【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基质组合物,其包含(S)
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苄基
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N
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(5
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甲基
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氧代
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2,3,4,5
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四氢苯并[b][1,4]氧氮杂环庚三烯
‑3‑
基)
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4H
‑
1,2,4
‑
三唑
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甲酰胺
[0001]本专利技术涉及RIP1激酶抑制剂化合物及其形式的调节释放药物组合物,组合物制备过程或方法,及其用途或治疗方法。
技术介绍
[0002]RIP1激酶依赖性程序性坏死在各种炎性疾病,特别是由TNFα驱动的炎性疾病中作为关键致病机理迅速兴起。(S)
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四氢苯并[b][1,4]氧氮杂环庚三烯
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三唑
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甲酰胺(化合物1或GSK2982772)或其互变异构体或其盐是RIPK1的高选择性抑制剂。在pK/pD研究中,使用120mg剂量的立即释放(IR)制剂,化合物1在血浆/血液中的浓度迅速下降,直到给药后约12小时,t
1/2
约为2
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3小时,且C
max
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.调节释放药物组合物,其包含可蚀性基质核,该核包含如下化合物:(S)
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四氢苯并[b][1,4]氧氮杂环庚三烯
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基)
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三唑
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甲酰胺,或其互变异构体或其盐。2.根据权利要求1所述的调节释放药物组合物,其中所述可蚀性基质核进一步包含至少一种作为释放调节剂的组分。3.根据权利要求2所述的调节释放药物组合物,其中所述可蚀性基质核具有围绕所述核的薄膜包衣。4.根据权利要求3所述的调节释放药物组合物,其中所述薄膜包衣包含至少一种可蚀性材料和在所述薄膜包衣中的至少一个开口。5.根据权利要求4所述的调节释放药物组合物,其中所述薄膜包衣中的至少一个开口具有预定尺寸。6.根据权利要求4或权利要求5所述的调节释放药物组合物,其中所述至少一个开口在所述薄膜包衣中产生暴露的表面积。7.根据权利要求4至6中任一项所述的调节释放药物组合物,其中所述开口为约4.0mm至约5.5mm。8.根据前述权利要求中任一项所述的调节释放药物组合物,其包含可蚀性基质核,所述核包含480mg的化合物,所述化合物是(S)
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四氢苯并[b][1,4]氧氮杂环庚三烯
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甲酰胺,或其互变异构体。9.根据前述权利要求中任一项所示的调节释放药物组合物,其为片剂形式。10.包含可蚀性基质核的片剂,所述核包含:(a)约30mg至约480mg的化合物,所述化合物是(S)
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四氢苯并[b][1,4]氧氮杂环庚三烯
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三唑
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甲酰胺,或其互变异构体或其盐;(b)约1.0%wt/wt至约60%wt/wt的释放调节剂;(c)约1.0%wt/wt%至约95%wt/wt的稀释剂;(d)约0.25%wt/wt至约5.0%wt/wt的润滑剂;和(e)围绕所述可蚀性基质核的薄膜包衣,其包含所述片剂核的约1.0%wt/wt至所述片剂核的约10%wt/wt的量的可蚀性材料,以及包含在所述薄膜包衣中的至少一个开口。11.片剂,其中包含可蚀性基质核,所述核包含:(a)约240mg至约480mg的化合物,所述化合物是(S)
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三唑
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甲酰胺,或其互变异构体或其盐;(b)约1.0%wt/wt至约20%wt/wt的释放调节剂;(c)约15%wt/wt%至约30%wt/wt的稀释剂;(d)约0.50%wt/wt至约3.0%wt/wt的润滑剂;和(e)围绕所述可蚀性基质核的薄膜包衣,其包含所述片剂核的约2.0%wt/wt至所述片剂核的约6%wt/wt的量的可蚀性材料,以及包含在所述薄膜包衣中的至少一个开口。12.片剂,其包含可蚀性基质核,所述核包含:(a)约480mg的化合物,所述化合物是(S)
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苄基
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【专利技术属性】
技术研发人员:R阿普费尔鲍姆,X陈,R潘,
申请(专利权)人:葛兰素史密斯克莱知识产权发展有限公司,
类型:发明
国别省市:
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