一种基于各向异性二维材料的偏振光探测器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基于各向异性二维材料的偏振光探测器及其制备方法，该偏振光探测器以第一导电类型的二维纳米片沟道层结合第二导电类型的具有各向异性的二维纳米片偏振光敏化半导体层搭建异质结结构，设置第一电极和第二电极分别位于偏振光敏化半导体层的两端侧与纳米片沟道层的表面接触，不与偏振光敏化半导体层接触，实现了可见光至红外波长范围内低噪声、高灵敏的近红外探测；另外其沟道层和偏振光敏化半导体层采用机械剥离法获得，并采用PVA/PDMS辅助干法转移技术将其两层层叠获得器件结构，该制备过程简单，技术成熟，设备易得，成本低廉，非常有利于商业化推广。非常有利于商业化推广。非常有利于商业化推广。

【技术实现步骤摘要】
一种基于各向异性二维材料的偏振光探测器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及偏振光探测
，尤其涉及一种基于各向异性二维材料的偏振光探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]对于具有平面内各向异性晶体结构的二维(2D)材料，电子和能带结构表现出高度的取向依赖性，这导致了有效质量、光吸收和电输运的强烈各向异性，在这类材料中产生了线性二向色性的独特特征。线性二向色性使其成为角分辨光电子应用的有希望的平台，如偏振光谱成像、偏振光电探测器和光学雷达。过去，具有超表面结构的光学介质已被广泛用于控制光的相位和偏振,但是，其复杂而昂贵的制造工艺是进一步实际应用的限制因素。由于几何各向异性，一维(1D)纳米线或纳米带如ZnO、InP和Sb2S3也可以表现出线性二向色性效应和偏振光探测能力，但是较小的长宽比阻碍了二向色性比，限制了器件制造的多样性。
[0003]最近，由于其固有的面内各向异性特性，低对称二维材料已成为偏振相关光学和电学应用的研究热点。例如，具有褶皱蜂窝结构的黑磷(b
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P)在吸收、光致发光、载流子迁移率和热电传输本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于各向异性二维材料的偏振光探测器，其特征在于，包括：第一导电类型的二维纳米片沟道层；第二导电类型的各向异性的二维纳米片偏振光敏化半导体层，位于所述纳米片沟道层的表面；第一电极和第二电极，分别位于所述偏振光敏化半导体层的两端侧，与所述纳米片沟道层的表面接触，不与所述偏振光敏化半导体层接触。2.根据权利要求1的所述偏振光探测器，其特征在于，优选地，所述纳米片沟道层选用过渡金属硫属化物(TMDs)；优选地，所述纳米片沟道层选用WSe2、WS2、MoS2或MoSe2。3.根据权利要求1的所述偏振光探测器，其特征在于，所述偏振光敏化半导体层选用Bi2O2Se、1T
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MoTe2、ReSe2、ReS2、P、As、AsP、GeAs。4.根据权利要求1至3之一的所述偏振光探测器，其特征在于，所述纳米片沟道层选用机械剥离法获得，所述纳米片沟道层的厚度为50～80nm。5.根据权利要求1至3之一的所述偏振光探测器，其特征在于，所述偏振光敏化半导体层选用机械剥离法获得，所述偏振光敏化半导体层的厚度为20～50nm。6.根据权利要求1至3之一的所述偏振光探测器，其特征在于，优选地，所述纳米片沟道层选用WSe2；优选地，所述偏振光敏化半导体层选用Bi2O2Se。7.根据权利要求1至3之一的所述偏振光探测器，其特征在于，所述第一导电类型为p型，所述第二导电类型为n型。8.根据权利要求1至3之一的所述偏振光探测器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍能杰，黎思娜，李京波，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：