一种复合式氧传感器芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了氧传感器技术领域的一种复合式氧传感器芯片，包括保护层，保护层的下方设置有上铂电极，上铂电极下方设置有第一基体层，第一基体层的前端的上、下侧分别开设有上废气通道槽和下废气通道槽，第一基体层的下方设置有中铂电极，中铂电极的下方设置有第二基体层，第一基体层与保护层之间形成有与上废气通道槽联通的废气通道一，第二基体层与第一基体层之间设置有与下废气通道槽联通的废气通道二，第二基体层的下方设置有下铂电极，下铂电极的下方设置有绝缘层，第二基体层与绝缘层之间形成有空气通道，绝缘层的下方设置有加热电极，加热电极设置在加热电极托板上。该复合式氧传感器芯片结构简单，便于尾气的进入。入。入。

【技术实现步骤摘要】
一种复合式氧传感器芯片


[0001]本技术涉及氧传感器
，具体是一种复合式氧传感器芯片。

技术介绍

[0002]汽车尾气排放对环境造成的污染是大气污染的主要来源，现在采取的主要技术路线是以氧传感器检测尾气氧含量为核心电喷系统，控制发动机的空燃比在理论空燃比(14.7
±
0.2)附近，尾气通过三元催化转化器能高效地转化为无害气体，最大限度地降低污染。目前汽车上采用的氧传感器主要是氧化锆氧传感器。氧化锆氧传感器可分为加热型和非加热型，加热型的又有管状和片状两种之分。目前市面上管状带加热棒的传感器，其缺点是加热棒和传感器不是一整体而是组装而成，工作过程中热效率不高，升温慢从而响应时间长，控制效果差。片式氧传感器和管状氧传感器工作原理一样，也是基于氧浓差电池的原理，在高温下，氧化锆是氧离子导体，高氧势一侧的氧以氧离子经氧化锆中的氧空位向低氧势侧迁移形成离子电导，产生浓差电势。
[0003]现有片式氧传感器芯片采用流延成型方法制备传感器片、中间片和加热片的基片。然后印刷，叠层复合排胶烧结。中国专利申请号CN201820344028.0公布了一种复合一体氧传感器芯片，结构过于复杂，不便于制作，气体出入孔不便于废气的进入，不能像宽域传感器那样精确的反映需要达到最优空燃比时需泵氧气的精确电信号，因此，本领域技术人员提供了一种复合式氧传感器芯片，以解决上述
技术介绍
中提出的问题

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种复合式氧传感器芯片，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]一种复合式氧传感器芯片，包括保护层，所述保护层的下方设置有上铂电极，所述上铂电极下方设置有第一基体层，所述第一基体层的前端的上、下侧分别开设有上废气通道槽和下废气通道槽，所述第一基体层的下方设置有中铂电极，所述中铂电极的下方设置有第二基体层，所述第一基体层与保护层之间形成有与上废气通道槽联通的废气通道一，所述第二基体层与第一基体层之间设置有与下废气通道槽联通的废气通道二，所述第二基体层的下方设置有下铂电极，所述下铂电极的下方设置有绝缘层，第二基体层与绝缘层之间形成有空气通道，所述绝缘层的下方设置有加热电极，所述加热电极设置在加热电极托板上，所述保护层、上铂电极、第一基体层、中铂电极和第二基体层形成第一能斯特电池单元，所述第一基体层、中铂电极、第二基体层、下铂电极、绝缘层形成第二能斯特电池单元。
[0007]作为本技术进一步的方案：所述上铂电极、中铂电极、下铂电极、加热电极均通过导电浆料连接在各自的电极连接柱上。
[0008]作为本技术再进一步的方案：所述上铂电极、中铂电极、下铂电极和加热电极均通过印刷分别刻入在第一基体层的上表面、第一基体层的下表面、第二基体层的上表面
和加热电极托板上。
[0009]作为本技术再进一步的方案：所述保护层、上铂电极、第一基体层、中铂电极、第二基体层、下铂电极、绝缘层、加热电极和加热电极托板为层叠压紧烧结一体成型。
[0010]作为本技术进一步的方案：所述第一基体层和第二基体层的末端设置有易于导电浆料通过的注入孔。
[0011]作为本技术进一步的方案：所述绝缘层可以为氧化锆材质。
[0012]作为本技术再进一步的方案：所述保护层通过掺杂C基材料的氧化铝浆料制成，且所述保护层上设置有若干透气孔。
[0013]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0014]1、本技术中，通过保护层、上铂电极、第一基体层、中铂电极、第二基体层、下铂电极、绝缘层、加热电极和加热电极托板为层叠压紧烧结一体成型后制成复合式的结构简单的氧传感器芯片，通过第二能斯特电池单元实时反馈实际混合气浓稀程度的电信号，通过第一能斯特电池单元外加电压形成氧泵，使得能够得出需要调节混合气浓稀增加量的电信号。
[0015]2、本技术中，通过上废气通道槽和下废气通道槽使得废气比起出入孔更便于进入到传感器内部。
[0016]3、本技术中，整体结构简单，片式体量小，节约原材料，便于生产，
附图说明
[0017]图1为本技术爆炸的结构示意图一；
[0018]图2为本技术爆炸的结构示意图二；
[0019]图中：1、保护层；2、上铂电极；3、第一基体层；4、上废气通道槽；5、下废气通道槽；6、中铂电极；7、第二基体层；8、废气通道一；9、废气通道二；10、下铂电极；11、绝缘层；12、空气通道；13、加热电极；14、加热电极托板；15、电极连接柱；16、注入孔。
具体实施方式
[0020]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0021]请参阅图1～2，本技术实施例中，一种复合式氧传感器芯片，包括保护层1，所述保护层1的下方设置有上铂电极2，所述上铂电极2下方设置有第一基体层3，所述第一基体层3的前端的上、下侧分别开设有上废气通道槽4和下废气通道槽5，所述第一基体层3的下方设置有中铂电极6，所述中铂电极6的下方设置有第二基体层7，所述第一基体层3与保护层1之间形成有与上废气通道槽4联通的废气通道一8，所述第二基体层7与第一基体层3之间设置有与下废气通道槽5联通的废气通道二9，所述第二基体层7的下方设置有下铂电极10，所述下铂电极10的下方设置有绝缘层11，第二基体层7与绝缘层11之间形成有空气通道12，所述绝缘层11的下方设置有加热电极13，所述加热电极13设置在加热电极托板14上，所述保护层1、上铂电极2、第一基体层3、中铂电极6和第二基体层7形成第一能斯特电池单
元，所述第一基体层3、中铂电极6、第二基体层7、下铂电极10、绝缘层11形成第二能斯特电池单元。
[0022]其中进一步的，所述上铂电极2、中铂电极6、下铂电极10、加热电极13均通过导电浆料连接在各自的电极连接柱15上。电极连接柱15使得方便与外部行车电脑ecu形成电路。
[0023]所述上铂电极2、中铂电极6、下铂电极10和加热电极均通过印刷分别刻入在第一基体层3的上表面、第一基体层3的下表面、第二基体层7的上表面和加热电极托板14上。这样进一步缩小占空比，使得机构简单。
[0024]所述保护层1、上铂电极2、第一基体层3、中铂电极6、第二基体层7、下铂电极10、绝缘层11、加热电极13和加热电极托板14为层叠压紧烧结一体成型。这样结构简单，便于封装，便于生产和使用。
[0025]所述第一基体层3和第二基体层7的末端设置有易于导电浆料通过的注入孔16。
[0026]所述绝缘层11可以为氧化锆材质。当然这里还可以为别的易于层叠压紧烧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合式氧传感器芯片，包括保护层，其特征在于：所述保护层的下方设置有上铂电极，所述上铂电极下方设置有第一基体层，所述第一基体层的前端的上、下侧分别开设有上废气通道槽和下废气通道槽，所述第一基体层的下方设置有中铂电极，所述中铂电极的下方设置有第二基体层，所述第一基体层与保护层之间形成有与上废气通道槽联通的废气通道一，所述第二基体层与第一基体层之间设置有与下废气通道槽联通的废气通道二，所述第二基体层的下方设置有下铂电极，所述下铂电极的下方设置有绝缘层，第二基体层与绝缘层之间形成有空气通道，所述绝缘层的下方设置有加热电极，所述加热电极设置在加热电极托板上，所述保护层、上铂电极、第一基体层、中铂电极和第二基体层形成第一能斯特电池单元，所述第一基体层、中铂电极、第二基体层、下铂电极、绝缘层形成第二能斯特电池单元。2.根据权利要求1所述的一种复合式氧传感器芯片，其特征在于：所述上铂电极、中铂电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：李敏，徐斌，胡延超，
申请(专利权)人：浙江新瓷智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：