【技术实现步骤摘要】
蚀刻液制备装置
[0001]本技术涉及蚀刻液制备
，尤其涉及蚀刻液制备装置。
技术介绍
[0002]体硅加工技术一般是指利用蚀刻工艺对块状硅进行准三维结构的微加工，其中体硅的各项异性腐蚀技术是微机械加工技术工艺主要技术之一。例如申请号为CN202111369309.4公开了一种集成电路用的硅蚀刻液及其制备方法，该制备方法按比例向混配釜中加入四甲基氢氧化铵，转速100
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200r/min搅拌条件下，按比例加入氢氧化钾、催化剂、助剂、金属捕集剂、表面活性剂和去离子水，搅拌混合25
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35min后，得到集成电路用的硅蚀刻液。在传统混配釜配备时，如申请号为CN202121245811.X公开了一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，通过搅拌装置的搅拌，但是对液态原料的加入混合效率一般，充分混合时需要较长的时长，加工效率低。
技术实现思路
[0003]为了解决上述问题，本技术提出蚀刻液制备装置，以更加确切地解决上述所述问题。
[0004]本技术通过以下技术方案实现的：
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.蚀刻液制备装置，包括混配釜体(1)，其特征在于，所述混配釜体(1)顶部密封配合有釜盖(101)，混配釜体(1)的顶部一侧设有进料斗(102)，混配釜体(1)的底部一侧设有排料接口(103)，所述釜盖(101)中部转接有第一转轴(2)，第一转轴(2)底部垂直延伸至混配釜体(1)内部，且第一转轴(2)上设有若干对呈水平横向设置的第一搅拌杆(201)，所述混配釜体(1)的底部转接有第二转轴(202)，第二转轴(202)顶部延伸至混配釜体(1)内腔底部，且第二转轴(202)上端连接有U型搅拌杆(203)，U型搅拌杆(203)的两侧支架设有若干对水平向内延伸的第二搅拌杆(204)，且若干对第二搅拌杆(204)与若干对第一搅拌杆(201)呈相互交错设置，所述釜盖(101)的顶部设有驱动机支架(104)，驱动机支架(104)上一侧设有电动机(3)，电动机(3)的输出轴端垂直向下，且电动机(3)的输出轴端设有第二皮带轮(302)，第一转轴(2)的顶部设有第一皮带轮(301)，且第一皮带轮(301)与第二皮带轮(302)之间通过齿形皮带(303)连接，所述第一转轴(2)的中部上固定有第一齿轮(5)，U型搅拌杆(203)的一侧支杆上端固定有向内延伸的齿轮固定架(501)，齿轮固定架(501)内端固定有第二齿轮(502)，且第二齿轮(502)与第一齿轮(5)传动啮合。2.根据权利要求1所述的蚀刻液制备装置，其特征在于，所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：何珂，戈烨铭，
申请(专利权)人：江阴润玛电子材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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