一种MPS二极管器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及电子器件技术领域，公开了一种MPS二极管器件及其制备方法，该包括MPS二极管器件并联设置的多个元胞，其中：每个元胞包括阴极电极以及依次形成于阴极电极上的衬底、外延层、缓冲层和阳极电极，外延层背离衬底的一侧形成有两个有源区，缓冲层的禁带宽度大于外延层的禁带宽度且缓冲层的材质与外延层的材质为同素异形体，缓冲层中与有源区相对的位置形成有第一开孔，第一开孔内形成有欧姆金属层。该MPS二极管器件在降低反向漏电损耗的同时降低了正向导通损耗，使得反向漏电和正向工作电压这两个性能参数同时得以改善，从而使得该MPS二极管器件的性能更好。该MPS二极管器件的性能更好。该MPS二极管器件的性能更好。

【技术实现步骤摘要】
一种MPS二极管器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电子器件
，特别涉及一种MPS二极管器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]SiC作为第三代新型半导体，具有禁带宽度宽、临界击穿电场高、热导率高等特点，其应用在高温、高压、高频、大功率等领域相比于传统的硅基器件有很大优势。
[0003]SiC SBD(碳化硅肖特基势垒二极管)正向导通压降低、反向恢复时间短。但在反向阻断工作条件下，存在漏电流过大的缺点。为了改善SiC SBD的反向漏电问题，发展出JBS(junction barrier schottky)或者MPS(merge pin schottky)结构，其中p型重掺杂区处形成的耗尽区一方面可以承受很大的反向电压，另一方面耗尽区互相连结包裹住肖特基结，可以防止器件在反向工作时肖特基势垒降低引起的反向漏电增大问题，但反向漏电和正向工作电压通常是需要折中的两个性能参数，为了降低漏电损耗，通常需要提高肖特基势垒高度，但这样又会导致正向工作电压的上升。因此，现有技术无法在降低器件正向导通损耗的同时降低器件的反向漏电。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MPS二极管器件，其特征在于，包括并联设置的多个元胞，其中：每个元胞包括阴极电极以及依次形成于所述阴极电极上的衬底、外延层、缓冲层和阳极电极，所述外延层背离衬底的一侧形成有两个有源区，所述缓冲层的禁带宽度大于所述外延层的禁带宽度且所述缓冲层的材质与所述外延层的材质为同素异形体，所述缓冲层中与所述有源区相对的位置形成有第一开孔，所述第一开孔内形成有欧姆金属层。2.根据权利要求1所述的MPS二极管器件，其特征在于，所述缓冲层为纳米结构层。3.根据权利要求2所述的MPS二极管器件，其特征在于，所述缓冲层为量子点层。4.根据权利要求3所述的MPS二极管器件，其特征在于，所述量子点层中的量子点的形状为圆柱状、球状或凸起状，当所述量子点为圆柱状时，所述圆柱状量子点的底面与外延层接触；当所述量子点为凸起状时，所述量子点沿垂直于外延层方向的切面中，背离外延层一侧的轮廓线的形状为抛物线。5.根据权利要求1所述的MPS二极管器件，其特征在于，所述衬底的材质为n型3C-SiC，所述外延层的材质为n型3C-SiC，且所述衬底的掺杂浓度高于所述外延层的掺杂浓度；所述缓冲层的材质为4H-SiC。6.根据权利要求1所述的MPS二极管器件，其特征在于，所述欧姆金属层的材质为钛。7.根据权利要求1所述的MPS二极管器件，其特征在于，所述欧姆金属层的厚度为1um。8.一种MPS二极管器件的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成外延层，所述外延层背离衬底一侧包括用于形成有源区的有源区形成区；在所述有源区形成区内形成有源区；退火处理；在所述外延层背离所述衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：林苡任，陈道坤，曾丹，史波，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：