等离子体显示屏制造技术

提供一种等离子体显示屏，通过使用碱土类金属氧化物中的具有使ＶＵＶ难以透过的性质的氧化物作为保护膜，阻止放电时产生的ＶＵＶ透过电介质层，防止来自电介质层中的杂质气体的产生，由此防止封入屏中的放电气体的污染。该等离子体显示屏包括：隔着放电空间对置配置的一对基板、覆盖在一对基板中的至少一个基板上形成的多个电极而在基板上形成的电介质层、覆盖该电介质层而在基板上形成的保护膜、以及封入放电空间的包含氙的放电气体构成；且电介质层由包含氧化硅的材料形成；保护膜由具有使电极间放电中产生的紫外线难以透过的性质的材料形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子体显示屏(以下记为PDP)，更具体来说，涉及防止封入屏内的放电气体的污染的PDP。
技术介绍
作为现有的PDP，公知的有AC型三电极面放电形式的PDP。该PDP在前面侧(显示面侧)的基板的内表面上在水平方向上设置多个可以进行面放电的显示电极，在背面侧的基板的内表面上在与显示电极相交叉的方向上设置多个发光单元选择用的地址电极，将显示电极和地址电极的交叉部作为单元(cell)。前面侧的基板的显示电极被电介质层覆盖，在其上形成有保护膜。背面侧的基板的地址电极也被电介质层覆盖，在该电介质层上形成带状或者网格状的隔壁，在隔壁之间形成荧光体层。PDP通过在使这样制作的前面侧的基板和背面侧的基板对置而密封周边之后，在内部封入放电气体来制作(参照专利文献1)。于是，通过在显示电极之间产生面放电，利用此时产生的紫外线激励荧光体层中的荧光体，由荧光体产生可见光来进行显示。专利文献1日本专利申请特开2000-21304号公报
技术实现思路
在上述的PDP中，在着眼于前面侧的基板时，电介质层通过利用CVD法或蒸镀法等形成SiO2膜来形成。另外，也可以通过涂敷低熔点玻璃浆料并进行烧焙来形成。保护膜使用MgO。然而，MgO膜具有使VUV(真空紫外线)透过的性质。另外，SiO2膜也有使VUV透过的性质。因此，保护膜使用MgO膜，电介质层使用SiO2膜时，由显示放电产生的VUV到达在MgO膜的下层的SiO2膜。因此，由于VUV的能量，从SiO2膜中产生以作为未分解物质的氢和氨等为主成分的杂质气体。随着放电的反复进行该杂质气体一直渐渐产生下去时，封入屏内的放电气体的杂质气体浓度增加，有时对PDP的放电特性和寿命产生不良影响。本专利技术正是考虑这种情形而完成的，通过使用碱土类金属氧化物中的具有使VUV难以透过的性质的氧化物作保护膜，阻止放电时产生的VUV透过电介质层，防止来自电介质层中的杂质气体的产生，由此防止封入屏中的放电气体的污染，谋求PDP的放电特性的稳定化和长寿命化。本专利技术是一种等离子体显示屏，包括隔着放电空间对置配置的一对基板、覆盖在一对基板中的至少一个基板上形成的多个电极而在基板上形成的电介质层、覆盖该电介质层而在基板上形成的保护膜、以及封入放电空间的包含氙的放电气体；且电介质层由包含氧化硅的材料形成，保护膜由具有使电极间放电中产生的紫外线难以透过的性质的材料形成。根据本专利技术，因为由保护膜阻止在电极间放电时产生的紫外线透过电介质层，所以可以防止来自由包含氧化硅的材料形成的电介质层中的杂质气体的产生，由此防止封入屏中的放电气体的污染。附图说明图1是示出本专利技术的PDP的结构的说明图。图2是一个单元的放大图。图3是图2的III-III线的剖面图。图4是示出包含Xe的放电气体的发光光谱的曲线图。图5是示出保护膜材料的VUV透射率的曲线图。(符号说明)11前面侧的基板；12透明电极；13总线电极；17、24电介质层；18保护膜；21背面侧的基板；28R、28G、28B荧光体层；29隔壁；30放电空间；A地址电极；L显示线；X、Y显示电极具体实施方式在本专利技术中，一对基板可以是隔着放电空间对置配置的基板。作为这些基板，包含玻璃、石英、陶瓷等的基板，以及在这些基板上形成了电极、绝缘膜、电介质层、保护膜等的所希望的结构物的基板。多个电极可以在一对基板中的至少一个基板上形成。该电极可以利用本领域公知的各种材料和方法形成。作为电极中使用的材料，可以举出例如ITO、SnO2等的透明的导电性材料，Ag、Au、Al、Cu、Cr等的金属导电性材料。作为电极的形成方法，可以使用本领域公知的各种方法。例如，既可以利用印刷等的厚膜形成技术来形成，也可以利用由物理淀积法或者化学淀积法构成的薄膜形成技术来形成。作为厚膜形成技术可以举出丝网印刷法等。薄膜形成技术中，作为物理淀积法可以举出蒸镀法和溅射法等。作为化学淀积方法可以举出热CVD法和光CVD法、或者等离子体CVD法等。电介质层可以覆盖多个电极而在基板上形成。该电介质层由例如SiO2之类的包含氧化硅的材料形成。电介质层中使用SiO2时，形成方法可以使用本领域公知的、例如蒸镀法或CVD法等。放电气体可以是包含氙(Xe)的气体，并且封入放电空间。作为放电气体可以使用Xe浓度为4～100％的Xe-Ne放电气体。对于放电气体的Xe浓度，浓度越高屏的发光效率就越高，但是因为Xe浓度越高在放电中产生的紫外线的平均波长也越长，因此透过保护膜到达电介质层的紫外线量变大。即使在作为低浓度的4％的Xe浓度下，也产生极少的长波长的真空紫外线，得不到长期可靠性。保护膜可以覆盖电介质层而在基板上形成。保护膜由具有使电极间放电时产生的紫外线难以透过的性质的材料形成。作为保护膜的材料，可以使用以由CaO、SrO、以及BaO构成的组中选择的一种或至少两种的混合物为主成分的金属氧化物、或者在该金属氧化物中混合了MgO而得到的金属氧化物。或者，作为保护膜的材料，可以使用以由(Ca、Sr)O系(表示CaO+SrO的混合物。下同)、(Ca、Ba)O系、(Sr、Ba)O系、(Ca、Sr、Ba)O系构成的组中选择的一种或者至少两种混合物为主成分的金属氧化物、或者在该金属氧化物中混合了MgO而得到的金属氧化物。在上述结构的情况下，可以通过改变金属氧化物的组成比，来选择在电极间的放电中产生的紫外线的截止(cut off)波长。保护膜的形成，可以通过蒸镀法或溅射法这样的、本领域公知的薄膜形成工艺来进行。下面，根据附图中示出的实施例详细说明本专利技术。此外，本专利技术并不限定于此，可以进行各种变形。图1(a)以及图1(b)是示出本专利技术的PDP的结构的说明图。图1(a)是整体图、图1(b)是部分分解斜视图。该PDP是彩色显示用的AC驱动型三电极面放电形式的PDP。本PDP10由前面侧的基板11和背面侧的基板21构成。作为前面侧的基板11和背面侧的基板21，可以使用玻璃基板、石英基板、陶瓷基板等。在前面侧的基板11的内侧表面上，隔着不发生放电的间隔(非放电间隙)配置有在水平方向上成对的显示电极X，Y。显示电极X和显示电极Y之间为显示线L。各显示电极X、Y由ITO、SnO2等宽度宽的透明电极12、以及包含例如Ag、Au、Al、Cu、Cr以及它们的层叠体(例如Cr/Cu/Cr的层叠结构)等的金属制的宽度窄的总线电极13构成。通过对Ag、Au采用丝网印刷之类的厚膜形成技术，对其它采用蒸镀法、溅射法等的薄膜形成技术和蚀刻技术，可以以希望的条数、厚度、宽度以及间隔形成显示电极X、Y。另外，在本PDP中，隔着非放电间隙配置了成对的显示电极X、Y，但即使是以等间隔配置显示电极X和显示电极Y，相邻的显示电极X和显示电极Y之间全部为显示线L的所谓的ALiS结构的PDP也可以适用本专利技术。在显示电极X、Y上，形成交流(AC)驱动用的电介质层17，以覆盖显示电极X、Y。电介质层17通过以CVD法形成SiO2膜来形成。在电介质层17上，形成保护膜18，用来保护电介质层17以免受到由显示时的放电产生的离子的冲撞引起的损伤。该保护膜由碱土类金属氧化物之中的具有使VUV难以透过的性质的CaO、SrO、BaO等的氧化物，或者混合了它们的复合氧化物形成。关于这些将在后面叙述。在背面侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体显示屏，包括：隔着放电空间对置配置的一对基板、覆盖在一对基板中的至少一个基板上形成的多个电极而在基板上形成的电介质层、覆盖该电介质层而在基板上形成的保护膜、以及封入放电空间的包含氙的放电气体；且　 　电介质层由包含氧化硅的材料形成；保护膜由具有使电极间放电时产生的紫外线难以透过的性质的材料形成。

【技术特征摘要】
JP 2005-3-31 2005-1029211.一种等离子体显示屏，包括隔着放电空间对置配置的一对基板、覆盖在一对基板中的至少一个基板上形成的多个电极而在基板上形成的电介质层、覆盖该电介质层而在基板上形成的保护膜、以及封入放电空间的包含氙的放电气体；且电介质层由包含氧化硅的材料形成；保护膜由具有使电极间放电时产生的紫外线难以透过的性质的材料形成。2.根据权利要求1所述的等离子体显示屏，其特征在于保护膜由以下材料形成以从由CaO、SrO、以及BaO构成的组中选择的一种或者至少两种的混合物为主成分的金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：须川幸次，岩濑信博，川北哲郎，
申请(专利权)人：富士通日立等离子显示器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]