电子发射器件和图像显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电子发射器件和图像显示装置。电子发射器件包括：形成在绝缘基板上的一对器件电极；以及导电膜，其形成为连接所述器件电极并且具有电子发射部分，其中，所述导电膜具有３ｎｍ至５０ｎｍ的厚度，并且用贵金属以及贱金属的氧化物制成，在被包含在所述导电膜中的金属之中的贱金属的百分比是３０ｍｏｌ％或更多，并且所述导电膜在厚度方向上具有所述贱金属的氧化物的浓度梯度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种应用于扁平式图像显示装置的电子发射器件以 及通过使用所述电子发射器件所制造的图像显示装置。
技术介绍
表面导电型电子发射器件使用其中通过使电流平行于膜表面通 过基板上形成的小面积导电膜而发射电子的现象，并且这样的导电膜通常具有通过预先通电(energization)(成形)而形成的电子发射部 分。也就是说，DC电压或大约1V/分钟的非常緩慢地上升的电压被施 加到导电膜的两端，从而对导电膜进行局部地击穿、变形或退化，并 且由此在电气上高电阻的状态下形成电子发射部分。电子发射部分具 有在导电膜的部分所产生的裂缝，并且电子从裂缝周围发射。表面导电型电子发射器件具有简单的结构，并且容易制造，因此， 可以将大量器件有利地布置在大面积中。因此，现在正在研究利用这 种特征的各种应用。作为对于大面积有利的表面导电型电子发射器件 的制造方法，有关申请人已经提出了一种形成导电膜的方法，该方法 不依赖于溅射方法或使用真空的蒸镀方法。其示例是这样的方法通 过旋涂器将包含有机金属的溶液施加到基板，所述溶液被构图为期望 的形状，并且所述有机金属被以热解方式分解，以获得以微粒所制成 的导电膜。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子发射器件，包括：　形成在绝缘基板上的一对器件电极；以及　导电膜，其被形成以连接所述器件电极，并且具有电子发射部分，　其中，所述导电膜具有３ｎｍ至５０ｎｍ的厚度，并且由贵金属和贱金属的氧化物制成，　在被包含在所述导电膜中的金属之中的贱金属的百分比是３０ｍｏｌ％或更多，以及　所述导电膜在厚度方向上具有所述贱金属的氧化物的浓度梯度。

【技术特征摘要】
JP 2007-8-9 2007-2073471、一种电子发射器件，包括形成在绝缘基板上的一对器件电极；以及导电膜，其被形成以连接所述器件电极，并且具有电子发射部分，其中，所述导电膜具有3nm至50nm的厚度，并且由贵金属和贱金属的氧化物制成，在被包含在所述导电膜中的金属之中的贱金属的百分比是30mol％或更多，以及所述导电膜在厚度方向上具有所述贱金属的氧化物的浓度梯度。2、 如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩城孝志，伊部刚，寺田匡宏，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]