一种钙钛矿吸光层材料及方法技术

本发明专利技术提供一种钙钛矿吸光层材料及方法，其包括CsSnI3钙钛矿材料，并且还包含有增强材料，增强材料为石墨烯和SnF2的掺杂物。在制备方法中，在石墨烯片上通过浸渍法负载得到有SnF2的石墨烯片；通过真空热蒸发沉积的方式制得负载CsI薄膜的二次基片，然后以CsI薄膜为基础再次沉积得到SnI2薄膜负载的结构；以得到具有掺杂SnF2石墨烯片的CsSnI3钙钛矿薄膜材料通过石墨烯和SnF2的掺杂物的加入，使得CsSnI3钙钛矿材料转换效率得到了明显的提升，并且这种转换效率高于单独的CsSnI3钙钛矿材料和掺杂SnF2的CsSnI3钙钛矿材料；另外，这种材料中不使用对于环境具有破坏作用的铅元素，极大地提高了这种材料的安全性和环境保护作用，具有很好的应用价值。很好的应用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种钙钛矿吸光层材料及方法


[0001]本专利技术涉及一种钙钛矿吸光层材料，具体涉及一种CsSnI3钙钛矿材料。

技术介绍

[0002]为了应对能源危机，太阳能电池在近些年来得到了广泛和深度的发展，在一些生活和工业领域，已经逐渐地开始普遍地、规模化地使用太阳能电池。在太阳能电池技术的发展中，其吸光层材料属于研究的热点之一，目前，太阳能电池的吸光层材料的理论基础主要为钙钛矿材料，这种钙钛矿材料的分子式为ABX3型的结构，其中A可以为CH3NH
3+
，B可以为Pb
2+
，X为卤素离子。然而，这种基于铅元素（Pb）的钙钛矿材料虽然吸光性能稳定，但是其具有较强的环境破坏力，在本领域中一直寻求替代铅元素的吸光层材料。
[0003]目前在现有技术中出现了CsSnI3钙钛矿的材料，这种材料完全地避免了对于铅元素的依赖，具有很好地环境友好性，为本领域的新兴热点材料之一。然而，这种材料也存在一个较为突出的问题，Sn空缺产生高浓度的受主缺陷使得材料表现为强的p型电导，这样深能级缺陷态形成电子和空穴的复合中心，导致这种材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿吸光层材料，其特征在于，包括CsSnI3钙钛矿材料，并且还包含有增强材料，所述增强材料为石墨烯和SnF2的掺杂物。2.根据权利要求1所述的钙钛矿吸光层材料，其特征在于，所述石墨烯和SnF2的掺杂物中的SnF2与CsSnI3的摩尔比为0.1:1至0.3：1。3.根据权利要求2所述的钙钛矿吸光层材料，其特征在于，所述石墨烯和SnF2的掺杂物中的SnF2与CsSnI3的摩尔比为0.2：1。4.根据权利要求1所述的钙钛矿吸光层材料，其特征在于，包括两层薄膜结构，下层薄膜结构为掺杂SnF2的石墨烯片，上层薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：宗迎夏，刘玉梅，宗成中，
申请(专利权)人：青岛科技大学，
类型：发明
国别省市：