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本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构的制备方法包括：在衬底上制备缓冲层；在所述缓冲层上制备掩膜层；图形化所述掩膜层使部分暴露所述缓冲层；在所述缓冲层被所述掩膜层暴露的部分制备第一DBR结构；在所述第一DBR结构上制备发光结构...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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