CMOS图像传感器及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种CMOS图像传感器及其形成方法，通过对半导体衬底表面形成的氧化层进行氮化处理，作为自对准硅化物阻挡层，所形成的氮化

【技术实现步骤摘要】
CMOS图像传感器及其形成方法


[0001]本专利技术涉及一种CMOS图像传感器及其形成方法。

技术介绍

[0002]CMOS图像传感器（CMOSImageSensor，CIS）作为将光信号转化为数字电信号的器件单元，广泛应用于智能手机、平板电脑、汽车、医疗等各类新兴领域。通过像素阵列将入射光子转换成电子，当一个积分周期完成，收集的电子通过模拟电路和数字电路转换成数字信号，传输到传感器的输出终端。
[0003]如图1所示，目前的CMOS图像传感器结构中，为减少表面缺陷，抑制噪声，通常采用钉扎型光电二极管结构（Pinned Photo Diode，PPD），主要由N型掺杂区和N型掺杂区底部的P型半导体衬底100之间形成的PN结组成光电二极管101，同时在光电二极管101上方通过P型重掺杂（主要是硼元素的掺杂）形成P型钉扎层（pinning layer）102，钉扎层102可以阻止衬底表面产生的电子进入光电二极管101，从而降低CIS产生的暗电流和白色像素（White Pixel, WP）, 提高CIS的信噪比，最终提高CIS的性能。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成光电二极管以及覆盖所述光电二极管的钉扎层；在所述半导体衬底表面形成氧化层并对所述氧化层进行氮化处理，作为自对准硅化物阻挡层，以减少钉扎层中的P型掺杂元素外扩；进行后续工艺以形成CMOS图像传感器。2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述氮化处理的温度为800
°
C
‑
1200
°
C，时间为5s
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120s，气体为NH3、NO、N2O、N2中的至少一种。3.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：对氮化处理后的自对准硅化物阻挡层进行再氧化处理。4.如权利要求3所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述再氧化处理的温度为800
°
C
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1200
°
C，时间为5s
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120s，气体为O2、NO、N2O中的至少一种。5.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底表面形成氧化层的方式为化学气相沉积，其厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐涛，付文，郑展，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：