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一种用于三维(3D)NAND闪存的编程方法包括：对所述3D NAND闪存进行编程；利用至少一个验证电压执行第一验证过程；确定所述第一验证过程的第一验证电压是否高于默认电压；以及当所述第一验证电压高于所述默认电压时，对所述选择字线施加第一验证...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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