【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种由磁场的变化而动作的开关，具体涉及一种抗干扰非接触记忆开关。目前，接近开关已被广泛应用，但现有接近开关仍存在缺点或不足，例如对感应件与开关的距离要求较严，就使其应用受到局限。感应件与开关采用沿轴向安装的，见附图说明图1，在感应件2不到位时，发不出信号；感应件2运动过头，又会碰坏感应件2或开关1。感应件与开关采用沿径向安装的，见图2，这样虽不会损坏部件，但感应件2移动不到位或位移过头时均无信号，只有感应件2准确到位才能发出信号，对于运动有变差的设备，这种接近开关发信的可靠性就要受到影响。本技术的目的在于避免上述现有技术中的不足之处，而提供一种结构简单，稳定性好，可靠性高，安装、调整方便，抗振性好，使用寿命长的抗干扰非接触记忆开关。本技术的目的可通过以下措施来达到一种抗干扰非接触记忆开关，包括舌簧管(3)，两辅助磁钢(4)、(6)和固定于受控部件上的外磁钢(5)，其特殊之处在于，所述两辅助磁钢(4)、(6)分别套装固定于舌簧管(3)的两外露端上，轴向设置的辅助磁钢(4)和(6)的磁极极性排列方向相同。附图图面说明如下图1～2为现有技术两实施例的结构...
【技术保护点】
一种抗干扰非接触记忆开关，包括舌簧管（３），两辅助磁钢（４）、（６）和固定于受控部件上的外磁钢（５），其特征在于：所述两辅助磁钢（４）、（６）分别套装固定于舌簧管（３）的两外露端上，轴向设置的辅助磁钢（４）和（６）的磁极极性排列方向相同。
【技术特征摘要】
1.一种抗干扰非接触记忆开关，包括舌簧管(3)，两辅助磁钢(4)、(6)和固定于受控部件上的外磁钢(5)，其特征在于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李大容，池俊香，
申请(专利权)人：李大容，
类型：实用新型
国别省市：87[中国|西安]
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