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本发明提供一种半导体处理腔体，包含腔室、气体供应源、远程电浆源、复数个孔洞以及侧面通道。其中，腔室由侧壁、顶部和底部相连接定义而成；气体供应源，用于提供气体；远程电浆源与气体供应源相连接，以将气体转化为电浆态；复数个孔洞位于侧壁且呈现环状排...
该专利属于拓荆科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过拓荆科技股份有限公司授权不得商用。

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