具有强发光特性的二硫化硒掺杂氧化铜制造技术

技术编号:30519366 阅读:23 留言:0更新日期:2021-10-27 23:02
本发明专利技术公开了一种具有强发光特性的二硫化硒掺杂氧化铜,该材料是先利用粉末压片法将CuO粉末和SeS2粉末按摩尔比为4:1~12:1混合压片形成晶片,然后将所得晶片在450~650℃下进行2~10min快速热退火处理制备而成。本发明专利技术通过在CuO中掺杂SeS2改性,由此来改善CuO光电性能,使掺杂SeS2后的CuO材料光致发光强度最高可达到纯CuO材料光电性能约14倍,此材料有望于成为光电性能材料领域的新型材料。望于成为光电性能材料领域的新型材料。望于成为光电性能材料领域的新型材料。

【技术实现步骤摘要】
具有强发光特性的二硫化硒掺杂氧化铜


[0001]本专利技术属于半导体光电材料
,具体涉及一种具有强发光特性的二硫化硒掺杂氧化铜。

技术介绍

[0002]半导体材料在光电子领域发挥着越来越重要的作用。然而,高性能单晶半导体材料制作成本高,限制了其大范围应用。非晶或纳晶材料生产成本低,适合大规模应用。
[0003]氧化铜(CuO)是p型半导体材料,黑色,属于单斜晶系,是一种典型的过渡金属氧化物,地球资源丰富,毒性小。且CuO具有十分理想的带隙(1.4eV),以及很高的光吸收系数。但CuO的熔点较高(1446℃),且在熔点附近会分解。目前CuO半导体材料的主要制备方法有磁控溅射法、凝胶法和水热法等。这些方法制作的CuO多为非晶和纳晶结构,缺陷多,载流子复合严重,严重限制了其在光电领域的应用。为此,亟需开发一种使非晶或纳晶状态下的CuO仍保持良好光电性能的掺杂方法。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是克服CuO半导体材料存在的问题,提供一种具有强发光特性的二硫化硒掺杂氧化铜。
[0005]针对上述目的,本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有强发光特性的二硫化硒掺杂氧化铜,其特征在于该材料由下述方法制备得到:将CuO粉末与SeS2粉末按照摩尔比4:1~12:1充分混合后压片,然后在450~650℃下退火2~10min。2.根据权利要求1所述的具有强发光特性的二硫化硒掺杂氧化铜,其特征在于:将CuO粉末与SeS2粉末按照摩尔比6:1~10...

【专利技术属性】
技术研发人员:高斐石伯男张超群李佳辉李元瑞刘生忠
申请(专利权)人:陕西师范大学
类型:发明
国别省市:

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