【技术实现步骤摘要】
本专利技术与除去附着于离子束注入机内表面的污物有关,具体地说,与用离子束除去注入机内污物的方法有关。离子束注入机被用于给硅片注入或“搀入”杂质,以得到n型或p型非本征物质。这种n型或p型非本征物质被用于半导体集成电路的制作。恰如其名称所暗示,离子束注入机将选定种类的离子掺入硅片内,得到所需的非本征材料。注入自诸如锑、砷或磷等源物质产生的离子,可得n型非本征材料。若需p型非本征材料片,则注入自诸如硼、镓或铟等源物质产生的离子。离子束注入机包括一个离子源,用以从可电离的源物质产生正的荷电离子。所得离子行成一束,并沿预定的射束路径被加速,到达注入位置。离子束注入机包括在离子源与注入位置之间所提供的离子束形成及成形机构。该离子束形成及成形机构保持所述离子束并限定一个细长的内腔或区域,离子束途经此腔或此区,到达注入位置。当进行注入操作时,必须将此区抽真空,以减少离子与分子碰撞而导致离子偏离预定之射束路径的几率。近来已提出将离子束注入用于制作平板显示器。平板显示器常被用于便携式个入计算机。这种计算机的显示器没有用来显示文本及图表的阴极射线管。代之以用非晶硅所覆盖的玻璃基板再覆以一电极阵列,用以激活显示器的分立的图象元(象素)。制作时,给玻璃覆上构成图样的光刻胶,再插入注入室,于是自源来的离子束即可处理该平板显示器。离子注入的这种应用需要较大截面的离子束,以注入所述平板显示器的整个宽度。对现有的大电流的离子注入机,将处在注入位置的芯片装在旋转支承物的表面上。随着支承物的旋转,所述芯片穿过离子束。沿射束路径飞行的离子与旋转着的芯片碰撞并被注入其中。一个自动臂从芯片盒 ...
【技术保护点】
一种用于除去附在离子束注入机(10)内表面上污物的方法,所述注入机包括一个离子源(12),用于从源物质放出离子,并使离子形成离子束(14),所述离子束沿一轨迹飞过束射路径,通过一抽真空区到达一离子注入室(17);所述方法的特征在于,包括以下步骤: a)调整所述离子束(14)的轨迹,使离子束撞击与所述抽真空区保持联系的注入机内表面,从该内表面除去污物;和 b)自所述注入机的抽真空区取走已除掉的污物。
【技术特征摘要】
US 1995-7-17 5032991.一种用于除去附在离子束注入机(10)内表面上污物的方法,所述注入机包括一个离子源(12),用于从源物质放出离子,并使离子形成离子束(14),所述离子束沿一轨迹飞过束射路径,通过一抽真空区到达一离子注入室(17);所述方法的特征在于,包括以下步骤a)调整所述离子束(14)的轨迹,使离子束撞击与所述抽真空区保持联系的注入机内表面,从该内表面除去污物;和b)自所述注入机的抽真空区取走已除掉的污物。2.一种如权利要求1所述的除去污物的方法,其特征在于,所述注入机包括一个产生磁场的质量分析磁铁(22),离子束通过该磁场,其中的调整步骤包括当离子束通过所述磁场时,变换离子束的方向,使其指向撞击所述注入机的内表面。3.一种如权利要求1所述的除去污物的方法,其特征在于,所述注入机包括一组围绕所述离子束入射路径的一部分设置的电极(24),通过可调节地给至少一个电极供能实现所述调整步骤,当离子束通过这些电极时,变换离子束的方向,引起离子束撞击所述离子束注入机的内表面。4.一种如权利要求1所述的除去污物的方法,其特征在于,所述污物包括硼的同位素,所述源物质包括氧气和氢气中的至少一种。5.一种如权利要求1所述的除去污物的方法,其特征在于,所述污物包括光刻胶材料,所述源物质包括氟气。6.一种如权利要求1所述的除去污物的方法,其特征在于,所述离子束注入机包括一个离子束中和装置(44);所述束射路径通过该装置,为引起离子束扩张而选择性地激励它,并为产生电子发射,以中和所述离子束而选择性地启动它,其中通过把离子束引向撞击内表面,引起离子束扩张,实现调整步骤。7.一种如权利要求2所述的除去污物的方法,其特征在于,还包括调节所述质量分析磁铁(22)而使离子束撞击所述内表面的步骤,其中所述调节步骤包括按一种选定的重复方式,调节质量分析磁铁以使离子束重复扫过待清洁的内表面区。8.一种如权利要求3所述的除去污物的方法,其特征在于,还包括调整电极组(24)中至少一个电极的供能程度,使离子束转向撞击所述内表面的步骤,其中所述调整所述程度的步骤包括按一种选定的重复方式改变至少一个电极的供能程度,以使离子束重复扫过待清洁的内表面区。9.一种如权利要求1所述的除去污物的方法,其特征在于,当污物脱落时,自源物质放出的离子与所述污物化学地结合。10.一种如权利要求1所述的除去污物的方法,其特征在于,所述使离子束定向撞击内表面的步骤包括增大离子束的扩张程度,以增大被离子束轰击的面积。11.一种除去附在离子束注入机内表面上污物的设备(10),它包括;a)自源物质放出离子并使离子形成离子束(14)的装置(12、24),所述离子束沿一轨迹飞过束射路径,通过一抽真空区到达一离子注入室(17);b)调整离子束轨迹的装置(22、44),使所述离子束撞击与所述抽真空区联接的注入机内表面,从该内表面除去污物;c)自所述注入机的抽真空区取走已除掉的污物的装置(21)。12.一种如权利要求11所述的除去污物的设备,其特征在于,所述离子束注入机包括一个产生磁场的质量分析磁铁(22),离子束通过该磁场,其中的调整装置包括当离子束通过所述磁场时,变换离子束的方向,使其撞击所述注入机的内表面的装置(11)。13.一种如权利要求11所述的除去污物的设备,其特征在于,所述离子束注入机包括一组围绕所述离子束射路径的一部分设置的电极(24),其中用于调整所述装置的装置通过可调节地给至少一个电极供能,当离子束通过这些电极时,变换离子束的方向,引起离子束撞击所述离子束注入机的内表面。14.一种如权利要求11所...
【专利技术属性】
技术研发人员:JG布莱克,
申请(专利权)人:艾克塞利斯技术公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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