【技术实现步骤摘要】
应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置
[0001]本技术属于氟化镁单晶体应用
,具体涉及应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置。
技术介绍
[0002]氟化镁单晶体的化学式为MgF2的晶体吗,属四方晶系,透光波段0.11
‑9µ
m的光学晶体材料吗,是优良的紫外、红外窗口材料,具有较宽的透过范围和高的透过率,有一定的双折射系数,可用于光纤通信领域和制作光学棱镜、透镜和窗口等光学元件,大尺寸紫外级氟化镁单晶广泛应用于激光、红外、紫外光学、高能探测、光通讯系统以及军工领域。
[0003]目前行业内一般采用坩埚下降法制取,通过电阻加热,熔化在坩埚内的混合原料,通过下种、缩颈和等径等操作,生长出一定方向的晶体;另外采用温度梯度法可定向生长氟化物单晶,传统的温梯法晶体炉生长单晶尺寸较小,采用钨钼保温罩成本较高,且晶体温度梯度基本一致,无法完成不同晶体的生长需求,而这是当前所亟待解决的。
[0004]因此,基于上述问题,本技术提供应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置。
技术实现思路
[00 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置,其特征在于:包括炉体(1),及设置在炉体(1)内的石墨坩埚(7),及设置在炉体(1)内且与石墨坩埚(7)相配合使用的侧部石墨保温罩(5)、上部石墨保温罩(13)和底部保温罩(3),及设置在侧部石墨保温罩(5)底部的发热体支撑板(10),及贯穿炉体(1)且与发热体支撑板(10)连接的水冷电极杆(1),及贯穿炉体(1)位于底部保温罩(3)内且与石墨坩埚(7)连接的水冷坩埚杆(2),及设置在发热体支撑板(10)上且位于侧部石墨保温罩(5)、石墨坩埚(7)之间的石墨发热体(6),其中,侧部石墨保温罩(5)设置在发热体支撑板(10)上,及设置在石墨发热体(6)内的若干个通孔(14)、若干个开槽(15),其中,若干个通孔(14)设置的密度为上密下疏、若干个开槽(15)设置为竖条形结构。2.根据权利要求1所述的应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置,其特征在于:所述若干个开槽(15)设置为上宽下窄或宽度一致结构。3.根据权利要求1或2所述的应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置,其特征在于:所述应用于大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置,还包括设置在石墨发热体...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈伟,华伟,曹顿华,董永军,潘国庆,
申请(专利权)人:南京光宝光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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