一种场发射阴极的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种场发射阴极的制备方法，该方法包括下列步骤：提供一基板，在该基板上沉积一金属层；在金属层表面形成多个凹槽；对金属层表面进行氧化处理，形成一金属氧化物层；去除多个凹槽底部的金属氧化物层；在凹槽底部设置一层金属盐溶液；在凹槽底部生长碳纳米管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
液晶显示器是一种被动式显示装置，其不具有发光特性，需要为其提供背光模块以实现显示功能。导光板是背光模块中重要组件，用以引导自光源发出光束的传输方向，将线光源或点光源转换成面光源出射。碳纳米管是一种新型碳材料，其具有极其优异的导电性能，且其具有几乎接近理论极限的尖端表面积(尖端表面积越小，其局部电场越集中)，所以，碳纳米管是已知最好的场发射材料，其具有极低场发射电压，可传输极大电流密度，且电流极稳定，因而非常适合做场发射显示器的发射组件。用于发射组件的碳纳米管，多采用电弧放电法或化学气相沉积法(CVD法)生长的碳纳米管。将碳纳米管应用于场发射显示器的方式有将含有碳纳米管的导电浆料或者有机粘接剂印刷成图形通过后续处理使得碳纳米管能够从浆料的埋藏中露出头来成发射体。在此方法中，将含有碳纳米管的导电浆料以厚膜钢板印刷的方式涂布在导电基板上，碳纳米管在浆料中发生弯曲，相互交织，不易形成垂直于导电基板的碳纳米管，为形成性能良好的发射尖端，需对碳纳米管数组进行后续处理，即将一层浆料剥离，从而使碳纳米管从浆料的埋藏中露出头来而成为发射体，但是，剥离此浆料层对碳纳米管损伤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场发射阴极的制备方法，包括下列步骤：提供一基板，在该基板上沉积一金属层；在该金属层表面形成多个凹槽；对该金属层表面进行氧化处理，形成一金属氧化物层；去除该多个凹槽底部的金属氧化物层；在该凹槽底部设置一层金属盐溶液；在该凹槽底部生长碳纳米管。

【技术特征摘要】
1.一种场发射阴极的制备方法，包括下列步骤提供一基板，在该基板上沉积一金属层；在该金属层表面形成多个凹槽；对该金属层表面进行氧化处理，形成一金属氧化物层；去除该多个凹槽底部的金属氧化物层；在该凹槽底部设置一层金属盐溶液；在该凹槽底部生长碳纳米管。2.根据权利要求1所述的场发射阴极的制备方法，其特征在于所述多个凹槽是利用一模板在金属层表面压印形成。3.根据权利要求2所述的场发射阴极的制备方法，其特征在于所述金属盐溶液是通过将其附着在该模板底部，并将其压入凹槽底部。4.根据权利要求2所述的场发射阴极的制备方法，其特征在于所述模板是用聚甲基硅氧烷制得的。5.根据权利要求1所述的场发射阴极的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：董才士，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]