磁存储装置制造方法及图纸

根据一个实施例，一种磁存储装置包含非易失性磁存储器，所述非易失性磁存储器包含能够存储数据的磁阻效应元件。磁传感器被配置为测量外部磁场的量值。控制器被配置为当所述外部磁场的所述测量的量值小于阈值时以第一时间间隔检测所述数据中的错误，并且当所述外部磁场的所述测量的量值等于或大于所述阈值时以短于所述第一时间间隔的第二时间间隔检测所述数据中的错误。述数据中的错误。述数据中的错误。

【技术实现步骤摘要】
磁存储装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请是基于2020年6月24日提交的日本专利申请第2020-108821号并要求其优先权益，所述专利申请的全部内容以引用方式并入本文。


[0003]本文描述的实施例总体上涉及一种磁存储装置和一种用于磁存储装置的控制方法。

技术介绍

[0004]已知使用磁阻效应元件作为存储元件的磁存储装置，诸如磁阻随机存取存储器(MRAM)。

技术实现思路

[0005]实施例提供了一种高度可靠的磁存储装置。
[0006]一个实施例提供了：
[0007]一种磁存储装置，包括：
[0008]非易失性磁存储器，所述非易失性磁存储器包含磁阻效应元件；
[0009]磁传感器，所述磁传感器被配置为测量外部磁场的量值；以及
[0010]控制器，所述控制器被配置为当所述外部磁场的所述测量的量值小于磁场阈值时以第一时间间隔检测所述非易失性磁存储器中的数据错误，并且当所述外部磁场的所述测量的量值等于或大于所述磁场阈值时以短于所述第一时间间隔的第二时间间隔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁存储装置，包括：非易失性磁存储器，所述非易失性磁存储器包含磁阻效应元件；磁传感器，所述磁传感器被配置为测量外部磁场的量值；以及控制器，所述控制器被配置为当所述外部磁场的所述测量的量值小于磁场阈值时以第一时间间隔检测所述非易失性磁存储器中的数据错误，并且当所述外部磁场的所述测量的量值等于或大于所述磁场阈值时以短于所述第一时间间隔的第二时间间隔检测所述非易失性磁存储器中的数据错误。2.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中所述控制器进一步被配置为当所述检测到的数据错误超过错误阈值时校正数据错误。3.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中所述磁传感器是霍尔效应传感器或磁隧道结MTJ元件。4.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中所述非易失性磁存储器、所述磁传感器和所述控制器位于同一衬底上。5.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中所述非易失性磁存储器和所述磁传感器位于同一衬底上。6.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中所述磁传感器是磁隧道结MTJ元件，并且所述磁传感器和所述非易失性磁存储器位于同一双列直插式存储器模块DIMM上。7.根据权利要求1所述的磁存储装置，进一步包括：磁屏蔽，所述磁屏蔽覆盖所述非易失性磁存储器。8.一种磁存储装置，包括：非易失性磁存储器，所述非易失性磁存储器包含多个存储器单元，每个存储器单元配备有磁阻效应元件；磁传感器，所述磁传感器被配置为测量外部磁场的量值；以及控制器，所述控制器被配置为根据所述外部磁场的所述测量的量值来设置用于将数据写入所述多个存储器单元的参数。9.根据权利要求8所述的磁存储装置，其中所述控制器根据所述外部磁场的所述测量的量值来设置用于将数据写入所述存储器单元的次数。10.根据权利要求8所述的磁存储装置，其中所述磁传感器是霍尔效应传感器或磁隧道结MTJ元件。11.根据权利要求8所述的磁存储装置，其中所述非易失性磁存储器、所述磁传感...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林洋介，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：