用于把离子引入离子阱的方法以及离子存储设备技术

本发明专利技术描述了一种把离子引入到离子阱中的方法以及一种离子存储设备。利用引入装置通过到所述离子阱的入口孔径把第一离子引入到该离子阱中。调节所述引入装置的操作条件，以便通过所述相同的入口孔径把极性不同于第一离子的第二离子引入到该离子阱中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种把离子引入到离子阱中的方法以及一种离子存储 设备。
技术介绍
最先由W. Paul和H. Steinwedel于1953年描述了使用四极离子阱 (QIT)作为捕捉及存储带电粒子的措施(Zeitschrift fur Naturforschung， 8A; 12f2， p448以及US 2,939,952 )。这种技术持续 发展，并且QIT在1959年第一次被用作质语仪，如E. Fischer在 Zeitschrift f. Phvsik 156 ( 1959 Pl-26 )中所描述的那样。从那时开始， 针对离子存储和质量分析的QIT就一直在稳定发展。在Raymond E. March和John F. Todd的Quadrupole Ion Trap Mass Spectrometry(四 极离子阱质谱学)中回顾了这种进展。然而，近来更多的注意力都集中在2D离子阱上，2D离子阱也被 称作线性离子阱(LIT )和数字离子阱(DIT )，正如L. Ding等人在Ion Motion in the Rectangular Wave Quadrupole Field and本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种把离子引入到离子阱中的方法，其包括以下步骤：利用引入装置通过到所述离子阱的入口孔径把第一离子引入到所述离子阱中；以及选择性地调节所述相同的引入装置的操作条件，以通过所述相同的入口孔径把极性不同于第一离子的第二离子引入到该离子阱中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】GB 2005-6-3 0511386.51、一种把离子引入到离子阱中的方法，其包括以下步骤利用引入装置通过到所述离子阱的入口孔径把第一离子引入到所述离子阱中；以及选择性地调节所述相同的引入装置的操作条件，以通过所述相同的入口孔径把极性不同于第一离子的第二离子引入到该离子阱中。2、 根据权利要求l的方法，其中，所述第一和第二离子适于发生 离子-离子反应。3、 根据权利要求2的方法，其中，所述第一和第二离子的其中之 一是反应物离子，其导致所述第一和第二离子当中的另一种的电荷减 少。4、 根据权利要求3的方法，其中，所述电荷减少导致所述第一和 第二离子当中的所述另一种的电子转移解离。5、 根据权利要求1-4当中的任一项的方法，其中，所述第一离子 和所述第二离子由相同的离子源生成。6、 根据权利要求1-4当中的任一项的方法，其中，所述第一离子 和所述第二离子由不同的离子源生成。7、 根据权利要求5或权利要求6的方法，其中，所述第一和/或第 二离子由APCI、 CI、 PI、 ESI、 MALDI当中的一项或多项生成。8、 根据权利要求3的方法，其中，所述反应物离子是通过气流辅 助的辉光放电管中的电子附着所生成的阴离子。9、 根据权利要求8的方法，其中，所述气流辅助的辉光放电管包 括热灯丝，以便提供电子发射。10、 根据前述权利要求任一项所述的方法，其中，所述第一离子 与所述第二离子具有不同的质荷比。11、 根据前述权利要求任一项所述的方法，其中，所述引入装置 包括静电透射透镜，并且所述调节所述引入装置的所述操作条件的步 骤包括颠倒沿着所述透镜的透射轴的dc电势梯度。12、 根据权利要求ll所述的方法，其中，所述颠倒dc电势梯度的 步骤包括改变所述透射透镜的偏置电压。13、 根据权利要求11或10所述的方法，其中，所述引入装置包 括门透镜，并且调节所述操作条件的所述步骤包括改变该门透镜的偏置电压。14、 根据权利要求11到13当中的任一项所述的方法，其中，所 述引入装置包括HF多极透镜。15、 根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁力，AJ史密斯，NE尼古拉耶维奇，
申请(专利权)人：岛津研究所欧洲有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]