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本发明提供一种CMOS图像传感器及其形成方法，通过对半导体衬底表面形成的氧化层进行氮化处理，作为自对准硅化物阻挡层，所形成的氮化
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该专利属于格科微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科微电子（上海）有限公司授权不得商用。

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