3DNAND闪存及其操作方法技术

一种用于三维(3D)NAND闪存的编程方法包括：对所述3D NAND闪存进行编程；利用至少一个验证电压执行第一验证过程；确定所述第一验证过程的第一验证电压是否高于默认电压；以及当所述第一验证电压高于所述默认电压时，对所述选择字线施加第一验证电压，同时，对未选中上选择字线进行接地。选择字线进行接地。选择字线进行接地。

【技术实现步骤摘要】
3D NAND闪存及其操作方法


[0001]本专利技术涉及用于三维(3D)NAND闪存的编程方法和3D NAND闪存，并且更具体地，涉及能够减少3D NAND闪存的写入时间和功耗的3D NAND闪存的编程方法和3D NAND闪存。

技术介绍

[0002]为了在写入操作中控制阈值电压并实施NAND闪存存储器的多个数据的存储，采取了增量步进脉冲编程(ISPP)技术。ISPP技术被配置为以阈值电压的编程验证操作在两次编程操作之间进行交错。通过编程验证操作的NAND闪存存储器的存储单元被执行抑制编程；未通过编程验证操作的NAND闪存存储器的存储单元先于ISPP技术发生。ISPP技术包括预充电阶段和编程阶段，其中，预充电阶段增强了沟道的耦合电势并减少了编程干扰。编程验证操作通常包括预脉冲阶段、读取阶段和预关断阶段，其中，预脉冲阶段和预关断阶段用于减少电子的注入。
[0003]对于具有垂直沟道的三维(3D)NAND闪存存储器，为了防止在编程验证操作中来自未选择串的电压的泄漏干扰，通常会关断未选择串的上选择栅，而未选择串的下选择栅被导通并共享。然而，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于三维(3D)NAND闪存的编程验证方法，包括：对所述3D NAND闪存进行编程；利用至少一个验证电压执行第一验证过程，确定所述第一验证过程的第一验证电压是否高于默认电压；以及当所述第一验证电压高于所述默认电压时，对所述选择字线施加第一验证电压，同时，对未选中上选择字线进行接地。2.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：所述第一验证电压大于验证过程中所用的其他验证电压。3.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：接地所用的电压是0V。4.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：当所述第一验证电压不满足目标阈值电压时，对所述3D NAND闪存的所述选择字线进行编程；以及对所述3D NAND闪存的所述选择字线执行第二验证过程。5.根据权利要求4所述的编程方法，还包括：当所述第二验证过程的第二验证电压满足所述目标阈值电压时，抑制所述3D NAND闪存的所述选择字线。6.根据权利要求3所述的编程方法，还包括：当所述第一验证电压满足所述目标阈值电压时，抑制所述3D NAND闪存的所述选择字线。7.一种三维(3D)NAND存储器，所述3D NAND闪存包括：多条位线，其中，所述多条位线包括多个字线(WL)层，以及控制器，其被配置为对(3D)NAND闪存进行编程验证，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘红涛，黄德佳，魏文喆，黄莹，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：