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本实用新型公开了氧传感器技术领域的一种复合式氧传感器芯片，包括保护层，保护层的下方设置有上铂电极，上铂电极下方设置有第一基体层，第一基体层的前端的上、下侧分别开设有上废气通道槽和下废气通道槽，第一基体层的下方设置有中铂电极，中铂电极的下方设...
该专利属于浙江新瓷智能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江新瓷智能科技有限公司授权不得商用。

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