一种磷化铟单晶的生长装置及生长方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及晶体生长技术领域，特别涉及一种磷化铟单晶的生长装置，包括固定加热器、移动加热器、晶体生长容器和电磁搅拌装置，所述移动加热器和电磁搅拌装置可在晶体生长容器外移动。本发明专利技术还提供一种磷化铟单晶的生长方法，通过将原料放入到晶体生长容器中并加热到750℃，然后通过移动加热器加热到1075℃，移动移动加热器和电磁搅拌装置至其铅垂面离开晶体生长容器，保温并待炉温降至室温。本发明专利技术降低了Si污染，制得的单晶纯度高；采用移动加热器的方法，避免移动晶体生长容器可能引起的振动，能有效提高单晶率；通过双加热器的相对移动实现温场的移动，温场控制相对简单，控温精度容错率高，便于维护和校准。便于维护和校准。便于维护和校准。

【技术实现步骤摘要】
一种磷化铟单晶的生长装置及生长方法


[0001]本专利技术涉及晶体生长
，特别涉及一种磷化铟单晶的生长装置及生长方法。

技术介绍

[0002]磷化铟是一种化合物半导体，已经有多年的制备历史。有别于纯元素的第一代半导体(例如Si)和以超宽禁带为特征的第三代半导体(如SiC)。磷化铟一般被认为是第二代半导体。近年来，随着通信领域的技术发展，对磷化铟又有了新的需求和技术要求。
[0003]磷化铟单晶生长的方法有很多种，如液封直拉法(LEC)，水平布里奇曼法，垂直布里奇曼法，垂直温度梯度法(VGF)等。这些方法各有局限，例如LEC生长的晶锭，在位错密度等晶格指标上劣势很大；布里奇曼法中的容器机械运动会降低成晶率；VGF法生长效率低，而且对温场的控制精确度要求非常高，在实际应用中实现困难，此外通常需要对每个炉子单独进行周期性停产校准。此外，在现有技术中，磷化铟生长时所需的容器，普遍使用热解氮化硼(PBN)或者高纯石英。PBN价格昂贵，而石英长时间熔体接触，会在得到的晶体中产生Si污染。

技术实现思路

[0004]本专利技术解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磷化铟单晶的生长装置，其特征在于：包括固定加热器(1)、移动加热器(2)、晶体生长容器(3)和电磁搅拌装置(4)，所述移动加热器(2)和电磁搅拌装置(4)可在晶体生长容器(3)外移动。2.根据权利要求1所述的磷化铟单晶的生长装置，其特征在于：所述固定加热器(1)、移动加热器(2)、晶体生长容器(3)和电磁搅拌装置(4)均置于横式炉(5)中。3.根据权利要求1所述的磷化铟单晶的生长装置，其特征在于：所述固定加热器(1)和移动加热器(2)均为加热线圈。4.根据权利要求1所述的磷化铟单晶的生长装置，其特征在于：所述晶体生长容器(3)包括依次连接的管状部、漏斗部和空心圆柱部，所述管状部的顶端开设有凹槽从而形成敞口状，所述空心圆柱部为用于放置籽晶的籽晶区，所述漏斗部为放肩区，所述管状部为晶体生长的生长区。5.一种磷化铟单晶的生长方法，其特征在于，具体步骤如下：S1、将籽晶放入晶体生长容器(3)的籽晶区中；S2、将磷化铟多晶料和辅料放入晶体生长容器(3)中，所述辅料为覆盖剂和磷补充剂；S3、将S2中的晶体生长容器(3)放入横式炉(5)中，并在横式炉(5)内充入电子级氩气；S4、移动移动加热器(2)使其与籽晶区在同一个铅垂面上；S5、同时打开固定加热器(1)和移动加热器(2)，目标温度设置为750℃，升温速率为10℃/min，...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞昊，谢雨凌，
申请(专利权)人：合肥天曜新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：