半导体处理腔体及其清洁方法技术

本发明专利技术提供一种半导体处理腔体，包含腔室、气体供应源、远程电浆源、复数个孔洞以及侧面通道。其中，腔室由侧壁、顶部和底部相连接定义而成；气体供应源，用于提供气体；远程电浆源与气体供应源相连接，以将气体转化为电浆态；复数个孔洞位于侧壁且呈现环状排列以围绕该腔室；侧面通道连接远程电浆源与该些孔洞，以将电浆态的气体扩散至该等孔洞。将电浆态的气体扩散至该等孔洞。将电浆态的气体扩散至该等孔洞。

【技术实现步骤摘要】
半导体处理腔体及其清洁方法


[0001]本专利技术是有关于一种半导体处理腔体，以及半导体处理腔体的清洁方法。

技术介绍

[0002]电浆化学气相沉积(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)是用于如芯片上沉积从气态到固态的薄膜的电浆态沉积的一种类型。在半导体产业中，于制程结束后，PECVD常见的清洁方式为，气体通过远程电浆发生器后，流经顶部的喷淋板均匀扩散，以充分清洁腔体、侧壁等位置。但是由于喷淋板的孔径太小，使得腔体清洁效率低。
[0003]此外，过去曾经使用一种用于在PECVD腔室中沉积膜同时从基板支撑件的下方流动吹扫气体的设备和方法，该设备引入气体至腔体底部，而后气体从侧壁被抽走。然而此设计会造成多种问题，如侧壁的抽气效率不佳，腔体底部的角落容易成为死角，而产生粒子堆积的情况；底部引入气体时的流量如果过大会造成晶圆在基板支撑件上漂移，需要小心控制气体流量，也因此可能造成清洁效率不彰；腔体底部残留的沉积副产物和薄膜清除不易。

技术实现思路

[0004]本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体处理腔体，其特征在于，包含：一侧壁、一顶部和一底部相连接以定义一腔室；一气体供应源，用于提供一气体；一远程电浆源，与该气体供应源相连接，以将该气体转化为电浆态；复数个孔洞，位于该侧壁且呈现环状排列以围绕该腔室；以及一侧面通道，连接该远程电浆源与该等孔洞，以将电浆态的气体传送至该等孔洞。2.如权利要求1所述的半导体处理腔体，其特征在于：其中该等孔洞位于同一水平高度，且低于一工艺高度。3.如权利要求1所述的半导体处理腔体，其特征在于：其中该等孔洞位于一托盘的下方且靠近为于该底部的一抽气通道。4.如权利要求1所述的半导体处理腔体，其特征在于：其...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡玉，刘振，初春，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：