热式传感器装置制造方法及图纸

技术编号:31476114 阅读:16 留言:0更新日期:2021-12-18 12:06
本发明专利技术提供能够通过抑制发热电阻体的热膨胀引起的塑性变形而减小发热电阻体的电阻变化,维持长期测定精度的热式传感器装置。在包括形成有开口部(2a)的基片(2)和具有以桥接开口部(2a)的方式层叠下层层叠膜(3a)、发热电阻体(5)和上层层叠膜(3b)的结构的膜片(4)的热式传感器装置(1)中,下层层叠膜(3a)的膜厚大于上层层叠膜(3b)的膜厚,下层层叠膜(3a)的平均热膨胀系数大于上层层叠膜(3b)的平均热膨胀系数,下层层叠膜(3a)由热膨胀系数不同的多个膜构成,所述多个膜中的热膨胀系数最大的膜形成在与下层层叠膜(3a)的厚度中心相比的下侧。下侧。下侧。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】热式传感器装置


[0001]本专利技术涉及在膜片形成有发热电阻体的热式传感器装置。

技术介绍

[0002]作为本

技术介绍
有专利文献1。在专利文献1中,记载有能够将保持发热电阻体的下部薄膜和上部薄膜的膜厚加厚而提高机械强度,且降低整体的翘曲的气流传感器。该气流传感器具有以桥接在硅基片形成的空腔部的方式层叠下部薄膜、加热层和上部薄膜的结构的薄膜发热部(以下称为膜片)。下部薄膜和上部薄膜分别采用组合压缩应力膜与拉伸应力膜的结构,以下部薄膜与上部薄膜夹持加热层地成为对称结构的方式层叠。压缩应力膜由密合性良好的氧化硅膜构成,拉伸应力膜由耐湿性良好的氮化硅膜构成。通过使下部薄膜与上部薄膜成为对称结构,能够消除翘曲力矩抑制膜片整体的翘曲。由此,专利文献1的气流传感器能够将下部薄膜和上部薄膜的膜厚加厚,实现膜片的机械强度的提高。
[0003]此外,作为本

技术介绍
有专利文献2。在专利文献2中,对于发热电阻体的下层的绝缘膜,交替地配置具有压缩应力的膜与具有拉伸应力的膜且配置2层以上具有拉伸应力膜的膜。由此降低膜片的挠度。
[00本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种热式传感器装置,包括形成有开口部的基片和具有以桥接所述开口部的方式层叠有下层层叠膜、发热电阻体和上层层叠膜的结构的膜片,所述热式传感器装置的特征在于:所述下层层叠膜的膜厚大于所述上层层叠膜的膜厚,所述下层层叠膜的平均热膨胀系数大于所述上层层叠膜的平均热膨胀系数,所述下层层叠膜由热膨胀系数不同的多个膜构成,所述多个膜中的热膨胀系数最大的膜形成在与所述下层层叠膜的厚度中心相比的下侧。2.如权利要求1所述的热式传感器装置,其特征在于:在所述下层层叠膜交替地形成有氧化硅膜和氮化硅膜,所述下层层叠膜的最下层的氧化硅膜的膜厚小于所...

【专利技术属性】
技术研发人员:中野洋松本昌大小野瀬保夫太田和宏
申请(专利权)人:日立安斯泰莫株式会社
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利