使等离子体－生成的离子偏转以防止离子到达ＥＵＶ光源的内部元件的系统和方法技术方案

一种用于保护ＥＵＶ光源（２０）的内部元件（３０）免受在等离子体形成位置（２８）上所产生且最初被引向内部元件（３０）的离子（２０６ａ，２０６ｂ）的影响的系统，所述系统包括：至少一个箔片（１８０），插入在内部元件（３０）和等离子体形成位置（２８）之间，所述箔片具有一个基本上沿着从等离子体形成位置（２８）到内部元件（３０）延伸的线对准的表面（２０８ａ，２０８ｂ）；以及磁源（２００ａ，２００ｂ），用于产生磁场（Ｂ２）以便于将离子（２０６ａ，２０６ｂ）偏转到箔片表面（２０８ａ，２０８ｂ）上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种远紫外(EUV)光源，该光源用于提供由源材料所产生 的等离子体发出的EUV光并且该EUV光被收集和引导至焦点，以便用在EUV光 源腔室之外，例如，用于波长大约20nm或者低于20nm的半导体集成电路制造光刻。
技术介绍
远紫外(EUV)光，例如，具有约20nm或者低于20nm波长的电磁辐射 和波长大约是13.5nm的入射光，可以用于光刻工艺，以便于在诸如硅片的基片中 产生极其小的特性。产生EUV光的方法包括，但并不限制于，将材料转换成等离子体状态，在该 等离子体状态中具有处于EUV范围内发射的诸如氙、锂或锑的元素。这种方法中 的一种方法时常被称之为放电产生等离子体(DPP)，在这种方法中，通过在 一对电极之间的放电来产生等离子体。在另一种方法中，可以通过采用激光光束 辐射目标材料，例如，具有所需光线发射元素材料的微滴、川流或集串，来产生 所需要的等离子体。这一激光处理工艺被称之为激光产生等离子体(LPP)。对于各种处理工艺来说，等离子体一般是在密封的容器中产生的，例如，是 在真空腔室中产生的，并且可以使用各种类型的测量设备进行监测。除了产生EUV 发射之外，这些等本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于保护ＥＵＶ光源内部元件免受在等离子体形成位置上所产生且最初被引向内部元件的离子的影响的系统，所述系统包括：至少一个箔片，插入在内部元件和等离子体形成位置之间，所述箔片具有一个基本上沿着从等离子体形成位置到内部元件延伸的线对准的表面；以及磁源，用于产生磁场以便于将离子偏转到箔片表面上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-6-8 11/148,0211.一种用于保护EUV光源内部元件免受在等离子体形成位置上所产生且最初被引向内部元件的离子的影响的系统，所述系统包括至少一个箔片，插入在内部元件和等离子体形成位置之间，所述箔片具有一个基本上沿着从等离子体形成位置到内部元件延伸的线对准的表面；以及磁源，用于产生磁场以便于将离子偏转到箔片表面上。2. 如权利要求l所述的系统，其特征在于，所述表面基本上是平的。3. 如权利要求l所述的系统，其特征在于，所述磁场是第一磁场，并且所述 系统还包括用于产生第二磁场的第二磁源，以便于将离子偏转到箔片表面上，所 述第二磁场的取向基本上垂直于所述第一磁场。4. 如权利要求3所述的系统，其特征在于，所述元件定义一个轴，所述等离子体形成位置处于所述轴上，并且所述第一磁场是基本均匀的磁场，且其所具有 的磁场线在所述等离子体形成位置处取向成基本垂直于所述轴。5. 如权利要求4所述的系统，其特征在于，所述第二磁场是基本均匀的磁场，且其所具有的磁场线在离所述等离子体形成位置一段距离处取向成基本垂直于所 述轴。6. 如权利要求l所述的系统，其特征在于，所述至少一个箔片是多个空间上 相互分开的箔片，各个所述箔片都具有基本上沿着从等离子体形成位置到内部元 件延伸的各个线对准的表面。7. 如权利要求l所述的系统，其特征在于，所述内部元件是镜面。8. 如权利要求7所述的系统，其特征在于，所述镜面是椭圆形的。9. 如权利要求l所述的系统，其特征在于，所述内部元件定义一个轴，所述 等离子体形成位置处于所述轴上，并且各个所述箔片表面基本上相对于所述轴径 向地对准。10. 如权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括气体源，用于提供在所 述等离子体形成位置和所述内部元件之间的气体分子，所述气体分子用于与等离 子体碎片...

【专利技术属性】
技术研发人员：CL瑞迪格，JR霍夫曼，EL瓦加斯，
申请(专利权)人：西默股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]