一种浸没式ArF光刻用光产酸剂的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种浸没式ArF光刻用的光产酸剂的制备方法。本发明专利技术的制备方法包括以下步骤：在溶剂中，将化合物II和化合物III进行如下式的成盐反应，得到所述的如式I所示的化合物。含有通过本发明专利技术制得的光产酸剂的光刻胶具有分辨率高、灵敏度高和线宽粗糙度低的优点，具有良好的应用前景。有良好的应用前景。有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种浸没式ArF光刻用光产酸剂的制备方法


[0001]本专利技术涉及一种浸没式ArF光刻用光产酸剂的制备方法。

技术介绍

[0002]光刻技术是指利用光刻材料(特指光刻胶)在可见光、紫外线、电子束等作用下的化学敏感性，通过曝光、显影、刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜版上的图形转移到衬底上的图形微细加工技术。光刻材料(特指光刻胶)，又称光致抗蚀剂，是光刻技术中涉及最关键的功能性化学材料，其主要成分是树脂、光产酸剂(Photo Acid Generator，PAG)、以及相应的添加剂和溶剂。光产酸剂是一种光敏感的化合物，在光照下分解产生酸，所产生的酸可使酸敏树脂发生分解或者交联反应，从而使光照部分与非光照部分在显影液中溶解反差增大，可以用于图形微细加工

[0003]光刻胶的三个重要参数包括分辨率、灵敏度、线宽粗糙度，它们决定了光刻胶在芯片制造时的工艺窗口。随着半导体芯片性能不断提升，集成电路的集成度呈指数型增加，集成电路中的图形不断缩小。为了制作更小尺寸的图形，必须提高上述三个光刻胶的性能指标。根据瑞利方程式，在光刻工艺中使用短波长的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种如式I所示的化合物的制备方法，其包括以下步骤：在溶剂中，将化合物II和化合物III进行如下式的成盐反应，得到所述的如式I所示的化合物；其中，X为卤素；N为碱金属；R1、R2、R3、R4和R5独立地为H、卤素、C1‑6烷基或
‑
O
‑
C1‑6烷基；n为2或3；A为S或I；Y为C6‑
14
芳基、被Y
‑1取代的C6‑
14
芳基或Y
‑1为羟基、C1‑6烷基或
‑
O
‑
C1‑6烷基；M为C6‑
14
芳基、被M
‑1取代的C6‑
14
芳基或不存在；M
‑1独立地为C1‑6烷基或
‑
O
‑
C1‑6烷基。2.如权利要求1所述的如式I所示的化合物的制备方法，其特征在于，所述的如式I所示的化合物制备方法满足如下1个或多个条件：
①
X中，所述的卤素为F、Cl、Br或I；
②
N中，所述的碱金属为Li、Na或K；
③
R1、R2、R3、R4和R5中，所述的卤素为F、Cl、Br或I；
④
R1、R2、R3、R4和R5中，所述的C1‑6烷基和所述的
‑
O
‑
C1‑6烷基中的C1‑6烷基独立地为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基或叔丁基；
⑤
Y中，所述的C6‑
14
芳基和所述的被Y
‑1取代的C6‑
14
芳基中的C6‑
14
芳基独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基；
⑥
Y
‑1中，所述的C1‑6烷基和所述的
‑
O
‑
C1‑6烷基的C1‑6烷基独立地为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基或叔丁基；
⑦
M中，所述的C6‑
14
芳基和被M
‑1取代的C6‑
14
芳基中的C6‑
14
芳基独立地为独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基；
⑧
M
‑1中，所述的C1‑6烷基和所述的
‑
O
‑
C1‑6烷基中的C1‑6烷基独立地为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基或叔丁基。3.如权利要求2所述的如式I所示的化合物的制备方法，其特征在于，所述的如式I所示的化合物满足如下1个或多个条件：
①
Y中，所述的被Y
‑1取代的C6‑
14
芳基为
②
当所述的Y为所述的C6‑
14
芳基或所述的被Y
‑1取代的C6‑
14
芳基，所述的C6‑
14
芳基和所述
的被Y
‑1取代的C6‑
14
芳基中的C6‑
14
芳基为独立地为苯基时，所述的为为
③
M中，所述的被M
‑1取代的C6‑
14
芳基为4.如权利要求1所述的如式I所示的化合物的制备方法，其特征在于，所述的如式I所示的化合物制备方法满足如下1个或多个条件：
①
R1、R2、R3、R4和R5为H；
②
n为3；
③
A为S；
④
Y
‑1为羟基或
‑
O
‑
C1‑6烷基；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王溯，方书农，徐森，林逸鸣，
申请(专利权)人：上海芯刻微材料技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：