【技术实现步骤摘要】
具有强发光特性的二硫化硒掺杂氧化铜
[0001]本专利技术属于半导体光电材料
,具体涉及一种具有强发光特性的二硫化硒掺杂氧化铜。
技术介绍
[0002]半导体材料在光电子领域发挥着越来越重要的作用。然而,高性能单晶半导体材料制作成本高,限制了其大范围应用。非晶或纳晶材料生产成本低,适合大规模应用。
[0003]氧化铜(CuO)是p型半导体材料,黑色,属于单斜晶系,是一种典型的过渡金属氧化物,地球资源丰富,毒性小。且CuO具有十分理想的带隙(1.4eV),以及很高的光吸收系数。但CuO的熔点较高(1446℃),且在熔点附近会分解。目前CuO半导体材料的主要制备方法有磁控溅射法、凝胶法和水热法等。这些方法制作的CuO多为非晶和纳晶结构,缺陷多,载流子复合严重,严重限制了其在光电领域的应用。为此,亟需开发一种使非晶或纳晶状态下的CuO仍保持良好光电性能的掺杂方法。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的是克服CuO半导体材料存在的问题,提供一种具有强发光特性的二硫化硒掺杂氧化铜。
[000 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有强发光特性的二硫化硒掺杂氧化铜,其特征在于该材料由下述方法制备得到:将CuO粉末与SeS2粉末按照摩尔比4:1~12:1充分混合后压片,然后在450~650℃下退火2~10min。2.根据权利要求1所述的具有强发光特性的二硫化硒掺杂氧化铜,其特征在于:将CuO粉末与SeS2粉末按照摩尔比6:1~10...
【专利技术属性】
技术研发人员:高斐,石伯男,张超群,李佳辉,李元瑞,刘生忠,
申请(专利权)人:陕西师范大学,
类型:发明
国别省市:
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