具有会聚校正装置的彩色阴极射线管制造方法及图纸

一种利用自会聚方法的彩色阴极射线管具有用于校正顶端／底端枕形畸变的磁铁，并且包括一个垂直偏转线圈和一个四极线圈。垂直偏转线圈产生桶形畸变的第一校正场。四极线圈被布置在偏转线圈的更靠近电子枪的一边，并且通过产生第二校正场来校正ＹＨ桶形畸变。第二校正场的强度依据作用在由电子枪发射的电子束上的垂直偏转量而变化。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本申请基于在日本受理的第11-281322号申请，其内容在此引作参考。本专利技术涉及一种用在电视机、计算机显示器等设备中的彩色阴极射线管，尤其是涉及一种用于在彩色阴极射线管(以下称为CRT)中校正会聚的装置，该装置利用磁铁校正光栅畸变。用来在使用一字型电子枪的彩色CRT中校正会聚的一种方法是自会聚方法。这种方法校正包括水平偏转场的枕形畸变和垂直偏转场的桶形畸变在内的会聚。自会聚方法能够制造出有简单的结构和极好的性能价格比的设备，因此得到普遍使用。在利用自会聚方法的常规彩色CRT中，例如具有90°偏转角度和大的屏幕曲率的的彩色CRT，垂直偏转场经历桶形畸变，因此导致垂直偏转场的水平分量(以下称为“Bh”)在靠近CRT的左右边缘处变大。附附图说明图1A是一个沿着CRT的水平轴H绘制的Bh的曲线。如果沿着CRT水平方向的中心点被取为原点O，则显示Bh的线1是关于原点O对称的，并且它离开原点O越远越陡峭地向上倾斜。依据Fleming定律，随着Bh变大，作用于电子束上的垂直偏转力将增大。因此，在利用自会聚方法的彩色CRT中，更靠近垂直轴V通过的电子束将受到一个较弱的垂直偏转，而更远离垂直轴V通过的电子束将受到一个较强的垂直偏转。当使用一字型电子枪时，对应于三原色(红、绿和蓝)的三个电子束被水平地排列，所以，如果我们忽略三个电子束的中心束与垂直轴V重合的情况，则在作用于垂直轴V任何一侧的电子束上的垂直偏转力中，将有一些变化。附图1B显示出分别由红、绿和蓝电子束R、G和B受到的垂直偏转力Fr、Fg和Fb。当从屏幕前观看时，由一字型电子枪发射的电子束通常从左到右被排列成B、G和R的次序。在本说明书中，假定所有电子束都被排列成这种次序。当电子束G与垂直轴V重合时，换句话说，当它被定位成对应于水平轴H的原点O时，垂直偏转力Fr和Fb是相等的，而垂直偏转力Fg小于两个垂直偏转力Fr和Fb。然而，当电子束R离原点O比电子束B更远时，电子束受到的垂直偏转力是Fb＜Fg＜Fr。相反地，当电子束B离原点O比电子束R更远时，受到的垂直偏转力是Fb＞Fg＞Fr。结果，当水平的洋红线被显示在屏幕的顶端和底端边缘时，引起了如附图2中所示的失会聚。这里，在显示屏2上的每一条洋红线中，红色分量R(在图中的实线)和蓝色分量B(在图中的虚线)垂直地向屏幕的角落发散。因为当垂直偏转量达到最大时Bh是最大的，所以这种失会聚在屏幕的角落部位尤其显著。这种类型的失会聚以下被称为PQV枕形失会聚。日本专利特开8-98193公开了一种通过削弱垂直偏转场的桶形畸变校正PQV枕形失会聚的彩色CRT。附图3A是在垂直偏转场的桶形畸变被削弱之前和之后沿着水平轴H绘制的Bh值的曲线。作为削弱桶形畸变的结果，Bh变化从图中的线1改变到线3。从而，如附图3B中所示，减少了Bh沿着水平线的变化，而且校正了PQV枕形失会聚。如果垂直偏转场的的桶形畸变被削弱，这又会削弱CRT利用自会聚方法校正失会聚的能力。这里，如果一条洋红线沿着显示屏2的中心被竖直地显示，将产生如附图4所示的失会聚。这种失会聚以下被称为YH枕形失会聚。在相关技术中公开的彩色CRT利用一个四极线圈校正这种类型的失会聚。图5是从屏幕前面观看得到的这种四极线圈的视图。这里，一个四极线圈4包括线圈5和8以及U形磁心6和7。U形磁心6和7被相对布置在偏转线圈的更靠近电子枪一边，以便于电子束通过两个磁心6和7之间。当一个垂直偏转电流在被二极管整流之后通过线圈5和8时，力被施加到从电子枪的左右两侧发射的电子束B和R上，推动它们远离垂直轴V，因此校正了YH枕形失会聚。在近几年，具有纯平屏幕和大偏转角度的CRT已经变得越来越平常。在这样的CRT中，对于屏幕表面上每一点，电子束在从电子枪发射出来之后移动到达屏幕的距离都显著地变化。这样导致增大的光栅畸变。对于这种光栅畸变，它是在由电子束扫描的光栅区域的顶端和底端边缘向内弯曲时产生的，被称为顶端/底端枕形畸变，并且通常是通过将磁铁安装到偏转线圈上校正的。图6是从显示屏前面观看得到的已经安装上磁铁的偏转线圈的视图。磁铁10和13被安装在一个偏转线圈9的绝缘框架的前表面的顶端和底端，并且一个水平偏转线圈12被安装在绝缘框架11的内表面。当从显示屏前面观看时，磁铁10和13被布置成磁铁10的北极在右边而南极在左边，而磁铁13的南极在右边而北极在左边。图7显示出由磁铁10和13产生的磁通量。如果磁铁10和13以这种方式被布置，依据Fleming定律，作用在电子束上的力F如图7中所示，由此校正顶端/底端枕形畸变。然而，由磁铁10和13产生的磁场的水平分量Mh在远离磁铁的点上变弱。图8A是沿着水平轴H绘制的Mh的曲线。如果在水平轴H的中心点被取为原点O，显示分量Mh的线14是相对于原点对称的，随着它远离原点移动时会变小并且更陡峭地向下倾斜。图8B显示出电子束R、G和B受到的力Fr、Fg和Fb。当电子束G与垂直轴V重合时，换句话说，当它被定位成对应于水平轴H的原点O时，垂直偏转力Fg和Fb是相等的，并且垂直偏转力Fg比垂直偏转力Fr和Fb两者都大。然而，当电子束R比电子束B离原点O更远时，电子束受到的垂直偏转力是Fb＞Fg＞Fr。相反地，当电子束B比电子束R离原点O更远时，受到的垂直偏转力是Fb＜Fg＜Fr。结果，当洋红线被水平地显示时，引起了如图9所示的失会聚。在这种类型的失会聚中，洋红线的红色分量R(实线)和蓝色分量B(虚线)彼此发散远离。这被称为PQV桶形失会聚。尽管由磁铁10和13产生的磁场削弱了垂直偏转场的桶形畸变，但这又会导致YH枕形失会聚恶化。这种失会聚是如此严重，以至于利用如在相关技术中的四极线圈校正它增加了PQH红色右侧图形失会聚。图10显示出PQH红色右侧图形失会聚。在这种类型的失会聚中，当两条洋红线在显示屏幕的左边和右边竖直地被显示的时候，如图中所示，洋红线的红色分量R(实线)转向右侧而蓝色分量(虚线)转向左侧。分量R和B倾向于向着显示屏的角落显著地发散。在图中可看到，D1是红色分量R和蓝色分量B分开最远的距离，并且PQH红色右侧图形失会聚的严重性可用这个距离D1来表示。本专利技术的一个目的是提供一种在近几年中已经变得流行的、有纯平屏幕和大偏转角度的类型的彩色CRT，尤其是提供一种具有优异的图象质量的彩色CRT，这种彩色CRT通过利用磁铁校正光栅区域的顶端和底端的枕形畸变来校正会聚。为达到上述目的，本专利技术的彩色CRT有以下结构。一种彩色阴极射线管(CRT)使用自会聚方法，它具有用于校正顶端/底端枕形畸变的磁铁，并且包括下列部件。一个垂直偏转线圈产生桶形畸变的第一校正场。一个四极线圈被布置在一个偏转线圈的更靠近电子枪的一侧，并且产生第二校正场校正YH桶形失会聚。这里，第二校正场的强度依据作用在由电子枪发射的电子束上的垂直偏转量而变化。如果使用了上述结构，由磁铁产生的PQV桶形失会聚能被校正。不能在相关技术中校正的YH枕形失会聚被过度校正到YH桶形失会聚，然后这种失会聚能用四极线圈校正。同时，当垂直偏转场桶形畸变时产生的PQH红色右侧图形失会聚也能被校正。为了使垂直偏转场畸变成桶形，可以使用下列结构。垂直偏转线圈包括串联连接的第一线圈部分和第二线圈部分。第一线圈部分中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用自会聚方法并且具有用于校正顶端／底端枕形畸变的磁铁的彩色阴极射线管（ＣＲＴ），该ＣＲＴ包括：一个用于产生桶形畸变的第一校正场的垂直偏转线圈，和一个四极线圈，它被布置在偏转线圈的更靠近电子枪的一边，用于产生第二校正场来校正ＹＨ桶形畸变，第二校正场的强度依据作用于由电子枪发射的电子束上的垂直偏转量而变化。

【技术特征摘要】
JP 1999-10-1 281322/991.一种使用自会聚方法并且具有用于校正顶端/底端枕形畸变的磁铁的彩色阴极射线管(CRT)，该CRT包括一个用于产生桶形畸变的第一校正场的垂直偏转线圈，和一个四极线圈，它被布置在偏转线圈的更靠近电子枪的一边，用于产生第二校正场来校正YH桶形畸变，第二校正场的强度依据作用于由电子枪发射的电子束上的垂直偏转量而变化。2.根据权利要求书1的CRT，其中垂直偏转线圈包括串联连接的第一线圈部分和第二线圈部分，第一线圈部分的线圈截面的绕线角度大于第二线圈部分中的线圈截面的绕线角度，第一和第二线圈部分被各自并联连接到第一和第二阻抗元件，并且通过使第二阻抗元件的阻抗大于第一阻抗元件的阻抗，第一校正场畸变成桶形。3.根据权利要求书1的CRT，其中垂直偏转线圈包括串联连接的第一线圈部分和第二线圈部分，第一线圈部分的线圈截面的绕线角度大于第二线圈部分中的线圈截面的绕线角度，并且通过使第二线圈部分中的匝数多于第一线圈部分中的匝数，第一校正场畸变成桶形。4.根据权利要求书1的CRT，其中三个水平排列的电子束由电子枪发射，第二校正场由一个四极线圈产生，以便给三个水平排列的电子束的每一个外部电子束作用一个向内的水平力，当作用到电子束上的垂直偏转量达到最大值时，作用到电子束上的第二校正场的强度达到最大值，并且当电子束经历的垂直偏转量是零时，此强度达到最小值。5.根据权利要求书4的CRT，其中四极线圈通过外部电路被连接到垂直偏转线圈，外部电路包括(1)一个串联电路，其中两个电阻器串联连接，(2)两个二极管，每一个都有一个阴极分别地连接到串联电路的任一端，和(3)两个可变电阻器，每一个在一端分别被连接到两个二极管中的一个的阳极上，在另一端连接到四极线圈的一端上，四极线圈的另一端被连接到在串联电路中两个电阻器的连接节点上，并且串联电路被串联连接到垂直偏转线圈上。6.根据权利要求书5的CRT，其中四极线圈包括两个串联连接的线圈，两个线圈的每一个都被缠绕在两个U形磁心中的一个上，U形磁心被设置成对应端极性相反，电子束通过相对的U形磁心中间。7.根据权利要求书1的CRT，还包括一个彗形象差校正线圈，它被布置在偏转线圈的更靠近电子枪的一边，用于产生第三校正场来校正垂直彗形象差残留(VCR)失会聚，其中第三校正场的强度依据作用在电子束上的垂直偏转量而变化。8.根据权利要求书7的CRT，其中通过第三校正场作用在电子束上的力作用在与垂直偏转相同的方向上，作用在外部电子束上的力是等强度的，而作用在中心电子束上的力比作用在外部电子束上的力更大，并且当作用在电子束上的垂直偏转量达到最大时，作用在电子束上的第三偏转场的强度达到最大值，并且当电子束经历的垂直偏转量是零...

【专利技术属性】
技术研发人员：田上悦司，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]