精准调整ADC相机的方法、装置、设备及计算机存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种精准调整ADC相机的方法、装置、设备及计算机存储介质；所述方法包括：在当前单晶硅棒拉制前，通过分别比较所述当前单晶硅棒与上一炉单晶硅棒对应的热场配件的变化，获取直径自动控制ADC相机距离熔体固液界面的高度变化值；基于所述高度变化值与所述ADC相机的水平位移量之间的几何关系，根据所述高度变化值，获取所述ADC相机的水平位移量；根据所述ADC相机的水平位移量，水平移动所述ADC相机至目标位置。动所述ADC相机至目标位置。动所述ADC相机至目标位置。

【技术实现步骤摘要】
精准调整ADC相机的方法、装置、设备及计算机存储介质


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种精准调整ADC相机的方法、装置、设备及计算机存储介质。

技术介绍

[0002]电子级单晶硅棒作为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件。目前常见的单晶硅棒的生长方法是切克劳斯基(Czochralski)法，又或被称之为直拉法，即在单晶炉中，使籽晶浸入容置于坩埚的熔硅液中，在转动籽晶及坩埚的同时提拉籽晶，以在籽晶末端依次进行引晶、放肩、转肩、等径及收尾等工艺操作，从而获得单晶硅棒。目前，为了获得满足不同用途的电子级晶圆需要工艺人员利用不同的热场以及工艺条件来制备不同的单晶硅棒。
[0003]等径阶段是长晶过程中极为重要的工艺过程，也是保证单晶硅棒品质的关键，而在等径阶段的初期快速且有效地达到所需要的单晶硅棒的生长直径是十分必要的。然而由于单晶硅棒的不同需求，通常需要对单晶炉热场配件进行一定程度地调整。由于热场配件的调整是为了保证单晶硅棒的生长直径，因此随着热场配件的调整直径自动控制(Automatic Diameter Control，ADC)相机也要做出相应地调整。在常规技术方案中，对于ADC相机的调整位置，一般是在将要进入或者已经进入等径阶段时通过实际标尺测量得到，在这种情况下ADC相机的调整具有一定的延迟性并且需要反复进行调整才能将ADC相机调整至设定的位置以监测单晶硅棒的生长直径。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术实施例期望提供一种精准调整ADC相机的方法、装置、设备及计算机存储介质；能够在调整热场配件后精确且及时确定ADC相机的调整位置，以使得单晶硅棒从等径阶段初期快速稳定地进入等径阶段，从而提升单晶硅棒等径阶段初期的品质。
[0005]本专利技术实施例的技术方案是这样实现的：
[0006]第一方面，本专利技术实施例提供了一种精准调整ADC相机的方法，所述方法包括：
[0007]在当前单晶硅棒拉制前，通过分别比较所述当前单晶硅棒与上一炉单晶硅棒对应的热场配件的变化，获取直径自动控制ADC相机距离熔体固液界面的高度变化值；
[0008]基于所述高度变化值与所述ADC相机的水平位移量之间的几何关系，根据所述高度变化值，获取所述ADC相机的水平位移量；其中，所述水平位移量为第一水平位移量或第二水平位移量；
[0009]根据所述ADC相机的水平位移量，水平移动所述ADC相机至目标位置。
[0010]第二方面，本专利技术实施例提供了一种精准调整ADC相机的装置，所述装置包括：第一获取部分，第二获取部分以及移动部分；其中，
[0011]所述第一获取部分，经配置在在当前单晶硅棒拉制前，通过分别比较所述当前单晶硅棒与上一炉单晶硅棒对应的热场配件的变化，获取直径自动控制ADC相机距离熔体固
液界面的高度变化值；
[0012]所述第二获取部分，经配置为基于所述高度变化值与所述ADC相机的水平位移量之间的几何关系，根据所述高度变化值，获取所述ADC相机的水平位移量；其中，所述水平位移量为第一水平位移量或第二水平位移量；
[0013]所述移动部分，经配置为根据所述ADC相机的水平位移量，水平移动所述ADC相机至目标位置。
[0014]第三方面，本专利技术实施例提供了一种精准调整ADC相机的设备，其特征在于，所述设备包括：通信接口，存储器和处理器；各个组件通过总线系统耦合在一起；其中，
[0015]所述通信接口，用于在与其他外部网元之间进行收发信息过程中，信号的接收和发送；
[0016]所述存储器，用于存储能够在所述处理器上运行的计算机程序；
[0017]所述处理器，用于在运行所述计算机程序时，执行第一方面所述精准调整ADC相机的方法步骤。
[0018]第四方面，本专利技术实施例提供了一种计算机存储介质，所述计算机存储介质存储有精准调整ADC相机的程序，所述精准调整ADC相机的程序被至少一个处理器执行时实现第一方面所述精准调整ADC相机的方法的步骤。
[0019]本专利技术实施例提供了一种精准调整ADC相机的方法、装置、设备及计算机存储介质；该方法在当前单晶硅棒拉制前，通过比较当前单晶硅棒与上一炉单晶硅棒对应的热场配件的变化，以获取ADC相机距离熔体固液界面的高度变化值；并再此基础上基于高度变化值与ADC相机的水平位移量之间的几何关系，并根据高度变化值，获取ADC相机的水平位移量，最终水平移动所述ADC相机至目标位置，以便于在调整热场配件后精确且及时确定ADC相机的调整位置，从而使得单晶硅棒从等径阶段初期快速稳定地进入等径阶段，从而提升单晶硅棒等径阶段初期的品质。
附图说明
[0020]图1为本专利技术实施例提供的一种单晶炉结构示意图；
[0021]图2为本专利技术实施例提供的一种单晶炉热场配件位置变化示意图；
[0022]图3为本专利技术实施例提供的一种精准调整ADC相机的方法流程示意图；
[0023]图4为本专利技术实施例提供的ADC相机距离熔体液面高度变化值与ADC相机水平位移量之间的几何关系示意图；
[0024]图5为本专利技术实施例提供的ADC相机转动角度Δθ示意图；
[0025]图6为本专利技术实施例提供的ADC相机水平移动至目标位置示意图；
[0026]图7为本专利技术实施例提供的一种精准调整ADC相机的装置组成示意图；
[0027]图8为本专利技术实施例提供的一种精准调整ADC相机的设备硬件结构示意图。
具体实施方式
[0028]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0029]参见图1，其示出了能够实现本专利技术实施例技术方案的单晶炉1，该单晶炉1可以包
括：炉体10，炉体10中设有加热装置和提拉装置；加热装置包括石墨坩埚20、石英坩埚30以及加热器40等，其中，石英坩埚30用于盛放硅原料，例如多晶硅。硅原料在石英坩埚30中被加热熔化为熔体MS，石墨坩埚20包裹在石英坩埚30的外侧，用于在加热过程中对石英坩埚30提供支撑，加热器40设置在石墨坩埚20的外侧。石英坩埚30上方设置有热屏50，热屏50悬挂于保温盖板60上，其中，热屏50具有下伸的环绕单晶硅棒生长区域的倒锥形屏装物，可阻断加热器40和高温熔体MS对生长的单晶硅棒的直接热辐射，以降低单晶硅棒的温度。同时，热屏50还能够使下吹的保护气体集中直接喷到生长界面附近，进一步增强单晶硅棒的散热。坩埚轴70设置在石墨坩埚20的底部，坩埚轴70的底部设有坩埚轴驱动装置(图中未示出)，使坩埚轴70能够带动石英坩埚30进行旋转。
[0030]需要说明的是，图1所示的拉晶炉1结构并非具体限定，为了清楚地阐述本专利技术实施例的技术方案从而省略地没有示出用于实施直拉法制备单晶硅棒所需要的其他部件。基于图1所示的拉晶炉1，在炉体10的上方，还可以开设有观测窗口80，以供ADC相机2来监测单晶硅棒的生长直径。
[0031]利用上述单晶炉1进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种精准调整ADC相机的方法，其特征在于，所述方法包括：在当前单晶硅棒拉制前，通过分别比较所述当前单晶硅棒与上一炉单晶硅棒对应的热场配件的变化，获取直径自动控制ADC相机距离熔体固液界面的高度变化值；基于所述高度变化值与所述ADC相机的水平位移量之间的几何关系，根据所述高度变化值，获取所述ADC相机的水平位移量；其中，所述水平位移量为第一水平位移量或第二水平位移量；根据所述ADC相机的水平位移量，水平移动所述ADC相机至目标位置。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述当前单晶硅棒与上一炉单晶硅棒对应的热场配件的变化，包括：拉制所述当前单晶硅棒以及所述上一炉单晶硅棒时保温盖板在单晶炉中的高度变化、热屏的长度变化以及熔体的液位间距变化。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在当前单晶硅棒拉制前，通过分别比较所述当前单晶硅棒与上一炉单晶硅棒对应的热场配件的变化，获取ADC相机距离熔体固液界面的高度变化值，包括：通过比较所述当前单晶硅棒与上一炉单晶硅棒对应的热场配件的变化，分别获取所述保温盖板的高度变化值Δh1，所述热屏的长度变化值Δh2以及所述熔体的液位间距变化值Δh3；在拉制所述当前单晶硅棒时，根据所述保温盖板的高度变化值Δh1，所述热屏的长度变化值Δh2以及所述熔体的液位间距变化值Δh3，获取所述ADC相机距离熔体固液界面的高度变化值ΔH＝Δh1+Δh2+Δh3。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述高度变化值与所述ADC相机的水平位移量之间的几何关系，根据所述高度变化值，获取所述ADC相机的水平位移量，包括：根据所述高度变化值与所述ADC相机的第一水平位移量之间的几何关系，获得所述高度变化值ΔH与所述ADC相机的第一水平位移量ΔX1之间的第一对应关系：ΔX1＝ΔH
×
tanθ；其中，θ表示所述ADC相机与所述当前单晶硅棒壁之间在竖直方向上的角度；根据所述第一对应关系以及所述高度变化值ΔH，获取所述ADC相机的第一水平位移量ΔX1。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述高度变...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋少杰，宋振亮，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：