DRAMDLL时序温度自适应校准方法及系统技术方案

本发明专利技术提供了一种DRAM DLL时序温度自适应校准方法及系统，方法包括以下步骤：获取SSD上电工况；当SSD上电时，控制预定时间周期获取SSD温度；根据预定时间周期获取的SSD温度，获取SSD运行过程中的温度变化工况；当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准；控制通过DQS读写DRAM数据。本发明专利技术提供的DRAM DLL时序温度自适应校准方法，通过实时监测SSD的温度，并根据温度变化自适应地对DRAM进行相差训练，降低变温环境下相位差引发的数据出错风险。引发的数据出错风险。引发的数据出错风险。

【技术实现步骤摘要】
DRAM DLL时序温度自适应校准方法及系统


[0001]本专利技术涉及数据传输
，具体是涉及一种固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度自适应校准方法及系统。

技术介绍

[0002]SSD是一种由SSD控制器加上NAND flash闪存阵列组成的存储设备。为了提高性能，SSD要DRAM芯片做数据缓存，以减少读取FTL映射表而产生的频繁访问NAND flash带来的性能开销。目前主流DRAM的数据总线频率一般在800
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1600MHZ，在高速数据传输过程中，传输时序的正确性对于数据传输是至关重要的。从DRAM中读取数据时，一个重要的时序参数是DQS与DQ之间的相位关系。理想情况下，DQS的边缘应与DQ的中心对齐，即相位相差90度，但是实际上因为外界因素(温度、PCB走线)的影响，这一条件很难满足。目前已有的方案是，每次SSD上电的时候做一次DLL校准，它通过调整DQS对应的DLL来调整DQS边沿和DQ的时序关系，然后通过数据读写的结果，得到一个合适的相位窗口，选择窗口中间的值作为最终的DQS相位。/>[0003]现有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DRAM DLL时序温度自适应校准方法，其特征在于，包括以下步骤：获取SSD上电工况；当SSD上电时，控制预定时间周期获取SSD温度；根据预定时间周期获取的SSD温度，获取SSD运行过程中的温度变化工况；当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准；控制通过DQS读写DRAM数据。2.如权利要求1所述的DRAM DLL时序温度自适应校准方法，其特征在于，所述“当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准”步骤，具体包括以下步骤：当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并控制DQS数据传输时序相位产生偏移；当DQS数据传输时序相位产生偏移时，读写DRAM，获取数据传输时序的最佳相位区间；根据获取的数据传输时序的最佳相位区间，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准，并获取与SSD当前温度相适应的DQS最优相位。3.如权利要求2所述的DRAM DLL时序温度自适应校准方法，其特征在于，所述“当DQS数据传输时序相位产生偏移时，读写DRAM，获取数据传输时序的最佳相位区间”步骤，具体包括以下步骤：当DQS数据传输时序相位产生偏移时，读写DRAM，获取DQS数据传输时序和DQ数据传输时序的相位区间；将读写DRAM数据正确的连续的DQS相位点组成的区间，作为数据传输时序的最佳相位区间。4.如权利要求1所述的DRAM DLL时序温度自适应校准方法，其特征在于，所述“控制通过DQS读写DRAM数据”步骤之后，还包括以下步骤：对固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度进行自适应持续校准。5.如权利要求4所述的的DRAM DLL时序温度自适应校准方法，其特征在于，所述“对固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度进行自适应持续校准”步骤，具体包括以下步骤：获取上次相差校准启动时SSD的实时温度；将上次相差校准启动时SSD的实时温度作为下次相差校准启动的新的温度采集窗口开启基准；控制预定时间周期获取SSD温度，将预定时间周期新获取的SSD温度纳入新的温度采集窗口内；当SSD运行过程中在新的温度采集窗口内温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准，控制通过DLL对DQS数...

【专利技术属性】
技术研发人员：李悦，弗兰克，
申请(专利权)人：至誉科技武汉有限公司，
类型：发明
国别省市：