一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，包括支撑机构；所述支撑机构顶部的一侧安装有智能控制器，所述支撑机构的顶部通过固定杆安装有隔热罐，所述隔热罐的内部设有反应罐，所述反应罐顶部的一侧设有破碎装置，所述反应罐的内部设有搅拌装置,所述隔热罐与反应罐之间设置有水腔，所述隔热罐顶部一侧设有进水口；本实用新型专利技术通过反应罐顶部一侧设置的破碎装置将固体的盐酸和硝酸在通过第一粉碎辊和第二粉碎辊啮合转动时碾碎成粉后掉落到反应罐的内部，粉状的盐酸和硝酸能够快速与水发生化学反应，再通过搅拌装置的搅拌，能够加快反应的速率，从而提高制备硅蚀刻液的生产效率。刻液的生产效率。刻液的生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置


[0001]本技术涉及蚀刻液制备
，具体为一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置。

技术介绍

[0002]蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术，蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻，其中，湿蚀刻是采用化学试剂，经由化学反应达到蚀刻的目的，薄膜场效应晶体管液晶显示器(TFT～LCD)、发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)等行业用作面板过程中铟锡氧化物半导体透明导电膜(ITO)的蚀刻液通常采用盐酸和硝酸的混合水溶液。
[0003]现有的半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置存在的缺陷是：
[0004]1、现有的半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，盐酸与水反应时会产生巨大热量，造成装置外币温度过高，极容易烫伤工作人员，并且产生的热量无法利用，造成资源浪费。
[0005]2、现有的半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置在进行制备时，由于盐酸和硝酸多为固体，固体的盐酸和硝酸在与与水发生时反应速率较慢，使整个制备的过程工作效率降低。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0007]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，包括支撑机构；所述支撑机构顶部的一侧安装有智能控制器，所述支撑机构的顶部通过固定杆安装有隔热罐，所述隔热罐的内部设有反应罐，所述反应罐顶部的一侧设有破碎装置，所述反应罐的内部设有搅拌装置；/>[0008]所述隔热罐与反应罐之间设置有水腔，所述隔热罐顶部一侧设有进水口，且进水口的顶部通过螺纹结构安装有保护盖，所述隔热罐底部的一侧设有出水口，且出水口的表面设有第二阀门；
[0009]所述破碎装置包括有破碎腔、第一粉碎辊、第二粉碎辊、固体进料口和第二电机，所述破碎腔的底部与反应罐连通，所述破碎腔的内部通过轴承安装第一粉碎辊和第二粉碎辊，且第一粉碎辊和第二粉碎辊相互啮合，所述破碎腔后侧与第一粉碎辊对应的位置处安装有第二电机，且第二电机的输出端通过转动轴与第一粉碎辊的一端固定连接，所述破碎腔顶部的中央位置处设有固体进料口。
[0010]优选的，所述支撑机构包括支撑杆和支撑板，且支撑板底部的四角安装有支撑杆。
[0011]优选的，所述支撑杆的底部安装有横板，且横板的底部安装有防滑垫，且防滑垫的底部表面等间距设置有凸点。
[0012]优选的，所述智能控制器的表面上下等间距设置有第一控制钮和第二控制钮，且
智能控制器通过导线固定连接有插头。
[0013]优选的，所述反应罐的底部中间位置处设置有出液口，且出液口的底部表面设有第一阀门。
[0014]优选的，所述反应罐顶端远离破碎机破碎装置的一侧设置有注水口，且注水口的顶部通过螺纹结构固定连接注水盖。
[0015]优选的，所述搅拌装置包括有搅拌杆、搅拌页、连接块、连接杆和第一电机，所述反应罐的顶部中央位置处设置有第一电机，且第一电机的输出端通过转动轴安装有搅拌杆，且搅拌杆位于反应罐的内部表面设有搅拌页。
[0016]优选的，所述搅拌杆的底端设有连接块，且连接块的两侧安装有连接杆，且连接杆的底端与反应罐的内底部固定连接。
[0017]优选的，所述支撑机构的内底部放置有集液箱，且集液箱与出液口的位置相对应。
[0018]优选的，所述智能控制器通过导线分别与第一电机和第二电机电性连接与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0019]1、本技术通过反应罐与隔热罐之间设置有水腔，水腔的内部加入冷水水，因此在盐酸和硝酸反应时产生的热量被冷水吸收，避免隔热罐外部温度过高对人员造成烫伤，同时也可以对盐酸和硝酸反应时产生的热量进行回收再利用，当隔热罐内部的冷水吸收热量变成温水时，人员可以将隔热罐内部温水放出进行使用，可以使资源得到合理利用。
[0020]2、本技术通过反应罐顶部一侧设置的破碎装置将固体的盐酸和硝酸在通过第一粉碎辊和第二粉碎辊啮合转动时碾碎成粉后掉落到反应罐的内部，粉状的盐酸和硝酸能够快速与水发生化学反应，再通过搅拌装置的搅拌，能够加快反应的速率，从而提高制备硅蚀刻液的生产效率。
附图说明
[0021]图1为本技术的正面剖视结构示意图；
[0022]图2为本技术的俯视结构示意图；
[0023]图3为本技术的图1中A处放大示意图；
[0024]图4为本技术的图1中B处放大示意图。
[0025]图中：1、支撑机构；101、支撑杆；102、支撑板；103、横板；104、防滑垫；2、智能控制器；201、第一控制钮；202、第二控制钮；203、插头；3、固定杆；4、隔热罐；5、反应罐；501、出液口；502、第一阀门；503、注水口；504、注水盖；6、水腔；601、进水口；602、保护盖；603、第二阀门；604、出水口；7、搅拌装置；701、搅拌杆；702、搅拌页；703、连接块；704、连接杆；705、第一电机；8、破碎装置；801、破碎腔；802、第一粉碎辊；803、第二粉碎辊；804、固体进料口；805、第二电机；9、集液箱。
具体实施方式
[0026]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0028]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0029]请参阅图1
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4，本技术提供的一种实施例：一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，包括支撑机构1；支撑机构1顶部的一侧安装有智能控制器2，支撑机构1的顶部通过固定杆3安装有隔热罐4，隔热罐4的内部设有反应罐5，反应罐5顶部的一侧设有破碎装置8，反应罐5的内部设有搅拌装置7；
[0030]隔热罐4与反应罐5之间设置有水腔6本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，包括支撑机构(1)；其特征在于：所述支撑机构(1)顶部的一侧安装有智能控制器(2)，所述支撑机构(1)的顶部通过固定杆(3)安装有隔热罐(4)，所述隔热罐(4)的内部设有反应罐(5)，所述反应罐(5)顶部的一侧设有破碎装置(8)，所述反应罐(5)的内部设有搅拌装置(7)；所述隔热罐(4)与反应罐(5)之间设置有水腔(6)，所述隔热罐(4)顶部一侧设有进水口(601)，且进水口(601)的顶部通过螺纹结构安装有保护盖(602)，所述隔热罐(4)底部的一侧设有出水口(604)，且出水口(604)的表面设有第二阀门(603)；所述破碎装置(8)包括有破碎腔(801)、第一粉碎辊(802)、第二粉碎辊(803)、固体进料口(804)和第二电机(805)，所述破碎腔(801)的底部与反应罐(5)连通，所述破碎腔(801)的内部通过轴承安装第一粉碎辊(802)和第二粉碎辊(803)，且第一粉碎辊(802)和第二粉碎辊(803)相互啮合，所述破碎腔(801)后侧与第一粉碎辊(802)对应的位置处安装有第二电机(805)，且第二电机(805)的输出端通过转动轴与第一粉碎辊(802)的一端固定连接，所述破碎腔(801)顶部的中央位置处设有固体进料口(804)。2.根据权利要求1所述的一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，其特征在于：所述支撑机构(1)包括支撑杆(101)和支撑板(102)，且支撑板(102)底部的四角安装有支撑杆(101)。3.根据权利要求2所述的一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，其特征在于：所述支撑杆(101)的底部安装有横板(103)，且横板(103)的底部安装有防滑垫(104)，且防滑垫(104)的底部表面等间距设置有凸点。4.根据权利要求1所述的一种半...

【专利技术属性】
技术研发人员：何珂，戈烨铭，汤晓春，
申请(专利权)人：江阴润玛电子材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：