碳纳米管场发射电子源及其制造方法技术

一种碳纳米管场发射电子源，其包括：一导电基体、至少一碳纳米管和一表面修饰层，该导电基体具有一顶部，该碳纳米管一端与该导电基体顶部电性连接，另一端沿该导电基体顶部向外延伸，该表面修饰层至少形成于该碳纳米管向外延伸的一端的表面，该表面修饰层的逸出功低于碳纳米管的逸出功，本发明专利技术还涉及一种制造上述碳纳米管场发射电子源的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种场发射电子源及其制造方法，尤其涉及一种。
技术介绍
碳纳米管(Carbon Nanotube，CNT)是一种新型碳材料，由日本研究人员Iijima在1991年发现，请参见″Helical Microtubules of Graphitic Carbon″，SIijima，Nature，vol.354，p56(1991)。碳纳米管具有极优异的导电性能、良好的化学稳定性和大的长径比，且其具有几乎接近理论极限的尖端表面积(尖端表面积愈小，其局部电场愈集中)，因而碳纳米管在场发射真空电子源领域具有潜在的应用前景。目前的研究表明，碳纳米管是已知的最好的场发射材料之一，它的尖端尺寸只有几纳米至几十纳米，具有极低的场发射电压(小于100伏)，可传输极大的电流密度，并且电流极稳定，使用寿命长，因而非常适合作为一种极佳的点电子源，应用在扫描电子显微镜(ScanningElectron Microscope)、透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope)等设备的电子发射部件中。现有的碳纳米管场发射电子源一般至少包括一导电基体和作为发射端的碳纳米管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳纳米管场发射电子源，其包括：一导电基体和至少一碳纳米管，该导电基体具有一顶部，该碳纳米管一端与该导电基体顶部电性连接，另一端沿该导电基体顶部向外延伸，其特征在于，进一步包括一表面修饰层至少形成于该碳纳米管向外延伸的一端的表面，该表面修饰层的逸出功低于碳纳米管的逸出功。

【技术特征摘要】
1.一种碳纳米管场发射电子源，其包括一导电基体和至少一碳纳米管，该导电基体具有一顶部，该碳纳米管一端与该导电基体顶部电性连接，另一端沿该导电基体顶部向外延伸，其特征在于，进一步包括一表面修饰层至少形成于该碳纳米管向外延伸的一端的表面，该表面修饰层的逸出功低于碳纳米管的逸出功。2.如权利要求1所述的碳纳米管场发射电子源，其特征在于，该表面修饰层覆盖整个碳纳米管和导电基体的表面。3.如权利要求1所述的碳纳米管场发射电子源，其特征在于，该表面修饰层材料为六硼化镧或金属镧。4.如权利要求3所述的碳纳米管场发射电子源，其特征在于，该六硼化镧的逸出功为2.62电子伏特。5.如权利要求1所述的碳纳米管场发射电子源，其特征在于，该表面修饰层的厚度为1～10纳米。6.如权利要求1所述的碳纳米管场发射电子源，其特征在于，该导电基体的顶部为锥形、圆台形或柱形。7.如权利要求6所述的碳纳米管场发射电子源，其特征在于，该导电基体材料可选自钨、金、钼或铂。8.如权利要求1所述的碳纳米管场发射电子源，其特征在于，该碳纳米管为多壁碳纳米管。9.如权利要求8所述的碳纳米管场发射电子源，其特征在于，该碳纳米管的长度为10～100微米，直径为1～50纳米。10.如权利要求9所述的碳纳米管场发射电子源，其特征在于，该碳纳米管的长度为50微米，直径为15纳米。11.一种碳纳米管...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏巍，姜开利，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]