半导体结构及其制备方法技术

本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构的制备方法包括：在衬底上制备缓冲层；在所述缓冲层上制备掩膜层；图形化所述掩膜层使部分暴露所述缓冲层；在所述缓冲层被所述掩膜层暴露的部分制备第一DBR结构；在所述第一DBR结构上制备发光结构。图形化的掩膜层能够提高第一DBR结构的生长质量，并且有利于后续发光结构的制备。有利于后续发光结构的制备。有利于后续发光结构的制备。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]宽禁带半导体材料III族氮化物作为第三代半导体材料的典型代表，具有禁带宽带大、耐高压、耐高温、电子饱和速度和漂移速度高、容易形成高质量异质结构的优异特性，非常适合制造高温、高频、大功率电子器件。
[0003]谐振腔发光二极管与垂直腔面发射激光器在内的氮化镓基谐振腔发光器件通常采用DBR(distributed Bragg reflector,分布式布拉格反射)结构，而Al(Ga)N/GaN的第一DBR结构因为晶格不匹配而产生的应力，会造成裂纹等问题。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种半导体结构的制备方法，包括：在衬底上制备缓冲层；在所述缓冲层上制备掩膜层；图形化所述掩膜层使部分暴露所述缓冲层；在所述缓冲层被所述掩膜层暴露的部分制备第一DBR结构；在所述第一DBR结构上制备发光结构；以及在所述发光结构上制备第二DBR结构。通过图形化的掩膜层，可以生长高质量的第一DBR结构。此外掩膜层的存在，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上制备缓冲层；在所述缓冲层上制备掩膜层；图形化所述掩膜层使部分暴露所述缓冲层；在所述缓冲层被所述掩膜层暴露的部分制备第一DBR结构；在所述第一DBR结构上制备发光结构；以及在所述发光结构上制备第二DBR结构。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在图形化所述掩膜层使部分暴露所述缓冲层后，先部分刻蚀被所述掩膜层露出的所述缓冲层，以在所述缓冲层中形成凹槽，再在所述缓冲层被所述掩膜层暴露的部分上制备第一DBR结构。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述缓冲层中形成凹槽后，先在所述凹槽的侧壁制备掩膜层，然后在再在所述缓冲层被所述掩膜层暴露的部分上制备第一DBR结构。4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱丹丹，程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：