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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本发明的半导体器件，包括衬底以及设置在衬底上的半导体层，半导体层划分有有源区和位于有源区外围的无源区；有源区内的半导体层上设有源极、漏极、栅极、源场板和接地背孔，无源区内的半导体层...
该专利属于深圳市时代速信科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市时代速信科技有限公司授权不得商用。

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