一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法，该日盲型紫外光电探测器，包括：导电基底，其上开设有沟道；Ga2O3纳米柱阵列，其位于所述沟道上；聚甲基丙烯酸甲酯层，其覆盖Ga2O3纳米柱阵列。本发明专利技术的日盲型紫外光电探测器，Ga2O3具有高的热稳定性和化学稳定性，其禁带宽度约为4.9eV，只对日盲区的深紫外光敏感，相比传统使用AlGaN、MgZnO等材料，Ga2O3不需要任何掺杂来调节带隙，避免了合金相的成分波动和相分离；而使用的聚甲基丙烯酸甲酯层，使得日盲型紫外光电探测器具有较低的暗电流，在低光强下仍具有较高的开关比。在低光强下仍具有较高的开关比。在低光强下仍具有较高的开关比。

【技术实现步骤摘要】
一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光电探测器
，尤其涉及一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]由于臭氧层的吸收，波长在200nm
‑
280nm的紫外光不能到达地球，该波段的光被称为日盲紫外光。因此，基于日盲紫外的探测器具有高信噪比、低误报率、可全方位全天候工作等优点，可被广泛应用于军事和民生，如导弹跟踪，安全通信，臭氧空洞监测，化学/生物分析和电晕检测等。目前，在制备日盲型紫外光电探测器时常用的日盲探测材料如：AlGaN、MgZnO等，但申请人发现采用这些材料需要通过掺杂来调节带隙；而且这些材料采用高组分合金，带来相分离和难以外延成膜的缺点。
[0003]基于现有的日盲型紫外光电探测器存在的缺陷，有必要对此进行改进。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提出了一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法，以解决或部分解决现有技术中存在的技术问题。
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种日盲型紫外光电探测器，包括：
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种日盲型紫外光电探测器，其特征在于，包括：导电基底，其上开设有沟道；Ga2O3纳米柱阵列，其位于所述沟道上；聚甲基丙烯酸甲酯层，其覆盖所述Ga2O3纳米柱阵列。2.如权利要求1所述的日盲型紫外光电探测器，其特征在于，所述导电基底为FTO导电玻璃。3.一种如权利要求1～2任一所述的日盲型紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供导电基底；配制含镓前驱体溶液；配制聚甲基丙烯酸甲酯溶液；将导电基底位于沟道之外的部分进行遮挡，然后将导电基底置于含镓前驱体溶液中，进行水热反应，即在导电基底的沟道上制备得到Ga2O3纳米柱阵列；将聚甲基丙烯酸甲酯溶液涂覆在导电基底的沟道上并覆盖Ga2O3纳米柱阵列，干燥后即形成聚甲基丙烯酸甲酯层。4.如权利要求3所述的日盲型紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，配制含镓前驱体溶液具体为：将镓盐加入至水中，混合均匀即得含镓前驱体溶液。5.如权利要求3所述的日盲型紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，配制聚甲基丙烯酸甲酯溶液具体为：将聚甲基丙烯酸甲酯溶于至氯苯中即得聚甲基丙烯酸甲酯溶液。6.如权利要求3所述的日盲型紫外光电探测器的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈谅平，危家昀，邹海伦，周海，王浩，
申请(专利权)人：湖北大学，
类型：发明
国别省市：