用于冗余阳极溅射的方法和系统技术方案

本发明专利技术涉及一种方法，用于基底覆层，具有被构成为磁控管的阴极，在该阴极旁边两个电极被交替地施加以正电势（阳极电势）或负电势，本发明专利技术还涉及一种用于基底覆层的系统，该系统具有真空室、磁控管阴极、两个电极和电压源，本发明专利技术的任务在于，通过提高层厚均匀度，以及通过减少由冗余阳极引发的基底的污染，来提高基底覆层的质量。这在方法方面如此解决，即以一定电平生成负电势，所述电平最高与阴极电势的电平相同。这样就可以避免待清理的电极蚀刻的程度大于它的在先的半波中的被覆层的程度。系统方面的解决方法设计，所述磁控管阴极和所述电极通过开关元件与所述电压源无电流地如此连接，即由该电压源产生的负电压和正电压交替地可作用到所述电极上，所述负电压和正电压的电平最高等于所述阴极电压的电平。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于基底的覆层的方法，釆用从靶到被构成为磁 控管的阴极的冗余阳极溅射，在该方法中所述阴极被供给负的阴极电 势，并且除了该阴极之外两个电极交替地被施加以正的电势(阳极电 势)或者负的电势。本专利技术还涉及一种采用冗余阳极溅射以用于基底的覆层的系统， 该系统包括真空室、磁控管阴极、两个电极和电压源。
技术介绍
在用于光学应用的真空覆层技术中，需要透明的氧化层。按照现 有技术，该层根据不同材料或是采用直流方法或是釆用交流方法来制 造。为此，平面的或是圆柱形的磁控管阴极装载待沉积的材料，并且 在纯粹的氩气气氛中或者在反应性气氛中以阴极溅射工艺(溅射工艺) 来驱动。这种用于氧化物或者氮化物的溅射工艺的主要问题在于，除了基 底之外所有其它的在覆层区域内的表面可惜都被镀上了导电性能很差 的材料。这种覆层也会产生于在溅射工艺中所采用的阳极上。阳极的 这种被导电性能差或者不导电的材料的覆层妨碍了电流流动，并且在 极端情况下甚至完全阻断它。在真空之外，这种以导电性能差的材料的覆层将伴随阳极电压随 时间的上升而能够被识别。这种附加的电压下降导致功率损失并且导致覆层工艺的不稳定。在对待覆本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于基底的覆层的方法，采用从靶到被构成为磁控管的阴极的冗余阳极溅射，在其中所述阴极被供给负阴极电势，并且除了所述阴极之外两个电极交替地被施加以正电势（阳极电势）或者负电势，其特征在于，所述负电势以一定的电平被生成，所述电平最高与所述阴极电势的电平相同。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2005-11-4 102005053070.2;DE 2006-2-15 1020060071.用于基底的覆层的方法，采用从靶到被构成为磁控管的阴极的冗余阳极溅射，在其中所述阴极被供给负阴极电势，并且除了所述阴极之外两个电极交替地被施加以正电势(阳极电势)或者负电势，其特征在于，所述负电势以一定的电平被生成，所述电平最高与所述阴极电势的电平相同。2. 根据权利要求l所述的方法，其特征在于，生成交流电压，由 所述交流电压，所述阴极电势电不隔离地被生成为脉冲的直流电压； 并且所述交流电压的负半波分别交替地施加到一个电极上，而同时所 述交流电压的正半波分别以降低的电平施加到另一个电极上。3. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在电极上的所述负 半波的所述电平被降低。4. 根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，在所述电极上的 所述电势的所述电平被可调节地降低。5. 根据权利要求l所述的方法，其特征在于，生成直流电压，由 所述直流电压，所述阴极被电不隔离地供给以负直流电压作为阴极电 势，同时一个电极由所述直流电压分别施加以负电势，而另一个电极 被施加以与所述直流电压的正电势的电平相比而言在电平上被降低了 的电势。6. 根据权利要求l所述的方法，其特征在于，生成第一直流电压 和第二直流电压，由所述第一直流电压和所述第二直流电压，所述阴 极交替地被电不隔离地供给以负直流电压作为阴极电势，同时一个电 极分别由这些直流电压施加以负电势，而另一个电极被施加以与所述 第一直流电压和所述第二直流电压的正电势的电平相比而言在电平上被降低了的电势。7. 根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述负电势与所 述第一直流电压和所述第二直流电压的负电势的电平相比而言在电平 上被降低。8. 根据权利要求5至7之一所述的方法，其特征在于，在所述电极 上的所述电势的电平被可调节地降低。9. 采用冗余阳极溅射以用于基底的覆层的系统，所述系统包括真 空室、磁控管阴极、两个电极和电压源，其特征在于，所述磁控管阴 极和所述电极通过开关元件与所述电压源无电地如此连接，即在所述 电极上可以交替地施加由所述电压源产生的负电压和正电压，所述负 电压和正电压的电平最高等于所述阴极电压的电平。10. 根据权利要求9所述的系统，其特征在于，所述电压源被构成为具有第一和第二电压输出端的交流电压源(Vmf);所述第一电压输出端与第一二极管(v,)的阴极连接，而所述第二电压输出端与第二二极管 (V》的阴极连接，并且所述第一二极管(Vi)的阳极和所述第二二极管(V2) 的阳极共同与所述磁控管阴极连接；所述第一电压输出端直接与所述 第一电极连接，而所述第二电压输出端直接与所述第二电极连接，并且所述第一电极通过第一二极管/电阻串联电路(VzM， R^)接地，而所 述第二电极通过第二二极管/电阻串联电路(Vzh2， Rzh2)接地。11. 根据权利要求9所述的系统，其特征在于，所述电压源被构成为具有第一和第二电压输出端的交流电压源(Vmf);所述第一电压输出 端与第一二极管(VD的阴极连接，而所述第二电压输出端与第二二极管 (V2)的阴极连接，并且所述第一二极管(V0的阳极和所述第二二极管(V2)的阳极共同与所述磁控管阴极连接；所述第一电压输出端通过在正电压情况下在所述第一电压输出端沿着电流方向设定极性的第三二极管(V3)与所述第一电极连接，并且所述第二电压输出端通过在正电压情况 下在所述第一电压输出端沿着电流方向设定极性的第四二极管(V4)与 所述第二电极连接，所述第三二极管(V3)与第一电阻(R0桥接，所述第 四二极管(V4)与第二电阻(R2)桥接，并且所述第一 电极通过第一二极管/电阻串联电路(V^， R^)接地，而所述第二电极通过第二二极管/电阻串联电路(Vzh2， Rzh2)接地。12. 根据权利要求ll所述的系统，其特征在于，所述第一电阻(R,)和/或所述第二电阻(R2)被构成为可调电阻。13. 根据权利要求ll所述的系统，其特征在于，所述第一电阻以 第一晶体管(Vs)的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：格茨特施纳，法尔克米尔德，伊诺米林，弗兰克迈斯纳，格茨格罗塞尔，
申请(专利权)人：冯阿德纳设备有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]