【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种图像显示装置，特别是适于使用了薄膜型电子源(electron emitter)阵列的、也被称作自发光型(light-emitting)平板显示器的图像显示装置。
技术介绍
薄膜型电子源是指，以层叠了上部电极-电子加速层(electronacceleration layer)-下部电极这三种薄膜的构造为基础，通过在上部电极和下部电极之间施加电压而使电子从上部电极表面向真空中发射的电子源。薄膜型电子源中，有层叠了金属-绝缘体-金属的MIM(Metal-Insulator-Metal)型、层叠了金属-绝缘体-半导体的MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)型、金属-绝缘体-半导体-金属型等的薄膜型电子源等。关于MIM型，例如在专利文献1、专利文献2、专利文献3等中记载了；关于金属-绝缘体-半导体型，在非专利文献1中记载了MOS型；关于金属-绝缘体-半导体-金属型，在非专利文献2等中记载了HEED型，在非专利文献3等中记载了EL型；关于多晶硅型，在非专利文献4等中记载了。日本特开平7-65710号公报[非专利文献1]K.Y...
【技术保护点】
一种图像显示装置，其特征在于，该图像显示装置具有：一个基板，在内表面上具有相互平行地形成的由铝构成的多个信号布线、在前述信号布线之上与该信号布线隔着层间绝缘层相交差且相互平行地形成的多个扫描布线，在图像显示区域包含由形成在前述信号布线和前述扫描布线的前述交差部近旁并呈２维矩阵状配置的多个电子发射部构成的薄膜电子源阵列；和另一个基板，与前述一个基板的内表面相对设置，在该相对内表面具有由多个荧光体构成的荧光面，该荧光体由从前述薄膜电子源阵列发射的电子的轰击而发光，其中，前述薄膜电子源，将前述信号布线作为下部电极，还包括由将前述信号布线表面阳极氧化而形成的阳极氧化膜构成的电子加速...
【技术特征摘要】
JP 2006-3-10 065108/20061.一种图像显示装置，其特征在于，该图像显示装置具有一个基板，在内表面上具有相互平行地形成的由铝构成的多个信号布线、在前述信号布线之上与该信号布线隔着层间绝缘层相交差且相互平行地形成的多个扫描布线，在图像显示区域包含由形成在前述信号布线和前述扫描布线的前述交差部近旁并呈2维矩阵状配置的多个电子发射部构成的薄膜电子源阵列；和另一个基板，与前述一个基板的内表面相对设置，在该相对内表面具有由多个荧光体构成的荧光面，该荧光体由从前述薄膜电子源阵列发射的电子的轰击而发光，其中，前述薄膜电子源，将前述信号布线作为下部电极，还包括由将前述信号布线表面阳极氧化而形成的阳极氧化膜构成的电子加速层、和覆盖前述电子加速层地层叠而构成电子发射电极的上部电极，构成前述电子加速层的前述阳极氧化膜，在膜中具有含水氧化铝成分和无水氧化铝成分，前述含水氧化铝成分相对于前述含水氧化铝成分和无水氧化铝成分的合计的比例在0.25～0.42的范围。2.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于构成前述薄膜电子源的前...
【专利技术属性】
技术研发人员：田村太久夫，佐野靖，宫田一史，
申请(专利权)人：株式会社日立显示器，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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