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一种用多个离子阱进行串级质谱分析的方法技术

技术编号:3148609 阅读:184 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术属于质量分析技术领域,具体涉及一种用多个离子阱进行串级质谱分析的方法,包括在第一个离子阱内产生以四极场为主的高频捕获电场,以捕获多种质荷比的离子,又在第一个离子阱内产生沿连接第一个离子阱中心到第二个离子阱中心的直线方向的一定频率的偶极激发交变电场,使某一质荷比的离子受到共振激发而沿该方向振荡达到较大的振幅,进一步在第一个离子阱的某特定相位,产生排出脉冲电场,使上述达到较大的运动振幅的离子排出并进到第二个离子阱内,而其他质荷比的离子仍留在第一个离子阱内;通过在第二个离子阱内加减速场或利用气体碰撞,使上述进入的离子或其产物离子被捕获,并在第二个离子阱中作进一步的研究分析。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于质量分析
,具体涉及一种使用两个或两个以上的离子阱对离子进 行质量分析的方法。
技术介绍
质谱仪是一种可以用于分析物质样品中各种成分、含量和分子结构的科学仪器。离子 阱质谱仪是目前被广泛应用的质谱仪器之一。它具有结构简单,操作方便,价格较便宜等 特点。被广泛地应用于化学,生命科学,地质科学,石油化工,医药卫生,环境保护,食 品安全等各个领域。传统的离子阱按照其结构的不同可以分为三维离子阱,线形离子阱。构成离子阱的电 极形状有双曲面形电极,圆柱形电极,或矩形电极等。图1给出了一个传统的线形离子阱的四根双曲面电极的结构示意图(线形离子阱的两 个端电极图中没有显示)。在实际使用中,将两根相对的电极ll和13, 12和14连接在一 起,形成两个端点15和16,然后在每一个端点上加上极性相反的射频电源。如下式所示①,(t)二+(U+Vcoscot)①2(t):-(U+Vcoscot)式中,U代表直流电压,V代表交流电压,=2Jif代表射频电源的角频率,f为射频 电源的频率。四极离子阱系统在射频电源的作用下,在由四根电极所围成的区域内,产生以四极电 场为主的电场分布。它可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用多个离子阱进行串级质谱分析的方法,包含下列步骤:在第一个离子阱内产生以四极场为主的高频捕获电场,用以捕获多种质荷比的离子;在第一个离子阱内产生沿连接第一个离子阱中心到第二个离子阱中心的直线方向的一定频率的偶极激发交变电场,使某一质荷 比的离子受到共振激发而在该方向达到较大的运动振幅;在偶极激发交变电场某特定相位,在第一个离子阱内,产生排出脉冲电场,使上述达到较大的运动振幅的某一质荷比的离子排出并进入到第二个离子阱内,而其他质荷比的离子仍留在第一个离子阱内;在第二个离 子阱内,产生高频捕获电场,使上述进入第二个离子阱的离子或其产物离子在第二个离子阱被捕获。

【技术特征摘要】
1一种用多个离子阱进行串级质谱分析的方法,包含下列步骤在第一个离子阱内产生以四极场为主的高频捕获电场,用以捕获多种质荷比的离子;在第一个离子阱内产生沿连接第一个离子阱中心到第二个离子阱中心的直线方向的一定频率的偶极激发交变电场,使某一质荷比的离子受到共振激发而在该方向达到较大的运动振幅;在偶极激发交变电场某特定相位,在第一个离子阱内,产生排出脉冲电场,使上述达到较大的运动振幅的某一质荷比的离子排出并进入到第二个离子阱内,而其他质荷比的离子仍留在第一个离子阱内;在第二个离子阱内,产生高频捕获电场,使上述进入第二个离子阱的离子或其产物离子在第二个离子阱被捕获。2. 根据权利要求1所述的串级质谱分析的方法,其特征在于进一步包含,在第二个离 子阱内,叠加脉冲减速电场,使上述进入第二个离子阱的离子动能降低,被第二个离子阱 的电场捕获。3. 根据权利要求1所述的串级质谱分析的方法,其特征在于进一步包含,在第二个离 子阱内,注入碰撞气体,使上述进入第二个离子阱的离子因碰撞而降低动能,被第二个离 子阱的电场捕获。4. 根据权利要求1所述的串级质谱分析的方法,其特征在于进一步包含,在第二个离 子阱内,注入碰撞气体,使上述进入第二个离子阱的离子因碰撞而发生裂解,裂解后至少 一种产物离子被第二个离子阱的电场捕获。5. 根据权利要求1所述的串级质谱分析的方法,其特征在于所述第一个离子阱和第二 个离子阱为直线形离子阱,两阱的轴线基本平行放置,两阱间有通槽能使离子传输到对方。6. 根据权利要求1或5所述的串级质谱分析的方法,其特征在于所述一定频率的偶极 激发交变电场为周期性脉冲交变电场。7. 根据权利要求1至6之一所述的串级质谱分析的方法,其特征在于所述其中偶极激 发的电场强度足以使上述被选质荷比的离子受到共振激发至运动振幅超过离子阱场半径 的一半。8. 根据权利要求2至7之一所述的串级质谱分析的方法,其特征在于所述的直线形离 子阱至少一个是具有矩形横截面的直线形离子阱。9. 根据权利要求2至7之一所述的串级质谱分析的方法,其特征在于所述第一个和第二个直线形离子阱都具有矩形横截面,并由之间的一面包含电极以及电极中的通槽的隔墙 隔开。10.根据权利要求8或9之一所述的串级质谱分析的方法,其特征在于所述具有矩形 横截面的直线形离子阱边界上的电极由绝缘体或半导体的基片上的印刷电路构成。11.根据权利要求1至10之一所述的串级质谱分析的方法,其特征在于所述排出脉冲 电...

【专利技术属性】
技术研发人员:蒋公羽罗婵丁传凡丁力
申请(专利权)人:复旦大学株式会社岛津制作所
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]

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