制作至少一个溅射涂覆基板的方法及溅射源技术

利用恒定磁场（Ｈ↓［ｓ］）进行溅射。通过将调制磁场（Ｈｍ）叠加到所述恒定磁场（Ｈ↓［ｓ］），调制邻近负责该恒定磁场的磁极之一的该恒定磁场（Ｈ↓［ｓ］），由此最小化或略去经历再次沉积的溅射表面（３）的未被侵蚀区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及制作至少一个溅射涂復基板的方法，其包括从包括至少一个溅射把的把装置(target arrangement)磁场增强溅射涂覆 所述至少一个基板，该至少一个溅射靶具有溅射表面.本专利技术还涉及溅射源，该溅射源包括具有溅射表面的至少一个靶 和磁场发生部件从而增强溅射.
技术介绍
在通过真空沉积工艺的涂覆基板
中，溅射长久以来就为 人所知，由此，在真空腔内，电场施加在阳极和靶阴极之间，通常为 诸如氩气的惰性气体的工作气体被引入真空腔.简言之，工作气体通 过碰撞电离，以形成正的惰性气体离子，该离子被所述电场加速朝向 耗的栽射表面，把材料被賊射脱离该溅射表面而进入真空气氛并沉积 在待涂覆的一个或一个以上的基板上.使用反应气体替换该工作气体 或反应气体添加到该工作气体中，使得该反应气体在邻近溅射表面的 等离子体内被激励，并使得基板涂覆有反应气体的反应产物以及溅射 脱离的靶材料.通过气体电离工艺而游离的电子基本上对正在发生的电离有贡献.通过邻近该靶的溅射表面施加磁场，垂直于电场的磁场分量施加 到乾阴极上，由此可以增强该栽射工艺。施加这种磁场的一般效果为 特别是重量轻的电子的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作至少一个溅射涂覆基板的方法，包括：　从包括至少一个溅射靶的靶装置磁场增强溅射涂覆所述至少一个基板，所述至少一个溅射靶具有溅射表面，由此：　通过第一磁极静止和细长装置和第二磁极静止和细长装置在所述表面上产生时变磁场，所述第一和第二静止和细长装置设置成相互分隔，一个顺着另一个，且其至少一个位于所述溅射表面下方，所述第一和第二静止和细长装置共同地产生具有磁力线图案的恒定磁场，所述磁力线图案当在垂直于所述表面的相应平面考虑时在所述表面上方呈拱形且当沿垂直于所述平面的方向考虑时呈隧道状；　叠加调制磁场到所述恒定磁场，以邻近所述第一磁极静止和细长装置和所述第二磁极静止和细长装置之一并沿着所述一个静...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-12-22 60/753,1441.一种制作至少一个溅射涂覆基板的方法，包括从包括至少一个溅射靶的靶装置磁场增强溅射涂覆所述至少一个基板，所述至少一个溅射靶具有溅射表面，由此通过第一磁极静止和细长装置和第二磁极静止和细长装置在所述表面上产生时变磁场，所述第一和第二静止和细长装置设置成相互分隔，一个顺着另一个，且其至少一个位于所述溅射表面下方，所述第一和第二静止和细长装置共同地产生具有磁力线图案的恒定磁场，所述磁力线图案当在垂直于所述表面的相应平面考虑时在所述表面上方呈拱形且当沿垂直于所述平面的方向考虑时呈隧道状；叠加调制磁场到所述恒定磁场，以邻近所述第一磁极静止和细长装置和所述第二磁极静止和细长装置之一并沿着所述一个静止和细长装置的至少主要部分。2. 如权利要求l所述的方法，包括作为时间及沿着所述至少一个 静止和细长装置的位置的函数，由此沿着所述一个装置成波状方式，执 行所述调制。3. 如权利要求1或2所述的方法，执行所述调制包括移动一个或 交替极性磁极的装置邻近垂直于和/或沿着所述至少一个磁极静止和细长 装置。4. 如权利要求l至3之一所述的方法，执行所述调制包括移动铁 磁分流部件的装置邻近垂直于和/或沿着所述至少一个磁极静止和细长装 置，所述部件沿所述移动方向相互分隔.5. 如权利要求1至4之一所述的方法，还包括提供第三磁极静止和 细长装置，所述第二静止装置设置在所述第一和第三静止和细长装置之 间并位于所述溅射表面下方，所述调制包括调制邻近并沿着所述笫二磁 极静止和细长装置。6. 如权利要求1至5之一所述的方法，包括选择所述叠加的调制 磁场以强于所述恒定磁场.7. 如权利要求1至6之一所述的方法，包括选择所述叠加的调制 磁场以弱于其所叠加到的所述恒定磁场.8. 如权利要求1至7之一所述的方法，实现所述调制磁场包括提 供可绕轴旋转的鼓邻近并沿着所述至少一个静止和细长装置，所述鼓具有铁磁部件和磁极至少之一的至少一个图案.9. 如权利要求8所述的方法，所述困案为绕所述鼓的表面的螺旋图案.10. 如权利要求1至9之一所述的方法，由此提供设置为互相挨着 的至少两个把，所述一个磁极静止和细长装置基本上位于所述至少两个 扭之间.11. 如权利要求1至10之一所述的方法，还包括通过设置成沿着 并且介于所述第一和第二磁极静止和细长装置之间的磁偶极子静止和细 长装置，偶极子的轴基本上平行于所述表面且位于所i^A面下方，由此 平坦化所述恒定磁场.12. 如权利要求5至11之一所述的方法，还包括通过设置成沿着 并且介于所述第一和第二磁极静止和细长装置之间以及介于所述笫三和 第二磁极静止和细长装置之间的磁偶极子静止和细长装置，偶极子的轴 基本上平行于所述溅射表面且位于所述溅射表面下方，由此平坦化所述 恒定磁场.13. —种栽射源，包括具有溅射表面的至少一个溅射靶，沿着所述把的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：F阿塔姆尼，S卡德莱克，S克拉斯尼特泽，W哈格，P格鲁南费尔德，
申请(专利权)人：OC欧瑞康巴尔斯公司，
类型：发明
国别省市：LI[列支敦士登]