存储单元及其数据读写方法、存储阵列技术

本发明专利技术实施例公开了一种存储单元及其数据读写方法、存储阵列，该存储单元包括位线、隧道结和四个存取晶体管；各存取晶体管至少包括有源区；该有源区包括源极，各存取晶体管的源极均与隧道结的第一端电连接；隧道结的第二端与位线电连接，且位线沿第一方向延伸；各存取晶体管的有源区相互隔离；各存取晶体管的有源区的长边延伸方向相同，且存取晶体管的有源区的长边延伸方向与第一方向具有第一夹角θ；其中，θ为非直角。本发明专利技术实施例的存储单元具有较小的尺寸，从而将该存储单元应用于存储阵列中时，能够提供存储阵列较大的集成度。能够提供存储阵列较大的集成度。能够提供存储阵列较大的集成度。

【技术实现步骤摘要】
存储单元及其数据读写方法、存储阵列


[0001]本专利技术实施例涉及存储器
，尤其涉及一种存储单元及其数据读写方法、存储阵列。

技术介绍

[0002]非挥发性的磁性随机存储器(Magnetic Random Access Memory，MRAM)是一种以存储器的电阻性质来存储数据的随机存储器，其采用磁化方向不同所导致的存储器电阻值不同来记录存数据。但是，随着科技的发展，存储密度的逐渐增大，如何在保证MRAM写入(或编程)驱动能力的情况下，进一步提高MRAM的综合性能、提高集成度为当前亟待解决的技术难题。

技术实现思路

[0003]针对上述存在问题，本专利技术实施例提供一种存储单元及其数据读写方法、存储阵列，以减小存储单元的尺寸，提高包括该存储单元的存储阵列的集成度。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种存储单元，包括：位线、隧道结和四个存取晶体管；
[0005]各所述存取晶体管的源极均与所述隧道结的第一端电连接；所述隧道结的第二端与所述位线电连接；所述位线沿第一方向延伸；r/>[0006]各本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储单元，其特征在于，包括：位线、隧道结和四个存取晶体管；各所述存取晶体管的源极均与所述隧道结的第一端电连接；所述隧道结的第二端与所述位线电连接；所述位线沿第一方向延伸；各所述存取晶体管对应的有源区相互隔离；各所述存取晶体管对应的有源区的长边延伸方向相同，且所述有源区的长边延伸方向与所述第一方向具有第一夹角θ；其中，θ为非直角。2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，四个所述存取晶体管包括第一存取晶体管、第二存取晶体管、第三存取晶体管和第四存取晶体管；所述第一存取晶体管的有源区的长边与所述第二存取晶体管的有源区的长边相对设置，且所述第三存取晶体管的有源区和所述第四存取晶体管的有源区位于所述第一存取晶体管的有源区与所述第二存取晶体管的有源区之间；所述第三存取晶体管的有源区的短边与所述第四存取晶体管的有源区的短边相对设置。3.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，四个所述存取晶体管包括第一存取晶体管、第二存取晶体管、第三存取晶体管和第四存取晶体管；所述隧道结在各所述存取晶体管的有源区所在膜层的正投影至少覆盖所述第一存取晶体管的有源区和所述第二存取晶体管的有源区之间的至少部分区域，且至少覆盖所述第三存取晶体管的有源区和所述第四存取晶体管的有源区之间的至少部分区域。4.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，还包括：至少一条字线和至少一条源极线；所述字线沿第二方向延伸；其中，所述第一方向与所述第二方向交叉；所述存取晶体管还包括沟道区和漏极，且所述源极和所述漏极分别位于所述沟道区相对的两侧；各所述存取晶体管的栅极与所述字线电连接；各所述存取晶体管的漏极与所述源极线电连接。5.根据权利要求4所述的存储单元，其特征在于，所述至少一条字线包括第一字线、第二字线和第三字线；所述第一字线、所述第二字线以及所述第三字线沿所述第一方向依次排列；四个所述存取晶体管包括第一存取晶体管、第二存取晶体管、第三存取晶体管和第四存取晶体管；所述第三存取晶体管的栅极与所述第一字线电连接；所述第一存取晶体管的栅极和所述第二存取晶体管的栅极均与所述第二字线电连接；所述第四存取晶体管的栅极与所述第三字线电连接。6.根据权利要求5所述的存储单元，其特征在于：所述第一字线在各所述存取晶体管的有源区的正投影与所述第一存取晶体管的有源区和所述第三存取晶体管的有源区具有交叠；所述第二字线在各所述存取晶体管的有源区的正投影与所述第一存取晶体管的有源区和所述第二存取晶体管的有源区具有交叠；所述第三字线在各所述存取晶体管的有源区正投影与所述第四存取晶体管的有源区和所述第二存取晶体管的有源区具有交叠。7.根据权利要求5所述的存储单元，其特征在于，所述至少一条源极线包括第一源极
线、第二源极线和第三源极线；所述第一源极线、所述第二源极线以及所述第三源极线沿所述第一方向依次排列，且各所述源极线的延伸方向相同；所述第三存取晶体管的漏极与所述第一源极线电连接；所述第一存取晶体管的漏极和所述第二存取晶体管的漏极均与所述第二源极线电连接；所述第四存取晶体管的漏极与所述第三源极线电连接。8.根据权利要求7所述的存储单元，其特征在于：所述第一源极线在各所述存取晶体管的有源区的正投影与所述第三存取晶体管的漏极具有交叠；所述第二源极线在各所述存取晶体管的有源区的正投影与所述第一存取晶体管的漏极和所述第二存取晶体管的漏极均具有交叠；且所述第二源极线在各所述存取晶体管的有源区所在膜层的正投影还与所述隧道结在各所述存取晶体管的有源区所在膜层的正投影具有交叠；所述第三源极线在各所述存取晶体管的有源区的正投影与所述第四存取晶体管的漏极具有交叠。9.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，还包括：连接结构；所述连接结构在各所述存取晶体管的有源区正投影与四个所述存取晶体管的有源区均具有交叠；各所述存取晶体管的源极均通过所述连接结构与所述隧道结的第一端电连接。10.根据权利要求9所述的存储单元，其特征在于，还包括：至少一条字线；所述位线和所述字线...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓光，平尔萱，吴保磊，吴玉雷，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：