板上且位于侧部石墨保温罩、石墨坩埚之间的石墨发热体，其中，侧部石墨保温罩设置在发热体支撑板上，及设置在石墨发热体内的若干个通孔、若干个开槽，其中，若干个通孔设置的密度为上密下疏、若干个开槽设置为竖条形结构。
[0007]本技术方案的，所述若干个开槽设置为上宽下窄或宽度一致结构。
[0008]本技术方案的，所述应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置，还包括设置在石墨发热体上部端面的石墨圆形带孔发热板，及设置在石墨圆形带孔发热板内的若干个辅助通孔、若干个横条形开槽，其中，石墨发热体设置为若干个立式板状结构或圆形结构。
[0009]本技术方案的，所述若干个辅助通孔、若干个横条形开槽均匀设置在石墨圆形带孔发热板内，若干个辅助通孔的直径尺寸相同、若干个横条形开槽的长度尺寸、宽度尺寸均
相同。
[0010]本技术方案的，所述石墨发热体、若干个通孔、若干个开槽、石墨圆形带孔发热板、若干个辅助通孔和若干个横条形开槽一体成型制得。
[0011]本技术方案的，所述应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置，还包括依次一侧贯穿炉体上部、上部石墨保温罩的顶部热偶，其中，顶部热偶的一端位于石墨坩埚腔体内，及依次炉体侧壁、侧部石墨保温罩的测温仪。
[0012]与现有技术相比，本技术的应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置的有益效果在于：其设计合理、工作状态稳定和安全，通过一体成型制得石墨发热体、若干个通孔、若干个开槽、石墨圆形带孔发热板、若干个辅助通孔和若干个横条形开槽结构，可针对不同的晶体生长需求做不同形状的设计，调节方式更加灵活，实现单个晶体炉生长不同晶体对温度梯度的不同需求，进而提高大尺寸氟化镁单晶体的产品品质，适用于大尺寸氟化镁单晶体的生产制备，实用性强。
附图说明
[0013]图1是本技术的应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置的主视结构示意图；
[0014]图2是本技术的应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置的俯视部分结构示意图；
[0015]图3是本技术的应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置的石墨发热体、若干个通孔和若干个开槽的结构示意图；
[0016]图4是本技术的应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置的石墨发热体、若干个通孔和若干个开槽的另一实施例的结构示意图；
[0017]图5是本技术的应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置的石墨发热体、石墨圆形带孔发热板和发热体支撑板的主视结构示意图；
[0018]图6是本技术的应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置的石墨圆形带孔发热板、若干个辅助通孔、和若干个横条形开槽的俯视结构示意图。
具体实施方式
[0019]下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本技术。
[0020]如图1、图2、图3、图4、图5和图6所示的应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置，包括炉体1，及设置在炉体1内的石墨坩埚7，及设置在炉体1内且与石墨坩埚7相配合使用的侧部石墨保温罩5、上部石墨保温罩13和底部保温罩3，及设置在侧部石墨保温罩5底部的发热体支撑板10，及贯穿炉体1且与发热体支撑板10连接的水冷电极杆1，及贯穿炉体1位于底部保温罩3内且与石墨坩埚7连接的水冷坩埚杆2，及设置在发热体支撑板10上且位于侧部石墨保温罩5、石墨坩埚7之间的石墨发热体6，其中，侧部石墨保温罩5设置在发热体支撑板10（电极板）上，及设置在石墨发热体6内的若干个通孔14、若干个开槽15，其中，若干个通孔14设置的密度为上密下疏、若干个开槽15设置为竖条形结构。
[0021]进一步优选的，所述若干个开槽15设置为上宽下窄或宽度一致结构。
[0022]本结构的应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置，还包括设置在石墨发热体6
上部端面的石墨圆形带孔发热板16，及设置在石墨圆形带孔发热板16内的若干个辅助通孔17、若干个横条形开槽18，其中，石墨发热体6设置为若干个立式板状结构或圆形结构。
[0023]进一步优选的，所述若干个辅助通孔17、若干个横条形开槽18均匀设置在石墨圆形带孔发热板16内，若干个辅助通孔17的直径尺寸相同、若干个横条形开槽18的长度尺寸、宽度尺寸均相同；及所述石墨发热体6、若干个通孔14、若干个开槽15、石墨圆形带孔发热板16、若干个辅助通孔17和若干个横条形开槽18一体成型制得。
[0024]本结构的应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置，还包括依次一侧贯穿炉体1上部、上部石墨保温罩13的顶部热偶11，其中，顶部热偶11的一端位于石墨坩埚7腔体内，及依次炉体1侧壁、侧部石墨保温罩5的测温仪12。
[0025]本结构的应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置，其设计合理、工作状态稳定和安全，通过一体成型制得石墨发热体、若干个通孔、若干个开槽、石墨圆形带孔发热板、若干个辅助通孔和若干个横条形开槽结构，可针对不同的晶体生长需求做不同形状的设计，调节方式更加灵活，实现单个晶体炉生长本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置，其特征在于：包括炉体（1），及设置在炉体（1）内的石墨坩埚（7），及设置在炉体（1）内且与石墨坩埚（7）相配合使用的侧部石墨保温罩（5）、上部石墨保温罩（13）和底部保温罩（3），及设置在侧部石墨保温罩（5）底部的发热体支撑板（10），及贯穿炉体（1）且与发热体支撑板（10）连接的水冷电极杆（1），及贯穿炉体（1）位于底部保温罩（3）内且与石墨坩埚（7）连接的水冷坩埚杆（2），及设置在发热体支撑板（10）上且位于侧部石墨保温罩（5）、石墨坩埚（7）之间的石墨发热体（6），其中，侧部石墨保温罩（5）设置在发热体支撑板（10）上，及设置在石墨发热体（6）内的若干个通孔（14）、若干个开槽（15），其中，若干个通孔（14）设置的密度为上密下疏、若干个开槽（15）设置为竖条形结构。2.根据权利要求1所述的应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置，其特征在于：所述若干个开槽（15）设置为上宽下窄或宽度一致结构。3.根据权利要求1或2所述的应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置，其特征在于：所述应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置，还包括设置在石墨发热体...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，华伟，曹顿华，董永军，潘国庆，
申请(专利权)人：南京光宝光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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