III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法技术

本发明专利技术提供III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法。提供具有优异的导电性和低吸光系数的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体掺杂有N型掺杂剂和锗元素，N型掺杂剂的浓度为1

【技术实现步骤摘要】
III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法


[0001]本专利技术涉及III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造装置。

技术介绍

[0002]具有III族氮化物基板的半导体被用于半导体激光器和发光二极管等光学器件以及高频或高输出功率的电子器件等领域。这样的半导体与硅系的器件相比，能够期待电力转换时的开关损耗的降低，因此近年来特别受到关注。为了制作高频或高输出功率的电子器件，需要在能够抑制器件层中产生的晶体缺陷的高品质的III族氮化物基板上制作器件。这样的III族氮化物基板有时是通过从III族氮化物晶体切出多片来制造的。
[0003]III族氮化物晶体的制造方法包括例如氢化物气相生长法(以下，也称为HVPE法)、氨热法、钠助熔剂法以及氧化物气相生长法(以下，也称为OVPE法)。
[0004]在HVPE法中，在单质的III族原料上导入卤化氢气体而生成卤化物气体，将生成的III族元素的卤化物气体用作晶体生长用的原料气体。例如，在使氮化镓晶体生长的情况下，向Ga金属中导入HCl气体而制造氯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种III族氮化物晶体，其中，掺杂N型掺杂剂和锗元素，所述N型掺杂剂的浓度为1
×
10
19
cm
‑3以上，所述锗元素的浓度为所述N型掺杂剂的浓度的9倍以上。2.根据权利要求1所述的III族氮化物晶体，其中，所述N型掺杂剂的浓度为1
×
10
19
cm
‑3以上且5
×
10
21
cm
‑3以下。3.根据权利要求1或2所述的III族氮化物晶体，其中，所述N型掺杂剂包含硅元素和氧元素中的至少一种。4.根据权利要求3所述的III族氮化物晶体，其中，所述N型掺杂剂包含氧元素。5.根据权利要求1～4中任一项所述的III族氮化物晶体，其中，所述III族氮化物晶体的吸光系数成为60cm
‑1以下的能量的光存在于低于所述III族氮化物晶体的带隙能量值的范围内。6.根据权利要求1～4中任一项所述的III族氮化物晶体，其中，所述III族氮化物晶体的吸光系数成为60cm
‑1以下的能量的光存在于低于3.39eV的范围内。7.根据权利要求1～6中任一项所述的III族氮化物晶体，其中，电阻率为1mΩ
·
cm以下。8.一种III族氮化物基板，其具备权利要求1～7中任一项所述的III族氮化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：森勇介，吉村政志，今西正幸，北本启，隅智亮，泷野淳一，冈山芳央，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：