一种半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本发明专利技术的半导体器件，包括衬底以及设置在衬底上的半导体层，半导体层划分有有源区和位于有源区外围的无源区；有源区内的半导体层上设有源极、漏极、栅极、源场板和接地背孔，无源区内的半导体层上设有漏极焊盘和栅极焊盘，漏极与漏极焊盘电连接，栅极的一端通过源场板与栅极焊盘连接、另一端位于源极和漏极之间，栅极焊盘至少部分设置于无源区，源极通过接地背孔接地，有源区内的半导体层上还设有肖特基结，肖特基结的正极与栅极焊盘电连接、负极与源极通过二维电子气实现电连接，肖特基结的正向开启电压大于栅极的正向开启电压。本发明专利技术提供的半导体器件能够实现自保护。护。护。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]GaN高电子迁移率晶体管是5G通信系统的核心元件，是通信基站功放核心元器件，在整个通信系统发挥着至关重要的作用，其长期稳定性和可靠性对通信系统的正常工作至关重要。GaN高电子迁移率晶体管实际工作时需要在栅极提供一个直流负极偏置电压，输入的射频信号与栅极的直流负极偏置电压实时控制漏极电流，从而实现射频信号放大。但是在自然环境内，系统或电源存在干扰或不稳定因素，导致输入功率放大器的瞬时信号过大，此时，GaN高电子迁移率晶体管栅极肖特基结出现正向开启，导致栅极肖特基二极管导通，损坏GaN高电子迁移率晶体管，从而基站功率放大器损坏。一旦GaN高电子迁移率晶体管出现故障，将导致通信基站通信故障。
[0003]当前适用于无线通信系统的大功率的GaN高电子迁移率晶体管通常为一个分立的GaN器件或集成方案，但栅极均无过激励保护元件。在基站运行过程中，一旦出现干扰信号，或是电源出现毛刺信号，都将导致GaN高电子迁移率晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底以及设置在所述衬底上的半导体层，所述半导体层划分有有源区和位于所述有源区外围的无源区；所述有源区内的半导体层上设有源极、漏极、栅极、源场板和接地背孔，所述无源区内的半导体层上设有漏极焊盘和栅极焊盘，所述漏极与所述漏极焊盘电连接，所述栅极的一端通过所述源场板与所述栅极焊盘电连接、另一端位于所述源极和所述漏极之间，所述栅极焊盘至少部分设置于所述无源区，所述源极通过所述接地背孔接地，所述有源区内的半导体层上还设有肖特基结，所述肖特基结的正极与所述栅极焊盘电连接、负极与所述源极通过二维电子气实现电连接，所述肖特基结的正向开启电压大于所述栅极的正向开启电压。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极焊盘包括第一栅极焊盘和第二栅极焊盘，所述第一栅极焊盘对应所述有源区设置，所述第二栅极焊盘对应所述无源区设置，所述肖特基结设置在所述第一栅极焊盘下方。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极焊盘包括两个，两个所述第一栅极焊盘分别位于所述第二栅极焊盘的两端。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述肖特基结包括多个，多个所述肖特基结之间相互串联。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极焊盘对应所述无源区的边界设置，所述肖特基结设置在所述栅极焊盘和所述源极之间并与所述栅极焊盘连接。6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述肖特基结包括多个，多个所述肖特基结分别设置在所述第一栅极焊盘下方以及所述第一栅极焊盘和所述源极之间并与...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨天应，
申请(专利权)人：深圳市时代速信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：