彩色阴极射线管装置制造方法及图纸

本发明专利技术的彩色阴极射线管的电子枪构件发射实际上具有在水平方向伸长的横长截面形状的至少一束电子束，同时实际上以非会聚状态面向荧光屏中心部分发射三束电子束。偏转装置具有产生使横长截面的电子束在水平方向比在垂直方向要强聚焦的四极磁场分量的辅助磁场发生装置。该辅助磁场发生装置配置在配置有水平偏转线圈的沿管轴方向的规定区域内。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电视机及监视器等使用的彩色阴极射线管装置，特别涉及使电子束大角度偏转的彩色阴极射线管装置。
技术介绍
现在广泛采用所谓自会聚一字型彩色阴极射线管装置。该阴极射线管装置具有发射一字排列配置的三束电子束的一字型电子枪构件及产生枕型水平偏转磁场及桶型垂直偏转磁场的偏转装置，所述三束电子束由通过同一水平面上的中束及一对边束构成。该阴极射线管装置是将所述电子枪构件及偏转装置组合起来，不需要特别的校正手段，在整个屏幕范围内使三束电子束会聚。在这样的自会聚一字型彩色阴极射线管装置中，一般电子枪构件以规定的角度发射边束，使三束电子束会聚于屏幕中心。在屏蔽中心的三束电子束会聚状态，是利用彩色阴极射线管管颈部分设置的环状磁性体构成的色纯会聚磁性体(PCM)进行调整。以往为了提高三束电子束的会聚特性，提出了偏转装置设置各种校正线圈的方案。例如日本特开平9-265922号公报揭示，为了校正三束电子束的会聚状态，在偏转线圈的电子枪构件一侧安装产生四极磁场的校正线圈。另外，日本特开平10-112272号公报揭示，为了同样的目的，在偏转装置的磁心上卷绕校正线圈。再有，为了校正电子束的偏转失真(偏转散焦)，日本特开昭51一85630号公报揭示，使动会聚校正用的磁场不是形成枕形，而是形成桶型。但是，现在普及的大屏幕彩色阴极射线管装置，随着其屏幕尺寸的扩大，其纵深也增加。这是因为，在维持电子束最大偏转角为一定的状态下，扩大屏幕尺寸时，为了使电子束在整个大屏幕范围内偏转，必须使偏转基准点远离屏幕。然而与上不同的是，近年来对于阴极射线管装置，越来越希望大屏幕而且纵深要小。阴极射线管装置为了实现大屏幕而且纵深小，最有效的方法是扩大偏转角。但是，扩大偏转角将使屏幕周边的图像质量显著恶化，或者引起所需要的动态聚焦电压上升。在该屏蔽周边的图像质量恶化，是由于电子束的偏转失真即横向压扁随偏转角扩大而增加。即偏转装置为了使三束电子束在屏幕周边也会聚，产生由桶形垂直偏转磁场及枕型水平偏转磁场构成的非均匀磁场。这样的非均匀磁场对于电子束的形状也产生影响。特别成为问题的是由于水平偏转磁场产生的偏转失真。下面参照图6A及图6B说明水平偏转磁场对电子束的影响。在该图中，假设是使电子束面向屏幕向右偏转。如图6A所示，枕型水平偏转磁场由于其磁场形状的作用，产生在电子束的上下压扁电子束那样的力，另外在电子束的左右产生扩展的力。电子束的偏转角越大，即越指向屏幕的水平方向端部，上述这些力越大。结果，在屏幕的水平方向端部，束斑如图6B所示，变成横长形状。为此产生的问题是，即使屏幕中心的束斑为圆形，但由于水平偏转磁场作用，在水平方向偏转后的屏幕水平方向端部的束斑变成横长形状，使屏蔽的清晰度恶化。另外，该横向压扁还存在的问题是，促使在屏蔽周边产生莫尔条纹。偏转角越大，则必须使水平偏转磁场即枕型磁场越强。因此，该横向压扁随着偏转角增大而越发增加。若扩大偏转角，则电子束到达屏幕中心与屏幕周边的路径长度差扩大。路径长度差扩大将导致由于水平偏转磁场作用而使电子束向垂直方向的过聚焦。因此，屏幕中心及周边所要求的电子枪构件适当倍率之差将扩大。因而，将电子束聚焦于屏幕中心的情况与将电子束聚焦于屏幕周边的情况这两种情况下动态聚焦电压之差增大。即若想要在屏幕中心具有允许的聚焦特性，同时又在屏幕周边保持聚焦，则将电子束聚焦在屏幕周边时，必须使动态聚焦电压上升。如果是通常的偏转角(110°左右)，则为了分别将电子束以最佳的状态聚焦在屏幕中心及屏蔽水平方向端部，动态聚焦电压之差约为1kV左右。与此不同的是，在偏转角增加(120°左右)时，动态聚焦电压之差高达数倍，约为数kV。该动态聚焦电压的上升，对于电视机及监视器电路，则负载增加。再有，若动态聚焦电压过高，则作为阴极射线管装置本身，也存在耐压方面的问题。即动态聚焦电压与其上升分量即动态分量一起都由管颈端部设置的芯柱管脚供给。在该芯柱管脚上加上控制阴极射线管装置用的阴极电压、热丝电压及聚焦电压等各种电压。若动态聚焦电压过高，则用芯柱管脚供给电压时，芯柱管脚间的电压差增大，则存在超过芯柱管脚间耐压极限的危险。再有，一般情况下，为了使三束电子束在屏幕周边会聚，在构成主透镜部分的相对电极之间，采用使边束通过孔的中心轴错开等方法，在电子枪构件内使边束轨迹改变，边束以规定角度从电子枪构件射出。因此，若动态聚焦电压之差增大，则边束的横向压扁失真增大，与中束的形状差别不能忽略。这样，若想要得到大角度偏转的彩色阴极射线管装置，则存在的问题是，由于偏转装置的非均匀偏转磁场导致电子束横向压扁，清晰度恶化，另外由于动态聚焦电压的上升，导致耐压方面存在问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述有关问题而提出的，其目的在于提供能够实现电子束大偏转角、同时能够实现高清晰度的彩色阴极射线管装置。根据本专利技术形态的彩色阴极射线管装置，具有阴极射线管装置及偏转装置，所述阴极射线管装置具有发射一字排列配置的三束电子束的电子枪构件及利用所述电子枪构件发射的电子束碰撞而发光的荧光屏，所述偏转装置具有产生使所述电子束在水平方向偏转的水平偏转磁场的水平偏转线圈及产生使所述电子束在垂直方向偏转的垂直偏转磁场的垂直偏转线圈，其特征在于，所述电子枪构件发射实际上具有在水平方向伸长的横长截面形状的至少一束电子束，同时实际上以非会聚状态面向所述荧光屏的中心部分发射三束电子束，所述偏转装置具有产生使横长截面的电子束在水平方向比在垂直方向要强聚焦的四极磁场分量的辅助磁场发生装置，所述辅助磁场发生装置配置在配置有所述水平偏转线圈的沿管轴方向的规定区域内。本专利技术的附加目的及作用效果将在下面的说明中阐明。其一部分在下面的描述中是显而易见的，或者通过实施本专利技术可以获知。本专利技术的目的及作用效果通过下面特别指出的装置及其结合可以实现和获得。附图说明附图构成说明书的一部分，图示说明本专利技术的最佳实施例，与上述的总体描述及下面对最佳实施例的详细描述一起，用于说明本专利技术的原理。图1所示为本专利技术一实施形态的彩色阴极射线管装置的简要构造图。图2所示为图1所示的阴极射线管装置采用的偏转装置的简要构造图。图3所示为从玻屏一侧来看的水平偏转磁场。图4所示为从玻屏一侧来看的垂直偏转磁场。图5所示为从玻屏一侧来看辅助磁场发生装置产生的四极磁场分量的状态。图6A所示为从玻屏一侧来看由于水平偏转磁场作用而使电子束受力的状态，图6B所示为因图6A的力而变形的电子束形状。图7A所示为从玻屏一侧来看由于四极磁场分量作用而使电子束受力的状态，图7B所示为受到水平偏转磁场及四极磁场分量这两个磁场的力的电子束形状。图8所示为用于说明辅助磁场发生装置产生的四极磁场分量引起的三束电子束会聚作用的从玻屏一侧来看的状态。图9所示为三束电子束的轨迹示意图。图10所示为图1所示阴极射线管装置采用的电子枪构件简要构成图。图11所示为本专利技术其它实施形态的彩色阴极射线管装置采用的偏转装置垂直剖面简要构成图。图12所示为从玻屏一侧来看图11所示偏转装置的简要构成图。图13A及图13B为说明电子枪构件的主透镜、辅助磁场发生装置及偏转装置的配置位置和透镜主面位置的关系用的光学透镜模型图。具体实施例方式下面参照附图说明本专利技术一实施形态的彩色阴极射线管装置。如图1所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种彩色阴极射线管装置，具有阴极射线管及偏转装置，所述阴极射线管装置具有发射一字排列配置的三束电子束的电子枪构件及利用所述电子枪构件发射的电子束碰撞而发光的荧光屏，所述偏转装置具有产生使所述电子束在水平方向偏转的水平偏转磁场的水平偏 转线圈及产生使所述电子束在垂直方向偏转的垂直偏转磁场的垂直偏转线圈，其特征在于，所述电子枪构件发射实际上具有在水平方向伸长的横长截面形状的至少一束电子束，同时实际上以非会聚状态面向所述荧光屏的中心部分发射三束电子束，所述偏转装置具有 产生使横长截面的电子束在水平方向比在垂直方向要强聚焦的四极磁场分量的辅助磁场发生装置，所述辅助磁场发生装置配置在配置有所述水平偏转线圈的沿管轴方向的规定区域内。

【技术特征摘要】
JP 2000-12-27 398865/001.一种彩色阴极射线管装置，具有阴极射线管及偏转装置，所述阴极射线管装置具有发射一字排列配置的三束电子束的电子枪构件及利用所述电子枪构件发射的电子束碰撞而发光的荧光屏，所述偏转装置具有产生使所述电子束在水平方向偏转的水平偏转磁场的水平偏转线圈及产生使所述电子束在垂直方向偏转的垂直偏转磁场的垂直偏转线圈，其特征在于，所述电子枪构件发射实际上具有在水平方向伸长的横长截面形状的至少一束电子束，同时实际上以非会聚状态面向所述荧光屏的中心部分发射三束电子束，所述偏转装置具有产生使横长截面的电子束在水平方向比在垂直方向要强聚焦的四极磁场分量的辅助磁场发生装置，所述辅助磁场发生装置配置在配置有所述水平偏转线圈的沿管轴方向的规定区域内。2.如权利要求1所述的彩色阴极射线管装置，其特征在于，所述辅...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥亨，井上雅及，福田久美雄，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]