离子源组件制造技术

本发明专利技术涉及一种离子源组件，该离子源组件包括冷阴极、栅极和离子加速极，冷阴极、栅极和离子加速极分别相向间隔设置，该栅极位于冷阴极与离子加速极之间，其中，冷阴极与栅极之间的距离小于或等于２毫米。该离子源组件的冷阴极采用碳纳米管作为场发射薄膜来发射电子，因此其具有低功耗、低放气率、发射电子稳定及抗离子轰击等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一 离子源组件，尤其涉及一种发射离子稳定的离子源组件。
技术介绍
碳纳米管(CarbonNanotube， CNT)具有极优异的导电性能、化学稳定性及小，其局部电场愈集中)，使得碳纳米管在场发射真空离子源领域具有潜在的 应用前景。如，应用在平面显示装置、真空离子源组件、扫描电子显微镜 (Scanning Electron Microscope)、 透射电子显孩t镜(Transmission Electron Microscope)等设备的电子发射部件中。传统的场发射离子源组件中，其包括以碳纳米管为场发射薄膜的冷阴极， 设置于冷阴极上的栅极，以及设置于栅极上的离子加速极，冷阴极、栅极与 离子加速极三者相互绝缘地间隔设置。在离子源组件的工作状态下，由于离 子源组件内气体分子的脱附、吸附效应，气体离子对碳纳米管的轰击及活性 气体分子与碳纳米管之间的相互作用，会造成碳纳米管形态的改变，从而影响碳纳米管发射电子的稳定性，进而阻碍了碳纳米管于离子源中的应用。有鉴于此，提供一种低功耗、低放气率、发射电子稳定且抗离子轰击的 离子源组件是必要的。
技术实现思路
一种离子源组件，包括冷阴极，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子源组件，包括冷阴极、栅极和离子加速极，冷阴极、栅极和离子加速极相互绝缘地间隔设置，该栅极位于冷阴极与离子加速极之间，其特征在于：冷阴极与栅极之间的距离小于或等于２毫米。

【技术特征摘要】
1.一种离子源组件，包括冷阴极、栅极和离子加速极，冷阴极、栅极和离子加速极相互绝缘地间隔设置，该栅极位于冷阴极与离子加速极之间，其特征在于冷阴极与栅极之间的距离小于或等于2毫米。2. 如权利要求l所述的离子源组件，其特征在于，冷阴极包括基底及场发射 薄膜，场发射薄膜设置于基底上且面向栅极。3. 如权利要求2所述的离子源组件，其特征在于，基底的底面为平面或曲面。4. 如权利要求2所述的离子源组件，其特征在于，所述场发射薄膜含有碳纳 米管、低熔点玻璃及导电金属微粒。5. 如权利要求4所述的离子源组件，其特征在于，所述碳纳米管于场发射薄 膜中露头。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：肖林，杨远超，潜力，刘亮，陈丕瑾，胡昭复，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]