一种复合式氧传感器芯片制造技术

技术编号:31524233 阅读:22 留言:0更新日期:2021-12-23 09:54
本实用新型专利技术公开了氧传感器技术领域的一种复合式氧传感器芯片,包括保护层,保护层的下方设置有上铂电极,上铂电极下方设置有第一基体层,第一基体层的前端的上、下侧分别开设有上废气通道槽和下废气通道槽,第一基体层的下方设置有中铂电极,中铂电极的下方设置有第二基体层,第一基体层与保护层之间形成有与上废气通道槽联通的废气通道一,第二基体层与第一基体层之间设置有与下废气通道槽联通的废气通道二,第二基体层的下方设置有下铂电极,下铂电极的下方设置有绝缘层,第二基体层与绝缘层之间形成有空气通道,绝缘层的下方设置有加热电极,加热电极设置在加热电极托板上。该复合式氧传感器芯片结构简单,便于尾气的进入。入。入。

【技术实现步骤摘要】
一种复合式氧传感器芯片


[0001]本技术涉及氧传感器
,具体是一种复合式氧传感器芯片。

技术介绍

[0002]汽车尾气排放对环境造成的污染是大气污染的主要来源,现在采取的主要技术路线是以氧传感器检测尾气氧含量为核心电喷系统,控制发动机的空燃比在理论空燃比(14.7
±
0.2)附近,尾气通过三元催化转化器能高效地转化为无害气体,最大限度地降低污染。目前汽车上采用的氧传感器主要是氧化锆氧传感器。氧化锆氧传感器可分为加热型和非加热型,加热型的又有管状和片状两种之分。目前市面上管状带加热棒的传感器,其缺点是加热棒和传感器不是一整体而是组装而成,工作过程中热效率不高,升温慢从而响应时间长,控制效果差。片式氧传感器和管状氧传感器工作原理一样,也是基于氧浓差电池的原理,在高温下,氧化锆是氧离子导体,高氧势一侧的氧以氧离子经氧化锆中的氧空位向低氧势侧迁移形成离子电导,产生浓差电势。
[0003]现有片式氧传感器芯片采用流延成型方法制备传感器片、中间片和加热片的基片。然后印刷,叠层复合排胶烧结。中国专利申请号CN20182034本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合式氧传感器芯片,包括保护层,其特征在于:所述保护层的下方设置有上铂电极,所述上铂电极下方设置有第一基体层,所述第一基体层的前端的上、下侧分别开设有上废气通道槽和下废气通道槽,所述第一基体层的下方设置有中铂电极,所述中铂电极的下方设置有第二基体层,所述第一基体层与保护层之间形成有与上废气通道槽联通的废气通道一,所述第二基体层与第一基体层之间设置有与下废气通道槽联通的废气通道二,所述第二基体层的下方设置有下铂电极,所述下铂电极的下方设置有绝缘层,第二基体层与绝缘层之间形成有空气通道,所述绝缘层的下方设置有加热电极,所述加热电极设置在加热电极托板上,所述保护层、上铂电极、第一基体层、中铂电极和第二基体层形成第一能斯特电池单元,所述第一基体层、中铂电极、第二基体层、下铂电极、绝缘层形成第二能斯特电池单元。2.根据权利要求1所述的一种复合式氧传感器芯片,其特征在于:所述上铂电极、中铂电极...

【专利技术属性】
技术研发人员:李敏徐斌胡延超
申请(专利权)人:浙江新瓷智能科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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