本发明专利技术是一种等离子体显示装置，其装置由上部基板与下部基板结合而形成，包含：由上述下部基板上形成的隔层而划分的多个放电信元，上述上部基板上形成的第１电极及第２电极，与上述放电信元的中心间的距离不同。本发明专利技术中的等离子体显示装置，使面板的上部基板上形成的两个电极的位置，以面板的中心为基准，使其不对称，从而使随着外部光线的入射而在下部基板上形成的影子，并非位于隔层上，而是位于地平面，从而可以减少面板的反射率，提高明室的明暗比。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于等离子体显示(Plasma Display)装置的，更具体讲，是关于 用于上述装置的等离子体显示面板(Panel)的结构的。
技术介绍
一般等离子体显示面板，由其上部基板与下部基板间形成的隔层组成一个 单位信元(cell)，各个信元(cell)内填充了氖(Ne)，氦(He),或氖与氦的混 合气体(Ne+He)等主放电气体与少量含有氙的惰性气体。高频电压导致放电时， 惰性气体产生真空紫外线(Vacuum Ultraviolet ray)，使隔层间形成的荧光体 发光，显示画面。如上所述的等离子体显示面板具有轻薄的结构，作为新一代 显示装置备受瞩目。但是，上述的等离子体显示面板，在被室内照明等外部光线照射时，由于 面板中形成的多个电极，导致面板反射率的降低，面板的明室的明暗比降低。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种具有可以改善面板的 反射率及明室的明暗比的结构的等离子体显示装置。为解决上述问题而专利技术的，本专利技术中的等离子体显示装置，由上部基板与 下部基板结合而形成，并且包含由上述下部基板上形成的隔层而划分的多个 放电信元(cell),上述上部基板上形成的第1电极及第2电极，与上述放电 信元(cell)的中心间的距离不同。为解决上述问题而专利技术另一种等离子体显示装置中，上述第1电极至相邻 的隔层间的距离，与上述第2电极至相邻的隔层间的距离不同。为解决上述问题而专利技术第三种等离子体显示装置中，上述第1电极，包含 第1透明电极及第1汇流电极；上述第2电极，包含第2透明电极及第 2汇流电极而组成，上述第1透明电极的中心到上述第1汇流电极的中心间 的距离，与上述第2透明电极的中心到上述第2汇流电极的中心间的距离不 同。具有上述结构的，本专利技术中的等离子体显示装置，使其面板的上部基板上 形成的两个电极的位置，以面板的中心为基准而非对称，从而随着外部光线的 照射，下部基板上形成的影子并非照射在隔层上，而照射在地平面上，从而可 以降低面板的反射率，提高明室的明暗比。附图说明图1是等离子体显示面板结构的一个实施例示意图。图2是等离子体显示面板的电极排列的一个实施例的剖面图。图3是将一帧(frame)分为多个子域(subfield)，而对等离子体显示面板进行分时驱动的方法的 一个实施例时序图。图4是驱动等离子体显示面板的驱动信号的一个实施例时序图。图5及图6是本专利技术中，等离子体显示面板的上部基板上形成的电极排列结构的实施例示意图。图7至图9是本专利技术中，上部基板与下部基板相结合的等离子体显示面板结构的实施例剖面图。具体实施例方式下面举较佳实施例，并配合附图对本专利技术中的等离子体显示装置详细说明 如下。图1是等离子体显示面板结构的一个实施例示意图。如图1所示，等离子体显示面板，包含位于上部基板10上的维持电极 对，即，扫描电极ll及维持电极12;下部基板20上形成的定位电极22。上述维持电极对ll, 12 —般包含由氧化铟锡(Indium-Tin-Oxide;ITO)形 成的透明电极(lla, 12a)与汇流电极(llb, 12b),上述汇流电极(llb, 12b) 可以由银(Ag)，铬(Cr)等金属或铬/铜/铬(Cr/Cu/Cr)叠加而形成，或由铬/ 铝/铬(Cr/Al/Cr)叠加而形成。汇流电极(llb， 12b)位于透明电极(lla, 12 a)上，起到降低因电阻值较高的透明电极(lla, 12a)导致的电压下降的作 用。一方面，根据本专利技术的一个实施例，维持电极对(ll, 12)不仅可以由透明 电极(lla 12a)与汇流电极(llb， 12b)叠加而成，还可以不需要透明电极(11 a, 12a)，仅由汇流电极(llb， 12b)组成。上述结构不使用透明电极(11a, 1 2a),因此可以降低面板制造的成本。用于上述结构的汇流电极(llb， 12b) 可以使用上面列举的材料以外的感光性材料等多种材料。扫描电极11及维持电极12的透明电极(lla， 12a)与汇流电极(llb， 11c) 间，排列着具有吸收上部基板(IO)的外部产生的外部光，降低反射的光阻断 功能及提高上部基板10的纯度(Purity)及对比度(contrast)的功能的黑底 (Black Matrix, BM' 15)。本专利技术的一个实施例中的黑底(black matrix) 15位于上部基板10上，可 以由位于与隔层21重叠的位置的第1黑底(black matrix) 15，及位于透明电 极(lla, 12a)与汇流电极(llb， 12b)间的第2黑底(black matrix) (lie, 1 2c)组成。其中，第1黑底(black matrix) 15与被称为黑层或黑色电极层的 第2黑底(black matrix) (lie, 12c)，在形成的过程中同时形成并物理性地连 接，亦可以不同时形成，不物理性地连接。又，物理性地连接形成时，第1黑底(black matrix) 15与第2黑底(bl ack matrix) (llc， 12c)以相同的材质形成，而物理性地分离形成时，可以由 不同材质形成。并排形成扫描电极11与维持电极12的上部基板10上将叠加上部电介质层 13与保护膜14。上部电介质层13上积聚放电产生的带电粒子，并执行保护维 持电极对ll， 12的功能。保护膜14在气体放电时产生的带电粒子的喷射(sp attering)过程中保护上部电介质层13，从而提高2次电子的放射效率。又，定位电极22以与扫描电极11及维持电极12交叉的方向形成。又， 形成定位电极22的下部基板20上将形成下部电介质层23与隔层21。又，下部电介质层23与隔层21表面形成荧光体层。隔层21由纵向隔层 21a与横向隔层21b封闭型地形成，并且物理地划分放电信元(cell)，防止放 电产生的紫外线与可视光线泄漏到相邻的放电信元(cell)中。本专利技术的一个实施例中，不仅是图1中图示的隔层21结构，其他多种形 状的隔层21也可以。例如，纵向隔层21a与横向隔层21b的高度不同的差等 型隔层结构，纵向隔层21a或横向隔层21b中，至少一个上形成可以用作排气 管道的通道(Channel)的管道型隔层结构，纵向隔层21a或横向隔层21b中， 至少一个以上中形成槽(Hollow)的槽型隔层结构等。其中，差等型隔层结构，其横向隔层21b的高度应该更高，管道型隔层结 构或槽型隔层结构，应在横向隔层21b上形成管道或槽。一方面，本专利技术的实施例中，对R, G及B放电信元(cell)分别排列在 同一条线上的结构为例进行了图示及说明，然，以其他形状排列亦可以。例如， R， G及B放电信元(cell)以三角形的形状排列的三角形(Delta)类型的 排列亦可以。又，放电信元(cell)的形状也不限于四边形，五角形，六角形 等多种多边形亦可以。又，上述荧光体层由于气体放电时产生的紫外线而发光，产生红色(R), 绿色(G)或蓝色(B)中的某一种可视光。其中，上部/下部基板(10， 20)与隔 层21间的放电空间中，将注入可以产生放电的He+Xe， Ne+Xe及He+Ne+Xe 等惰性混合气体。图2是等离子体显示面板的电极排列的一个实施例的剖面图，组成等离 子体本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种等离子体显示装置，由上部基板与下部基板结合而形成，其特征是在于还包含：由上述下部基板上形成的隔层而划分的多个放电信元，上述上部基板上形成的第１电极及第２电极，上述第１，２电极与上述放电信元的中心间的间距不同。
【技术特征摘要】
KR 2006-12-6 10-2006-01232671、一种等离子体显示装置，由上部基板与下部基板结合而形成，其特征是在于还包含由上述下部基板上形成的隔层而划分的多个放电信元，上述上部基板上形成的第1电极及第2电极，上述第1，2电极与上述放电信元的中心间的间距不同。2、 如权力要求1所述的等离子体显示装置，其特征是上述放电信元的 中心至上述第1电极间的间距，比上述放电信元的中心至上述第2电极间的 间距大。3、 如权力要求1所述的等离子体显示装置，其特征是还包含上述上部 基板上形成的电介质层，上述第1， 2电极比上述电介质层的颜色暗。4、 如权力要求1所述的等离子体显示装置，其特征是上述第2电极至 与之相邻的隔层的间距，比与上述下部基板间的间距大。5、 如权力要求1所述的等离子体显示装置，其特征是上述第2电极至 与之相邻的隔层间的间距，比上述隔层的高度大。6、 一种等离子体显示装置，由上部基板与下部基板结合而形成，其特征在 于还包含由上述下部基板上形成的隔层而划分的多个放电信元， 上述上部基板上形成的第1电极及第2电极， 上述第1， 2电极距离与之相邻的隔层间的间距不同。7、 如权力要求6所述的等离子体显示装置，其特征是上述第2电极至与之相邻的隔层间的间距，比上述第1电极至与之相邻的隔层间的间距大。8、 如权力要求6所述的等离子体显示装置，其特征是还包含上述上部 基板上形成的电介质层，上述第1， 2电极，比上述电介质层的颜色暗。9、 如权力要求6所述的等离子体显示装置，其特征是上述第2电极，距离与之相邻的隔层的间距，比与上述下部基板间的间...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁圣秀，
申请(专利权)人：乐金电子南京等离子有限公司，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]
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